公开(公告)号：CN109084811A

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201810588349.X

申请日：2018-06-08

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 广田洋平 ,  宫下勇人 ,  梅原刚 ,  平林启

IPC: G01D5/245

Abstract: 一对偏置磁体将偏置磁场施加于磁阻效应元件，偏置磁场具有抵消施加于磁阻效应元件的外部磁场的方向上的分量和与外部磁场垂直的分量。偏置磁体在与外部磁场和偏置磁场两者平行的平面中具有伸长的截面。在与截面平行并且偏置磁体和磁阻效应元件投影所在的投影平面中，偏置磁体包括元件相对侧，该元件相对侧与磁阻效应元件相对并且沿长边方向延伸。偏置磁体在与长边方向垂直的方向上被磁化。元件相对侧比其他侧长。

公开(公告)号：CN107621272A

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201710573448.6

申请日：2017-07-13

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 上田国博 ,  和田善光 ,  平林启 ,  山胁和真 ,  梅原刚

IPC: G01D5/18 ,  G01R33/06 ,  G01B7/30 ,  H02M3/28

Abstract: 本发明的传感器单元具备：基体，包括实质上互相正交的第一边和第二边，并且具有实质上为矩形的平面形状；以及多个第一传感器，设置在该基体上，并且排列在第一轴上，第一轴与第一边实质上平行且通过基体的中心位置。

公开(公告)号：CN100342427C

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200510058872.4

申请日：2005-03-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 清野浩 ,  安德洋介 ,  梅原刚 ,  泽田佳和

IPC: G11B5/31 ,  G11B5/33

CPC classification number: G11B5/3967

Abstract: 提供了一种复合式薄膜磁头，它包括：一个写头元件；一对用于写头元件的端接点；一对用于写头元件的引线导体，将写头元件与用于写头元件的端接点对电连接；一个读头元件；一对用于读头元件的端接点；和一对用于读头元件的引线导体，将读头元件与用于读头元件的端接点对电连接。用于写头元件的引线导体对和用于读头元件的引线导体对形成为通过仅有一个绝缘层而相互没有重叠部分的结构。

公开(公告)号：CN1719522A

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN200510078085.6

申请日：2005-06-14

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 梅原刚 ,  太田宪和 ,  田上胜通 ,  松隈裕树 ,  大山信也 ,  小出宗司 ,  沟口义之 ,  山田和秀

IPC: G11B5/31 ,  G11B5/60 ,  G11B5/02 ,  G11B21/21

CPC classification number: G11B5/6064 ,  G11B5/3133

Abstract: 本发明涉及一种具有加热器的薄膜磁头。该薄膜磁头包括：衬底；读磁头部件，具有屏蔽区域，形成在该衬底上；写磁头部件，具有磁极区域，相对于读磁头部件，形成在该衬底的相对侧；覆盖涂层，用于覆盖读磁头部件和写磁头部件，形成在该衬底上；加热器，至少在该读磁头部件或者写磁头部件的操作期间加热，形成在覆盖涂层内；以及隙缝区域，用于在屏蔽长度方向，分离屏蔽区域，由导热率比屏蔽区域的导热率低得低导热率材料构成。

公开(公告)号：CN114814674B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202210058998.5

申请日：2022-01-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 梅原刚 ,  原田健太郎 ,  小林尚史

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明提供一种能够容易地应对各种设计条件的磁传感器的设计方法。磁传感器具有串联连接的第一及第二磁阻效应元件和串联连接的第三及第四磁阻效应元件，第一及第二磁阻效应元件的组和第三及第四磁阻效应元件的组并联连接，第一及第四磁阻效应元件连接到电源侧。在设计该磁传感器时，对于第一～第四磁化固定层的磁化方向分别相对于规定的基准角度旋转第一～第四角度θ1～θ4，θ1＝θ3、θ2＝θ4、θ1≠θ2，且θ1－θ2不同的多个磁传感器求出在与各磁传感器的输出之间成立规定的线性关系的第一～第四磁化自由层的磁化方向的角度范围和磁传感器的输出范围的关系，从多个磁传感器选择满足角度范围和输出范围的要求条件的磁传感器。

公开(公告)号：CN112710974B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202011136912.3

申请日：2020-10-22

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 原田健太郎 ,  梅原刚 ,  高野研一

IPC: G01R33/09

公开(公告)号：CN109724506B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN201811284096.3

申请日：2018-10-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 梅原刚 ,  宫下勇人 ,  内田圭祐 ,  平林启

IPC: G01B7/00

Abstract: 位置检测装置具备第一位置检测器、第二位置检测器以及信号生成器。第一位置检测器具备第一磁场产生部、第二磁场产生部以及第一磁传感器。第二位置检测器具备第三磁场产生部、第四磁场产生部以及第二磁传感器。第二及第四磁场产生部的位置与检测对象位置的变化相对应地变化。信号生成器生成第一磁传感器生成的第一检测信号和第二磁传感器生成的第二检测信号之和即位置检测信号。第一及第二位置检测器分别具备偏置磁场产生部。

公开(公告)号：CN110260770A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201811456750.4

申请日：2018-11-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 牧野健三 ,  梅原刚

IPC: G01B7/00 ,  G01R33/09 ,  H01L43/08 ,  H01L43/06

Abstract: 本发明提供一种磁传感器，该磁传感器产生检测信号，该检测信号根据基准平面内的检测位置处的对象磁场的强度而变化。磁传感器包括磁阻效应元件。磁阻效应元件包括：具有第一方向上的磁化的磁化固定层；具有能够根据作用磁场的方向而变化方向的磁化的自由层，该作用磁场是合成作用于其上的所有磁场而得到的磁场。自由层具有单轴磁各向异性，其中易磁化轴朝向平行于第二方向的方向。在基准平面内与第二方向正交的两个方向都不同于目标磁场的方向。

公开(公告)号：CN109725269A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811157463.3

申请日：2018-09-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 内田圭祐 ,  梅原刚 ,  须藤俊英 ,  平林启

IPC: G01R33/06 ,  G01R33/09

Abstract: 本发明涉及磁传感器及位置检测装置。位置检测装置具备产生第一磁场的第一磁场产生部、产生第二磁场的第二磁场产生部、磁传感器。第二磁场产生部相对于第一磁场产生部的位置可变化。磁传感器生成与基准平面内的检测位置上的对象磁场的方向对应的检测信号。对象磁场是平行于基准平面的第一及第二磁场各自的成分即第一磁场成分和第二磁场成分的合成磁场。磁传感器具有包含自由层和磁化固定层的磁阻效应元件。在基准平面内，与磁化固定层的磁化的方向正交的两个方向分别与第一磁场成分的方向和第二磁场成分的方向的任一方向均不同。

公开(公告)号：CN109724506A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811284096.3

申请日：2018-10-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 梅原刚 ,  宫下勇人 ,  内田圭祐 ,  平林启

IPC: G01B7/00

Abstract: 位置检测装置具备第一位置检测器、第二位置检测器以及信号生成器。第一位置检测器具备第一磁场产生部、第二磁场产生部以及第一磁传感器。第二位置检测器具备第三磁场产生部、第四磁场产生部以及第二磁传感器。第二及第四磁场产生部的位置与检测对象位置的变化相对应地变化。信号生成器生成第一磁传感器生成的第一检测信号和第二磁传感器生成的第二检测信号之和即位置检测信号。第一及第二位置检测器分别具备偏置磁场产生部。