公开(公告)号：CN112391674A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202010806156.4

申请日：2020-08-12

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 高上基 ,  金政圭 ,  张炳圭 ,  具甲烈 ,  崔正宇

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明的实施例涉及晶种附着方法，包括：步骤(1)，在锭生长的晶种的一面附着保护膜；步骤(2)，在上述晶种的另一面涂敷粘结组合物；步骤(3)，进行第一固化，即对上述晶种进行热处理；步骤(4)，去除上述保护膜；步骤(5)，进行第二固化，即对上述晶种进行热处理；以及步骤(6)，使上述晶种附着于晶种支架，从而可在碳化硅单晶锭生长时提高生长稳定性及质量。

公开(公告)号：CN109923091B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN201780065296.7

申请日：2017-10-20

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 徐正斗 ,  金政圭 ,  白种甲

IPC: C01B32/205

Abstract: 本实施方案涉及一种在不使用昂贵的聚酰亚胺膜的情况下以低成本制备具有高导热率的石墨片的方法。

公开(公告)号：CN113512759A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202011099175.4

申请日：2020-10-14

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 朴钟辉 ,  梁殷寿 ,  张炳圭 ,  崔正宇 ,  高上基 ,  具甲烈 ,  金政圭

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/00

Abstract: 本发明涉及碳化硅晶锭及其制造方法和用于制造碳化硅晶锭的系统，在碳化硅晶锭的制造过程中，在使反应容器的内部空间减压以升温的步骤中，在特定内部空间的上部和下部之间形成温度差。通过根据本发明的碳化硅晶锭的制造方法，可以使作为碳化硅晶锭的后表面的籽晶面的损失最小化，并且可以制造具有较少缺陷和良好晶体质量的碳化硅晶锭。

公开(公告)号：CN113512758A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202011099174.X

申请日：2020-10-14

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 张炳圭 ,  朴钟辉 ,  梁殷寿 ,  崔正宇 ,  高上基 ,  具甲烈 ,  金政圭

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/00

Abstract: 本发明涉及碳化硅晶锭及其制造方法和用于制造碳化硅晶锭的系统，其中，在碳化硅晶锭的制造过程中，在正式生长晶锭的步骤下，通过将加热单元以规定速度移动，以根据晶锭的生长改变反应容器内部的温度分布。

公开(公告)号：CN113122930A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202010294353.2

申请日：2020-04-15

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 张炳圭 ,  朴钟辉 ,  梁殷寿 ,  崔正宇 ,  高上基 ,  具甲烈 ,  金政圭

IPC: C30B35/00 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明实例的坩埚可扩大内部直径，从而，当进行碳化硅粉末的热处理时，不会发生因膨胀及收缩导致的坩埚的损伤。因此，利用上述坩埚来获取碳化硅粉末的烧结体，基于此，可使单晶碳化硅锭生长，由此可提高工序的有效性。

公开(公告)号：CN112210824A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN202010531612.9

申请日：2020-06-11

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 朴钟辉 ,  甄明玉 ,  高上基 ,  具甲烈 ,  金政圭 ,  沈钟珉 ,  张炳圭 ,  崔正宇

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明涉及用于生长碳化硅晶锭的粉末以及碳化硅晶锭的制备方法。所述碳化硅晶锭的制备方法包括准备步骤，将包含碳化硅颗粒的粉末装入反应容器中，并将籽晶放置在所述反应容器的一个表面，及生长步骤，使所述粉末升华以从所述籽晶生长碳化硅晶锭，所述粉末的流动指数为5到35。本发明的用于生长锭的粉末、使用其的晶锭的制备方法等可以提供抑制异质多型体的混入，以提供缺陷很少或基本上没有缺陷的优质碳化硅晶锭、及由其制成的晶片等。