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公开(公告)号:CN113314501A
公开(公告)日:2021-08-27
申请号:CN202110586414.7
申请日:2018-12-07
Applicant: 高通股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L27/02 , H01L27/118 , H01L29/06
Abstract: 本申请涉及用于栅极绑定关断的新颖标准单元架构。根据本公开的某些方面,一种芯片包括:第一栅极、第二栅极、第一源极、设置在第一源极上的第一源极触点、在第一源极触点和第一栅极上方的金属互连、将第一栅极电耦合至该金属互连的第一栅极触点、以及将第一源极触点电耦合至该金属互连的第一通孔。该芯片还包括电源轨以及将第一源极触点电耦合至该电源轨的第二通孔。第二栅极处于第一源极与第一栅极之间,并且金属互连在第二栅极上方通过。
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公开(公告)号:CN111684592B
公开(公告)日:2021-05-11
申请号:CN201880088197.5
申请日:2018-12-07
Applicant: 高通股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/118
Abstract: 根据本公开的某些方面,一种芯片包括:第一栅极、第二栅极、第一源极、设置在第一源极上的第一源极触点、在第一源极触点和第一栅极上方的金属互连、将第一栅极电耦合至该金属互连的第一栅极触点、以及将第一源极触点电耦合至该金属互连的第一通孔。该芯片还包括电源轨以及将第一源极触点电耦合至该电源轨的第二通孔。第二栅极处于第一源极与第一栅极之间,并且金属互连在第二栅极上方通过。
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公开(公告)号:CN110036477B
公开(公告)日:2020-10-13
申请号:CN201780075100.2
申请日:2017-12-08
Applicant: 高通股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L23/528 , H01L27/118
Abstract: 一种IC的MOS器件,包括pMOS和nMOS晶体管。MOS器件进一步包括:第一Mx层互连,其沿第一方向延伸并且将pMOS和nMOS晶体管漏极耦合在一起;以及第二Mx层互连,其沿第一方向延伸并且将pMOS和nMOS晶体管漏极耦合在一起。第一和第二Mx层互连是平行的。MOS器件进一步包括沿与第一方向正交的第二方向延伸的第一Mx+1层互连。第一Mx+1层互连被耦合到第一Mx层互连和第二Mx层互连。MOS器件进一步包括沿第二方向延伸的第二Mx+1层互连。第二Mx+1层互连被耦合到第一Mx层互连和第二Mx层互连。第二Mx+1层互连与第一Mx+1层互连平行。
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公开(公告)号:CN111108770A
公开(公告)日:2020-05-05
申请号:CN201880061270.X
申请日:2018-09-27
Applicant: 高通股份有限公司
Abstract: 公开了用于在针对无线通信启用状态压缩时对数据分组进行优先排序的方法和装置。例如,所述方面包括接收按照用于传输的第一顺序调度的多个数据分组。所述方面还包括将多个数据分组中的一个或多个数据分组优先排序为一个或多个经优先排序的数据分组,按照与用于传输的第一顺序不同的顺序调度每个经优先排序的数据分组以用于传输。所述方面还包括将多个数据分组中的一个或多个未经优先排序的数据分组压缩为一个或多个经压缩的未经优先排序的数据分组。所述方面还包括按照第二顺序调度一个或多个经优先排序的数据分组和一个或多个经压缩的未优先排序的数据分组以用于传输,第二顺序与第一顺序不同。
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公开(公告)号:CN106537590B
公开(公告)日:2019-11-05
申请号:CN201580037925.6
申请日:2015-06-24
Applicant: 高通股份有限公司
IPC: H01L27/112 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/792
Abstract: 一种装置包括金属栅极、基板材料、以及该金属栅极与该基板材料之间的氧化层。该氧化层包括接触金属栅极的二氧化铪层以及接触基板材料并接触该二氧化铪层的二氧化硅层。该金属栅极、基板材料、以及氧化层被包括在一次性可编程(OTP)存储器器件中。该OTP存储器器件包括晶体管。该OTP存储器器件的非易失性状态基于该OTP存储器器件的阈值电压移位。
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公开(公告)号:CN110036477A
公开(公告)日:2019-07-19
申请号:CN201780075100.2
申请日:2017-12-08
Applicant: 高通股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L23/528 , H01L27/118
Abstract: 一种IC的MOS器件,包括pMOS和nMOS晶体管。MOS器件进一步包括:第一Mx层互连,其沿第一方向延伸并且将pMOS和nMOS晶体管漏极耦合在一起;以及第二Mx层互连,其沿第一方向延伸并且将pMOS和nMOS晶体管漏极耦合在一起。第一和第二Mx层互连是平行的。MOS器件进一步包括沿与第一方向正交的第二方向延伸的第一Mx+1层互连。第一Mx+1层互连被耦合到第一Mx层互连和第二Mx层互连。MOS器件进一步包括沿第二方向延伸的第二Mx+1层互连。第二Mx+1层互连被耦合到第一Mx层互连和第二Mx层互连。第二Mx+1层互连与第一Mx+1层互连平行。
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公开(公告)号:CN109478550A
公开(公告)日:2019-03-15
申请号:CN201780042853.3
申请日:2017-07-12
Applicant: 高通股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/118 , H01L27/092 , H03K19/177 , H03K19/00 , H03K19/003
Abstract: 标准单元IC可以包括多个pMOS晶体管,每个pMOS晶体管包括pMOS晶体管漏极、pMOS晶体管源极和pMOS晶体管栅极。多个pMOS晶体管中的每个pMOS晶体管漏极和pMOS晶体管源极可以耦接到第一电压源。标准单元IC还可以包括多个nMOS晶体管,每个nMOS晶体管包括nMOS晶体管漏极、nMOS晶体管源极和nMOS晶体管栅极。多个nMOS晶体管中的每个nMOS晶体管漏极和nMOS晶体管源极耦接到比第一电压源低的第二电压源。
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公开(公告)号:CN105580475B
公开(公告)日:2018-12-18
申请号:CN201480052479.1
申请日:2014-09-24
Applicant: 高通股份有限公司
CPC classification number: H04W16/10 , H04W8/18 , H04W16/14 , H04W72/1215 , H04W84/047 , H04W88/04 , H04W88/06 , H04W88/10
Abstract: 网络配置器可动态地配置设备来耦合无线网络中的其他设备之间的网络数据。各设备可包括能各自在不同频带(如2.4GHz和5GHz频带)内操作的两个独立的无线收发机。独立的无线收发机的配置可至少部分地基于无线收发机的设备能力、信道条件、以及与无线网络中的其他无线站相关联的服务质量。
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