-
公开(公告)号：CN100549767C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200610101571.X
申请日：2002-12-17
Applicant: TDK株式会社
IPC: G02F1/09
Abstract: 本发明的目的是提供使用了法拉第旋转能、温度特性、波长特性、插入损失优良的硬磁性铋取代型稀土类铁柘榴石材料的法拉第旋转子。化学组成为(Bi3-a-b-cGdaTbbYbc)Fe(5-w)MwO12(其中，M＝Ga、Al、Ge、Sc、In、Si和Ti的一种或两种以上、0.5≤a+b+c≤2.5，0.2≤w≤2.5)的一种铋取代型稀土类铁柘榴石材料，具有硬磁性，同时可具有优良的法拉第旋转能、温度特性、波长特性、插入损失。
-
公开(公告)号：CN100399111C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200610019815.X
申请日：2003-01-24
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明涉及如同光衰减器和光开关或极化波控制器等使法拉第旋转角变化，控制光的偏振面的光部件，其目的在于提供可采用小型的耗电低的磁路，而且可把法拉第转子的插入损失抑制至较低程度的光部件。按照具有由石榴石单晶形成的法拉第转子、把小于法拉第转子的饱和磁场Hs的外部磁场H施加到法拉第转子的磁路的原则构成。
-
公开(公告)号：CN101000410A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200710002244.3
申请日：2007-01-10
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 大井户敦
Abstract: 本发明涉及磁性石榴石单晶及其制造方法以及使用该磁性石榴石单晶的光学元件，其目的是提供削减了Pb的含量的磁性石榴石单晶及其制造方法以及使用该磁性石榴石单晶的光学元件。本发明的磁性石榴石单晶，用化学式BiαNaβM13－α－βFe5－γM2γO12(M1是选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少1种或以上的元素，M2是选自Si、Ge、Ti中的至少1种或以上的元素，0.5＜α≤2.0、0＜β≤0.8、0.2≤3－α－β＜2.5、0＜γ≤1.6)表示。
-
公开(公告)号：CN1271454C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN02157156.2
申请日：2002-12-17
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G02F1/09 , G02F1/0036 , H01F1/10
Abstract: 本发明的目的是提供法拉第旋转能、温度特性、波长特性、插入损失优良的硬磁性铋取代型稀土类铁柘榴石材料。化学组成为(Bi3-a-b-cGdaTbbYbc)Fe(5-w)MwO12(其中，M＝Ga、Al、Ge、Sc、In、Si和Ti的一种或两种以上、0.5≤a+b+c≤2.5，0.2≤w≤2.5，必需含有稀土类元素Gd、Tb和Yb)的一种铋取代型稀土类铁柘榴石材料，具有硬磁性，同时可具有优良的法拉第旋转能、温度特性、波长特性、插入损失。
-
公开(公告)号：CN1768166A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200480008681.0
申请日：2004-01-28
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F41/28 , C30B19/02 , C30B29/28 , G02F1/0036 , H01F10/24
Abstract: 用于液相外延生长不产生结晶缺陷、翘曲、裂纹、剥离等的厚膜状的磁性石榴石单晶膜的磁性石榴石单晶膜形成用基板(2)。该基板(2)具备：基底基板(10)，其包含对于液相外延生长所用的助熔剂不稳定的石榴石类单晶；缓冲层(11a)，其在基底基板(10)中结晶培育面(10a)上形成、且包含对于助熔剂稳定的石榴石类单晶薄膜；以及保护层(11b)，其至少在与基底基板(10)中结晶培育面交叉的所述基底基板的侧面(10b)形成、且对于助熔剂稳定。使用该基板，能够制备高质量的磁性石榴石单晶膜。该磁性石榴石单晶膜能够作为光隔离器、光环形器、光磁传感器等所用的法拉第元件等光学元件使用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1547627A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN02816498.9
申请日：2002-06-21
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明涉及为液相外延生长磁性石榴石单晶膜的磁性石榴石单晶膜形成用衬底，和使用该衬底进行晶体生长的单晶膜的制备方法和通过该制备方法制备的单晶膜以及光学元件。该衬底(2)具有对为进行液相外延生长所使用的熔融溶液不稳定的石榴石系单晶形成的衬底基板(10)，和在前述衬底基板(10)上形成的对前述熔融溶液稳定的石榴石系单晶薄膜形成的缓冲层(11)。使用该衬底(2)可以制备优质的磁性石榴石单晶膜(12)。该磁性石榴石单晶膜(12)可以作为用于光学隔离器、光学循环器、光磁传感器等法拉第元件等的光学元件使用。
-
公开(公告)号：CN1434327A
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：CN03101284.1
申请日：2003-01-24
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G02F1/09 , G02F1/0036
Abstract: 本发明涉及如同光衰减器和光开关或极化波控制器等使法拉第旋转角变化，控制光的极化面的光部件，其目的在于提供可采用小型的耗电低的磁路，而且可把法拉第转子的插入损失抑制至较低程度的光部件。按照具有由石榴石单晶形成的法拉第转子、把小于法拉第转子的饱和磁场Hs的外部磁场H施加到法拉第转子的磁路的原则构成。
-
公开(公告)号：CN106661761B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201580042829.0
申请日：2015-08-06
Applicant: TDK株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B19/12 , C30B25/18 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及氧化铝基板。本发明的目的在于提供一种在将AlN结晶等制作于氧化铝基板上时能够制作出更高质量的结晶的氧化铝基板。本发明的另外一个目的在于提供一种AlN层的翘曲被减小的氧化铝基板。本发明的再有一个目的在于提供一种基板材料，在作为种基板进行使用的情况下，当被过度施加由不可避免发生的晶格不匹配引起的应力时，能够促进自然剥离主导的基板独立化。通过将AlN层形成于氧化铝基板的表面上并且将稀土含有层以及/或者稀土含有区域形成于AlN层的内部或者AlN层与所述氧化铝基板的界面上从而缓和对AlN层的应力，能够减小翘曲。另外，如果使用这样的基板来培养AlN结晶则能够通过自然剥离令培养了的结晶独立化。
-
-
公开(公告)号：CN107532330A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680011843.9
申请日：2016-03-02
Applicant: TDK株式会社
IPC: C30B29/38
Abstract: 本发明提供一种形成有AlN层且降低了翘曲的氧化铝基板。本发明提供一种基板材料，在本基板上生长AlN晶体等的情况下，具有能够耐受通常的操作的程度的强度，并且在生长中或者冷却中施加了过度的应力的情况下防止在生长晶体中引入裂纹或碎裂。制成：在表面形成有AlN层的氧化铝基板中，在AlN层的内部或者AlN层与氧化铝基板界面形成有含稀土区域以及空隙的基板。通过含稀土区域集中晶格失配应力，另外空隙释放应力，从而能够降低AlN层的翘曲。另外，由于含稀土区域集中应力，空隙降低机械强度，因此能够诱发裂纹或者碎裂的起源和传播，结果能够防止在本基板上生长的晶体中混入裂纹或碎裂。进一步含稀土区域能够确保操作程度的机械强度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
40
records
(took 0.023 seconds)
