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公开(公告)号:CN105819848A
公开(公告)日:2016-08-03
申请号:CN201610187623.3
申请日:2016-03-29
Applicant: 陕西科技大学
CPC classification number: C04B35/2658 , C04B35/2666 , C04B35/624 , C04B2235/3262 , C04B2235/3275 , C04B2235/76 , C04B2235/761 , H01F10/20 , H01F41/22 , H01F41/24
Abstract: 本发明提供了一种尖晶石型Co1?xMnxFe2O4铁磁性薄膜及其制备方法,包括以下步骤:将硝酸钴、醋酸锰和硝酸铁按摩尔比为1?x:x:2(x=0.1~0.5)溶于乙二醇甲醚和醋酸酐中,搅拌得到Co1?xMnxFe2O4前驱液,用旋涂法和逐层退火的工艺在基片上制备出致密度高晶粒尺寸均匀的沿(311)晶面择优取向生长的尖晶石型Co1?xMnxFe2O4铁磁性薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺,设备要求简单,实验条件容易达到,适宜大面积成膜,且化学组分精确可控,并且可通过Mn元素掺杂量对Co1?xMnxFe2O4铁磁性薄膜的铁磁性能进行调控。
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公开(公告)号:CN107021649B
公开(公告)日:2019-06-07
申请号:CN201710253946.2
申请日:2017-04-18
Applicant: 陕西科技大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明提供了一种LaSrMnCo共掺铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法,用晶体结构为三方结构,空间群为R3c:H和R3m:R共存的不同La浓度掺杂铁酸铋薄膜制备出Bi0.94La0.03Sr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3/Bi0.91La0.06Sr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3超晶格薄膜,即LaSrMnCo共掺铁酸铋超晶格薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺,并采用旋涂和层层退火法,设备要求简单,适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜,且化学组分精确可控,可改善BiFeO3薄膜的多铁性能。
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公开(公告)号:CN105859152B
公开(公告)日:2018-08-14
申请号:CN201610201240.7
申请日:2016-03-31
Applicant: 陕西科技大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明提供了一种高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜及其制备方法,该薄膜包括复合在一起的CoFe2O4和Bi0.96Sr0.04Fe1‑x‑yMnxCoyO3,x=0~0.04,y=0~0.02,且x、y不同时为0。制备时先配制CoFe2O4前驱液和Bi0.96Sr0.04FeO3基薄膜前驱液,然后用旋涂法和逐层退火的工艺在FTO基板上制备磁性CoFe2O4薄膜,再在CoFe2O4上制备Bi0.96Sr0.04FeO3基薄膜,形成高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜。本发明通过离子掺杂和与磁性CoFe2O4薄膜进行复合,大幅度提高了薄膜的介电、铁电和铁磁性能,还有效的降低了薄膜的漏电流密度。
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公开(公告)号:CN107032631A
公开(公告)日:2017-08-11
申请号:CN201710253909.1
申请日:2017-04-18
Applicant: 陕西科技大学
IPC: C03C17/25 , C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种GdSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜及其制备方法,以硝酸铋、硝酸钆、硝酸锶、硝酸铁、醋酸锰和硝酸钴为原料(硝酸铋过量5%),以乙二醇甲醚和乙酸酐为溶剂,用旋涂法和层层退火的工艺制备了Bi0.97‑xGdxSr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3多铁薄膜,即GdSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺,并采用旋涂和层层退火法,设备要求简单,实验条件易于实现,适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜,且化学组分精确可控,可改善BiFeO3薄膜的多铁性能,制得的GdSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜均匀性较好,并具有随外加电压变化的铁电稳定性。
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公开(公告)号:CN106517814A
公开(公告)日:2017-03-22
申请号:CN201610890214.X
申请日:2016-10-12
Applicant: 陕西科技大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明提供了一种(012)晶面择优取向的Bi1-xYbxFe0.98Mn0.02O3铁电薄膜及其制备方法。以硝酸盐和醋酸锰等为原料,乙二醇甲醚和乙酸酐为溶剂制备前驱液,再在FTO基板上采用旋涂和逐层退火工艺制备Bi1-xYbxFe0.98Mn0.02O3薄膜。制得的薄膜沿(012)晶面择优取向生长,其漏电流密度相比纯BFO薄膜减小了2~3个数量级,显著降低了BFO薄膜的漏电流密度,改善了BFO薄膜的铁电性能。本发明采用溶胶-凝胶法制备薄膜,设备要求简单,适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜,制备的薄膜均匀性较好,且化学组分精确可控。通过离子掺杂,有效地提高了薄膜的铁电和铁磁性能。
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公开(公告)号:CN105859273A
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201610187898.7
申请日:2016-03-29
Applicant: 陕西科技大学
IPC: C04B35/26
CPC classification number: C04B35/26 , C04B2235/3281 , C04B2235/3298
Abstract: 本发明提供了一种2?2型BiFeO3?CuFe2O4复合薄膜及其制备方法,先分别配制CuFe2O4前驱液和BiFeO3前驱液;然后在基片上旋涂制备多层CuFe2O4薄膜,再在CuFe2O4薄膜上旋涂制备多层BiFeO3薄膜,即得到BiFeO3?CuFe2O4复合薄膜。本发明采用溶胶凝胶法,制备的薄膜均匀性好,且化学组分精确可控,将BiFeO3薄膜与强磁性尖晶石结构的CuFe2O4薄膜复合,得到的BiFeO3?CuFe2O4复合薄膜的饱和磁化强度Ms为25.8emu/cm3,剩余磁化强度Mr为17.8emu/cm3;同时其介电损耗频谱出现符合麦克斯韦?瓦格纳介电弛豫;薄膜的漏电流在正向偏压下存在一个电阻滞后现象。
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公开(公告)号:CN105845316A
公开(公告)日:2016-08-10
申请号:CN201610187622.9
申请日:2016-03-29
Applicant: 陕西科技大学
IPC: H01F10/20 , H01F41/24 , H01F41/22 , C04B35/26 , C04B35/30 , C04B35/622 , C04B35/624
CPC classification number: H01F10/20 , C04B35/265 , C04B35/62222 , C04B35/624 , C04B2235/763 , H01F41/22 , H01F41/24
Abstract: 本发明提供了一种尖晶石型Zn1?xNixFe2O4顺磁性和铁磁性薄膜及其制备方法,包括以下步骤:将硝酸锌、乙酸镍和硝酸铁按摩尔比溶于乙二醇甲醚和醋酸酐中,搅拌得到均匀前驱液,用旋涂法和逐层退火的工艺在基片上制备出致密度高晶粒尺寸均匀的顺磁性和铁磁性的Zn1?xNixFe2O4薄膜,x=0.1~0.7;且当x=0.1时该薄膜表现为超顺磁特性,当x=0.3~0.7时该薄膜表现为铁磁特性。本发明采用溶胶凝胶工艺,设备要求简单,适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜,且化学组分精确可控,并且可通过元素掺杂量的变化对薄膜的顺磁性和铁磁性进行调控。
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公开(公告)号:CN105837199A
公开(公告)日:2016-08-10
申请号:CN201610202154.8
申请日:2016-03-31
Applicant: 陕西科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/624
CPC classification number: C04B35/453 , C04B35/62218 , C04B35/624 , C04B2235/3213 , C04B2235/3244 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/96
Abstract: 本发明提供了一种Bi0.96Sr0.04Fe0.98?xMnxCo0.02O3多铁薄膜及其制备方法。以硝酸盐和醋酸锰等为原料,乙二醇甲醚和醋酸酐为溶剂。在基片上采用旋涂法和逐层退火的工艺制备了Bi0.96Sr0.04Fe0.98?xMnxCo0.02O3多铁薄膜。本发明采用溶胶-凝胶工艺,设备要求简单,适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜,制备的薄膜均匀性较好,且化学组分精确可控。通过离子掺杂,有效地提高了薄膜的铁电和铁磁性能。该薄膜在最大测试电场为700kV/cm的电场下,剩余极化强度为102~170μC/cm2,矫顽场为290~463kV/cm;室温下,该薄膜的饱和磁化值为2.85~3.8emu/cm3,剩余磁化值为0.38~0.5emu/cm3。
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公开(公告)号:CN105632756A
公开(公告)日:2016-06-01
申请号:CN201610188296.3
申请日:2016-03-29
Applicant: 陕西科技大学
Abstract: 本发明提供了一种尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜及其制备方法,将硝酸铜和硝酸铁按摩尔比为1:2溶于乙二醇甲醚和醋酸酐中,搅拌得到均匀的CuFe2O4前驱液,用旋涂法和逐层退火的工艺在基片上制备出致密度高、晶粒尺寸均匀的尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺,设备要求简单,适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜,且化学组分精确可控。本发明制得的尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜的饱和磁化强度Ms=110emu/cm3,剩余磁化强度Mr=71emu/cm3,矫顽Hc=810Oe。
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