Cu-Ni-Si系铜合金条
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110358946A

    公开(公告)日:2019-10-22

    申请号:CN201910221346.7

    申请日:2019-03-22

    发明人: 中妻宗彦

    IPC分类号: C22C9/06 C22F1/08

    摘要: 本发明提供强度得到提高、同时平坦性高的Cu-Ni-Si系铜合金条及其制造方法。[解决手段]Cu-Ni-Si系铜合金条,其含有Ni:1.5~4.5质量%、Si:0.4~1.1质量%,且余量由Cu和不可避免的杂质组成,导电率为30%IACS以上、拉伸强度为800MPa以上,按照JCBA-T326-2014,针对轧制方向的陡度,沿着与该轧制方向正交的轧制直角方向以25mm以下的间距测定5处以上时,陡度的平均值为0.5以下,并且,用(陡度的偏差/陡度的平均值)×100表示的陡度的偏差率为12%以下。

    铜箔、覆铜层叠板、以及柔性印刷基板和电子设备

    公开(公告)号:CN107278015B

    公开(公告)日:2019-10-18

    申请号:CN201710201765.5

    申请日:2017-03-30

    IPC分类号: H05K1/02 H05K3/46

    摘要: [课题]提供即使自身的厚度较薄、与树脂层层压时也难以产生褶皱的铜箔、覆铜层叠板、以及柔性印刷基板和电子设备。[解决手段]铜箔,其以质量率计包含99.90%以上的铜、且厚度为3~8μm,按照JIS‑B0601(2013),从沿着TD方向的50mm长度L的表面2的截面曲线S中,在轮廓曲线滤波器λc=2 mm、轮廓曲线滤波器λf=25mm的条件下截去短波长和长波长成分从而求出波纹度曲线时,波纹度曲线单元的平均长度Wsm为2.5~20.0mm。

    Al2O3溅射靶及其制造方法
    25.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110073029A

    公开(公告)日:2019-07-30

    申请号:CN201780077077.0

    申请日:2017-12-06

    发明人: 小井土由将

    IPC分类号: C23C14/34 C04B35/111

    摘要: 一种Al2O3溅射靶,其特征在于,所述Al2O3溅射靶的纯度为99.99重量%以上、相对密度为85%以上且95%以下、体积电阻率为10×1014Ω·cm以下、介质损耗角正切为15×10-4以上。本发明的课题在于,提供一种具有良好的溅射特性的Al2O3溅射靶、特别是即使不提高溅射功率也能够提高成膜速率的Al2O3溅射靶及其制造方法。

    Cu-Ni-Si系铜合金条及其制备方法

    公开(公告)号:CN107267805B

    公开(公告)日:2018-12-25

    申请号:CN201710206398.8

    申请日:2017-03-31

    IPC分类号: C22C9/06 C22F1/08

    摘要: 提供在强度提高的同时,蚀刻后的表面凹凸降低的Cu‑Ni‑Si系铜合金条及其制备方法。含有Ni:1.5~4.5质量%、Si:0.4~1.1质量%的Cu‑Ni‑Si系铜合金条,电导率为30%IACS以上,拉伸强度为800MPa以上,在将以与包含晶体的[001]取向和材料的ND方向的面垂直的方向为轴的旋转角标记为Φ,将以ND方向为轴的旋转角标记为φ1,将以[001]方向为轴的旋转角标记为φ2的情况下,对于作为通过以ND轴为旋转轴只旋转φ1后,为了使ND轴和z轴一致而只旋转Φ,最后围绕[001]轴只旋转φ2,由此材料的ND、TD、RD与晶体的[001]、[010]、[100]一致的角度的组的欧拉角(φ1,Φ,φ2),所有欧拉角的晶体取向的极密度均为12以下。

    溅射靶-背衬板接合体
    29.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105369204B

    公开(公告)日:2018-11-02

    申请号:CN201510477273.X

    申请日:2015-08-06

    发明人: 高村博 铃木了

    IPC分类号: C23C14/34

    摘要: 本发明涉及溅射靶‑背衬板接合体。一种溅射靶‑背衬板接合体,其为使用焊接材料将溅射靶和背衬板接合而得到的溅射靶‑背衬板接合体,其特征在于,将溅射靶和背衬板之间的焊接材料的外周用熔点为600~3500℃且轴向截面形状为圆形、椭圆形或矩形的线状材料覆盖。本发明提供有效地抑制在使用焊接材料接合溅射靶和背衬板的情况下的由焊接材料在溅射靶和背衬板之间露出引起的电弧放电产生、粉粒产生的技术。

    磁记录介质用溅射靶以及磁性薄膜

    公开(公告)号:CN108699678A

    公开(公告)日:2018-10-23

    申请号:CN201780011770.8

    申请日:2017-01-04

    发明人: 小庄孝志

    摘要: 一种溅射靶或膜,其特征在于,选自Ca、K、Na、Pb、Zn中的任意一种以上元素的氧化物为0.1摩尔%~10摩尔%,Cr为45摩尔%以下,Pt为45摩尔%以下,剩余部分包含Co。本发明的课题在于提供能够大幅减少由氧化物引起的粉粒、并且能够显著地提高成膜时的成品率的溅射靶。由此,能够进行品质良好的磁记录层的成膜,并且能够改善磁记录介质的成品率等。