一种LaSrMnCo共掺铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN107021649B

    公开(公告)日:2019-06-07

    申请号:CN201710253946.2

    申请日:2017-04-18

    Abstract: 本发明提供了一种LaSrMnCo共掺铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法,用晶体结构为三方结构,空间群为R3c:H和R3m:R共存的不同La浓度掺杂铁酸铋薄膜制备出Bi0.94La0.03Sr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3/Bi0.91La0.06Sr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3超晶格薄膜,即LaSrMnCo共掺铁酸铋超晶格薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺,并采用旋涂和层层退火法,设备要求简单,适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜,且化学组分精确可控,可改善BiFeO3薄膜的多铁性能。

    一种高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN105859152B

    公开(公告)日:2018-08-14

    申请号:CN201610201240.7

    申请日:2016-03-31

    Abstract: 本发明提供了一种高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜及其制备方法,该薄膜包括复合在一起的CoFe2O4和Bi0.96Sr0.04Fe1‑x‑yMnxCoyO3,x=0~0.04,y=0~0.02,且x、y不同时为0。制备时先配制CoFe2O4前驱液和Bi0.96Sr0.04FeO3基薄膜前驱液,然后用旋涂法和逐层退火的工艺在FTO基板上制备磁性CoFe2O4薄膜,再在CoFe2O4上制备Bi0.96Sr0.04FeO3基薄膜,形成高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜。本发明通过离子掺杂和与磁性CoFe2O4薄膜进行复合,大幅度提高了薄膜的介电、铁电和铁磁性能,还有效的降低了薄膜的漏电流密度。

    一种GdSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN107032631A

    公开(公告)日:2017-08-11

    申请号:CN201710253909.1

    申请日:2017-04-18

    Abstract: 本发明提供了一种GdSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜及其制备方法,以硝酸铋、硝酸钆、硝酸锶、硝酸铁、醋酸锰和硝酸钴为原料(硝酸铋过量5%),以乙二醇甲醚和乙酸酐为溶剂,用旋涂法和层层退火的工艺制备了Bi0.97‑xGdxSr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3多铁薄膜,即GdSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺,并采用旋涂和层层退火法,设备要求简单,实验条件易于实现,适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜,且化学组分精确可控,可改善BiFeO3薄膜的多铁性能,制得的GdSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜均匀性较好,并具有随外加电压变化的铁电稳定性。

    一种( 012)晶面择优取向的Bi1-xYbxFe0.98Mn0.02O3铁电薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN106517814A

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201610890214.X

    申请日:2016-10-12

    Abstract: 本发明提供了一种(012)晶面择优取向的Bi1-xYbxFe0.98Mn0.02O3铁电薄膜及其制备方法。以硝酸盐和醋酸锰等为原料,乙二醇甲醚和乙酸酐为溶剂制备前驱液,再在FTO基板上采用旋涂和逐层退火工艺制备Bi1-xYbxFe0.98Mn0.02O3薄膜。制得的薄膜沿(012)晶面择优取向生长,其漏电流密度相比纯BFO薄膜减小了2~3个数量级,显著降低了BFO薄膜的漏电流密度,改善了BFO薄膜的铁电性能。本发明采用溶胶-凝胶法制备薄膜,设备要求简单,适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜,制备的薄膜均匀性较好,且化学组分精确可控。通过离子掺杂,有效地提高了薄膜的铁电和铁磁性能。

    一种2-2型BiFeO3-CuFe2O4复合薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN105859273A

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201610187898.7

    申请日:2016-03-29

    CPC classification number: C04B35/26 C04B2235/3281 C04B2235/3298

    Abstract: 本发明提供了一种2?2型BiFeO3?CuFe2O4复合薄膜及其制备方法,先分别配制CuFe2O4前驱液和BiFeO3前驱液;然后在基片上旋涂制备多层CuFe2O4薄膜,再在CuFe2O4薄膜上旋涂制备多层BiFeO3薄膜,即得到BiFeO3?CuFe2O4复合薄膜。本发明采用溶胶凝胶法,制备的薄膜均匀性好,且化学组分精确可控,将BiFeO3薄膜与强磁性尖晶石结构的CuFe2O4薄膜复合,得到的BiFeO3?CuFe2O4复合薄膜的饱和磁化强度Ms为25.8emu/cm3,剩余磁化强度Mr为17.8emu/cm3;同时其介电损耗频谱出现符合麦克斯韦?瓦格纳介电弛豫;薄膜的漏电流在正向偏压下存在一个电阻滞后现象。

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