光读写头和光记录回放设备

    公开(公告)号:CN101067941A

    公开(公告)日:2007-11-07

    申请号:CN200710088349.5

    申请日:2007-03-16

    CPC classification number: G11B7/12 G11B7/127

    Abstract: 本发明提供了一种光读写头和光记录回放设备。光读写头1具有散热片6。该散热片6具有用于在激光二极管4和5与激光器支架12和13中进行面接触的前伸出部16(接触部分)、第二前垂下部17a(接触部分)和17b(接触部分)、第一侧垂下部18、侧伸出部19(接触部分)和第二侧垂下部20a(接触部分)和20b(接触部分)。另外,该散热片6还具有插入在光盘和壳体3之间的主体部分14。

    位置检测装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109724506B

    公开(公告)日:2021-09-07

    申请号:CN201811284096.3

    申请日:2018-10-31

    Abstract: 位置检测装置具备第一位置检测器、第二位置检测器以及信号生成器。第一位置检测器具备第一磁场产生部、第二磁场产生部以及第一磁传感器。第二位置检测器具备第三磁场产生部、第四磁场产生部以及第二磁传感器。第二及第四磁场产生部的位置与检测对象位置的变化相对应地变化。信号生成器生成第一磁传感器生成的第一检测信号和第二磁传感器生成的第二检测信号之和即位置检测信号。第一及第二位置检测器分别具备偏置磁场产生部。

    位置检测装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109724506A

    公开(公告)日:2019-05-07

    申请号:CN201811284096.3

    申请日:2018-10-31

    Abstract: 位置检测装置具备第一位置检测器、第二位置检测器以及信号生成器。第一位置检测器具备第一磁场产生部、第二磁场产生部以及第一磁传感器。第二位置检测器具备第三磁场产生部、第四磁场产生部以及第二磁传感器。第二及第四磁场产生部的位置与检测对象位置的变化相对应地变化。信号生成器生成第一磁传感器生成的第一检测信号和第二磁传感器生成的第二检测信号之和即位置检测信号。第一及第二位置检测器分别具备偏置磁场产生部。

    磁传感器系统以及透镜位置检测装置

    公开(公告)号:CN114063172B

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN202110891138.5

    申请日:2021-08-04

    Abstract: 本发明的磁传感器系统具备:磁场发生器和磁传感器。磁传感器包括多个MR元件。多个MR元件的各自构成为使得与第1方向正交的第2方向的偏置磁场施加于自由层上,并且电阻值根据磁场分量的强度变化。施加于多个MR元件的各自的磁场分量的最大强度是偏置磁场强度的1.2倍以上。

    磁传感器系统以及透镜位置检测装置

    公开(公告)号:CN114063172A

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN202110891138.5

    申请日:2021-08-04

    Abstract: 本发明的磁传感器系统具备:磁场发生器和磁传感器。磁传感器包括多个MR元件。多个MR元件的各自构成为使得与第1方向正交的第2方向的偏置磁场施加于自由层上,并且电阻值根据磁场分量的强度变化。施加于多个MR元件的各自的磁场分量的最大强度是偏置磁场强度的1.2倍以上。

    磁传感器和照相机模块
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109084811A

    公开(公告)日:2018-12-25

    申请号:CN201810588349.X

    申请日:2018-06-08

    Abstract: 一对偏置磁体将偏置磁场施加于磁阻效应元件,偏置磁场具有抵消施加于磁阻效应元件的外部磁场的方向上的分量和与外部磁场垂直的分量。偏置磁体在与外部磁场和偏置磁场两者平行的平面中具有伸长的截面。在与截面平行并且偏置磁体和磁阻效应元件投影所在的投影平面中,偏置磁体包括元件相对侧,该元件相对侧与磁阻效应元件相对并且沿长边方向延伸。偏置磁体在与长边方向垂直的方向上被磁化。元件相对侧比其他侧长。

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