玻璃基板及层叠基板
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109715572A

    公开(公告)日:2019-05-03

    申请号:CN201780056935.3

    申请日:2017-09-12

    Abstract: 本发明的第一发明涉及一种玻璃基板,碱金属氧化物的含量以氧化物基准的摩尔百分率计为0~0.1%,失透温度粘性为103.2dPa·s以上,30℃~220℃下的平均热膨胀系数α为7.80~9.00(ppm/℃)。本发明的第二发明涉及一种玻璃基板,碱金属氧化物的含量以氧化物基准的摩尔百分率计为0~0.1%,光弹性常数C为10~26nm/cm/Mpa,并且该玻璃基板用于半导体封装用的支撑基板。

    支承玻璃基板
    22.
    发明公开
    支承玻璃基板 审中-实审

    公开(公告)号:CN119461834A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411472733.5

    申请日:2020-06-05

    Abstract: 本发明实现了挠曲的抑制与轻量化。支承玻璃基板(10)的杨氏模量(GPa)相对于密度(g/cm3)的比率为37.0(GPa·cm3/g)以上,且是大于比率算出值的值,该比率算出值是根据组成而算出的杨氏模量(GPa)相对于密度(g/cm3)的比率。比率算出值由下式表示。α=2·Σ{(Vi·Gi)/Mi)·Xi}。这里,Vi为支承玻璃基板10中所含的金属氧化物的填充参数,Gi为支承玻璃基板(10)中所含的金属氧化物的解离能,Mi为支承玻璃基板(10)中所含的金属氧化物的分子量,Xi为支承玻璃基板10中所含的金属氧化物的摩尔比。

    无碱玻璃基板
    23.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115611510B

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202211424319.8

    申请日:2019-03-08

    Abstract: 本发明涉及一种无碱玻璃基板,其应变点为650℃以上,50~350℃的平均热膨胀系数为30×10-7~45×10-7/℃,以氧化物基准的质量%表示,含有54~66%的SiO2、10~25%的Al2O3、0.1~12%的B2O3、合计7~25%的选自MgO、CaO、SrO和BaO中的1种以上的成分,含有150~2000质量ppm的Na2O,至少一个主面的玻璃基板表面的Na2O量比玻璃基板内部的Na2O量少20质量ppm以上。

    基板、液晶天线和高频装置
    24.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118324411A

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202410326081.8

    申请日:2019-03-13

    Abstract: 本发明提供一种能够降低高频信号的介电损耗且能够在宽温度区域稳定地使用的基板。本发明涉及一种基板,20℃、10GHz下的介电损耗角正切(A)为0.1以下,20℃、35GHz下的介电损耗角正切(B)为0.1以下,并且由{‑40~150℃的任意温度、10GHz下的介电损耗角正切(C)/所述介电损耗角正切(A)}表示的比为0.90~1.10。另外,本发明涉及一种基板,20℃、10GHz下的相对介电常数(a)为4~10,20℃、35GHz下的相对介电常数(b)为4~10,并且由{‑40~150℃的任意温度、10GHz下的相对介电常数(c)/所述相对介电常数(a)}表示的比为0.993~1.007。

    无碱玻璃
    25.
    发明公开
    无碱玻璃 审中-实审

    公开(公告)号:CN117735832A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202311595930.1

    申请日:2020-02-07

    Abstract: 本发明涉及一种无碱玻璃,其中,以氧化物基准的摩尔%计,所述无碱玻璃包含63%~69%的SiO2、8%~13%的Al2O3、0.5%~4%的B2O3、8%~15%的MgO、4%~12%的CaO、0~4.5%的SrO、和0~1%的BaO,并且[MgO]/[CaO]为0.67~3.75,式(A)的值为84以上,式(B)的值为715以下,式(C)的值为200以下,式(D)的值为15以下。

    微晶玻璃、化学强化玻璃和半导体支撑基板

    公开(公告)号:CN117209156A

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202311147901.9

    申请日:2019-08-27

    Abstract: 本发明涉及微晶玻璃、化学强化玻璃和半导体支撑基板。本发明的目的在于提供透明性和化学强化特性优异的微晶玻璃以及热膨胀系数大、透明性和强度优异并且在破损时碎片不易飞散的化学强化玻璃。本发明涉及一种微晶玻璃,所述微晶玻璃的换算成厚度0.7mm时的可见光透射率和换算成厚度0.7mm时的雾度值在特定范围内,并且具有特定的组成;并且本发明涉及一种化学强化玻璃,所述化学强化玻璃在表面具有压应力层,并且换算成厚度0.7mm时的可见光透射率、换算成厚度0.7mm时的雾度值、表面压应力和压应力层深度在特定范围内,并且所述化学强化玻璃为具有特定的组成的微晶玻璃。

    无碱玻璃和玻璃板
    27.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117209138A

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202311155928.2

    申请日:2020-04-07

    Abstract: 本发明是一种无碱玻璃,以氧化物基准的摩尔百分率计,含有SiO257~70%、Al2O35~15%、B2O315~24%、MgO 0.2~10%、CaO 0.1~7%、SrO 0.1~2.5%、BaO 0~10%、ZnO 0~0.1%,由[Al2O3]/[B2O3]表示的式(A)的值超过0.35且为1.4以下。

    玻璃
    28.
    发明公开
    玻璃 审中-实审

    公开(公告)号:CN117088611A

    公开(公告)日:2023-11-21

    申请号:CN202310939131.5

    申请日:2019-03-13

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制玻璃基板的翘曲等变形且成型性优异、对制造设备的负担低、容易制造大型且较薄的玻璃基板的玻璃。本发明的玻璃的密度、杨氏模量、应变点、玻璃粘度成为104dPa·s的温度T4、玻璃表面失透温度(Tc)、热膨胀系数在规定范围内,SiO2、Al2O3、选自Li2O、Na2O和K2O中的至少1种碱金属氧化物以及P2O5的含量在规定的范围内。

    微晶玻璃、化学强化玻璃和半导体支撑基板

    公开(公告)号:CN116693202A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202310803785.5

    申请日:2019-08-27

    Abstract: 本发明涉及微晶玻璃、化学强化玻璃和半导体支撑基板。本发明的目的在于提供透明性和化学强化特性优异的微晶玻璃以及热膨胀系数大、透明性和强度优异并且在破损时碎片不易飞散的化学强化玻璃。本发明涉及一种微晶玻璃,所述微晶玻璃的换算成厚度0.7mm时的可见光透射率和换算成厚度0.7mm时的雾度值在特定范围内,并且具有特定的组成;并且本发明涉及一种化学强化玻璃,所述化学强化玻璃在表面具有压应力层,并且换算成厚度0.7mm时的可见光透射率、换算成厚度0.7mm时的雾度值、表面压应力和压应力层深度在特定范围内,并且所述化学强化玻璃为具有特定的组成的微晶玻璃。

    玻璃基板、黑色矩阵基板和显示面板

    公开(公告)号:CN116282905A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310259391.8

    申请日:2019-08-29

    Abstract: 本发明涉及玻璃基板、黑色矩阵基板和显示面板。本发明涉及一种玻璃基板,其具有一对主表面和端面,其中,将从主表面起算的深度0.1μm~深度0.3μm的区域内的Sn原子浓度设为玻璃基板表层部的Sn原子浓度、并将从主表面起算的深度9.0μm~深度9.2μm的区域内的Sn原子浓度设为玻璃基板内部的Sn原子浓度时,在至少一个主表面中,通过从玻璃基板表层部的Sn原子浓度中减去玻璃基板内部的Sn原子浓度而求出的表层扩散Sn原子浓度为2.0×1018原子/cm3以上且1.4×1019原子/cm3以下。

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