公开(公告)号：CN101331586A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200680047487.2

申请日：2006-12-18

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 青木由隆

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01F17/0006 ,  H01F2017/0046 ,  H01F2017/0073 ,  H01L23/5227 ,  H01L27/016 ,  H01L28/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的绝缘膜；以及薄膜电感器元件，其形成在所述绝缘膜上并包括第一端子、第二端子和导电层，所述导电层在所述第一端子和所述第二端子之间形成为螺旋形状，从而具有多匝和至少一个交点。所述导电层包括：(i)形成在所述半导体衬底上的第一导电层，以及(ii)形成在所述绝缘膜上的第二导电层，所述第二导电层在所述交点处隔着所述绝缘膜与所述第一导电层交叉。所述薄膜电感器元件具有如下设置，其中在沿所述导电层的长度方向从中点到所述第一端子和所述第二端子的方向上对称地设置所述第一导电层和所述第二导电层，所述中点是所述第一端子和所述第二端子之间的中点。

公开(公告)号：CN1162908C

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN00100863.3

申请日：2000-02-15

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 青木由隆 ,  三原一郎 ,  若林猛 ,  渡辺克己

IPC: H01L27/00 ,  H01L23/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/525 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置，包括：具有一电路元件形成区域和一连接垫的一半导体基底；通过插入的第一绝缘膜，设置在所述电路元件形成区域上的一阻挡层；通过插入的第二绝缘膜，设置在具有所述阻挡层的所述第一绝缘膜上，并被连接至所述连接垫的重布线；及设置在所述重布线上的一柱状电极。