公开(公告)号：CN109309012B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN201810838133.4

申请日：2018-07-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大德高志 ,  谷口晋 ,  关映子 ,  佐藤淳 ,  堀川雄平 ,  折笠诚 ,  阿部寿之

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62

Abstract: 本发明涉及导电性基板、电子装置以及显示装置的制造方法，导电性基板的制造方法是制造具有基材以及被设置于基材的一个主面侧的导电图形的导电性基板的方法。该方法具备由压印法来形成具有基底层露出的底面和包含沟槽形成层表面的侧面的沟槽的工序、从露出于沟槽底面的基底层使金属镀敷生长并由此而形成导电图形层的工序。

公开(公告)号：CN111785705A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN202010781491.3

申请日：2017-10-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 折笠诚 ,  堀川雄平 ,  阿部寿之 ,  上林义广

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/288 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L23/49 ,  H01L23/488

Abstract: 本说明书中公开的电子部件模块具备电子部件、密封所述电子部件的密封树脂、覆盖所述密封树脂的表面的导电膜、覆盖所述导电膜的表面的保护膜。所述保护膜包含低反射层和保护层。所述低反射层不与导电膜相接。

公开(公告)号：CN111613595A

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN202010106441.5

申请日：2020-02-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐藤敬 ,  谷口晋 ,  小林英之 ,  折笠诚

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488

Abstract: 一种用于将发光元件和基板接合的接合结构，其包括：形成于发光元件的第1电极、形成于基板的第2电极和将第1电极与第2电极接合的接合层，接合层含有第1接合金属成分和与该第1接合金属成分不同的第2接合金属成分。

公开(公告)号：CN109309012A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201810838133.4

申请日：2018-07-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大德高志 ,  谷口晋 ,  关映子 ,  佐藤淳 ,  堀川雄平 ,  折笠诚 ,  阿部寿之

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62

Abstract: 本发明涉及导电性基板、电子装置以及显示装置的制造方法，导电性基板的制造方法是制造具有基材以及被设置于基材的一个主面侧的导电图形的导电性基板的方法。该方法具备由压印法来形成具有基底层露出的底面和包含沟槽形成层表面的侧面的沟槽的工序、从露出于沟槽底面的基底层使金属镀敷生长并由此而形成导电图形层的工序。

公开(公告)号：CN109308951A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201810838142.3

申请日：2018-07-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大德高志 ,  谷口晋 ,  关映子 ,  佐藤淳 ,  堀川雄平 ,  折笠诚 ,  阿部寿之

IPC: H01B5/14

Abstract: 本发明涉及导电性基板、电子装置以及显示装置。导电性基板的特征在于具备：基材、被设置于基材上的基底层、被设置于基底层上的沟槽形成层、包含金属镀敷的导电图形层。形成具有基底层露出的底面的沟槽。导电图形层填充沟槽。基底层具有：混合区域，从基底层的导电图形层侧的表面形成到其内侧且含有构成导电图形层的金属并且包含进入到基底层的金属颗粒。

公开(公告)号：CN108231398A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711352340.0

申请日：2017-12-15

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 堀川雄平 ,  折笠诚 ,  上林义广 ,  阿部寿之 ,  麻生裕文 ,  国塚光祐

IPC: H01F41/04 ,  H05K1/16

Abstract: 平面线圈的制造方法包括：在基材上形成基底导体层(L1)的工序(S2)，该基底导体层(L1)具有：具有一端及另一端的线圈配线部，将外部电源和线圈配线部的第一连接位置连接的供电配线部(11d)，以及使比第一连接位置更靠另一端侧的线圈配线部的第二连接位置和比第二连接位置更靠一端侧的线圈配线部的第三连接位置短路的连接配线部(11e)；在基底导体层(L1)上通过电解电镀形成配线导体层(L2)的工序(S3)；以及除去供电配线部(11d)及连接配线部(11e)的工序(S4)。