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公开(公告)号：CN111834389B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202010535556.6
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种μLED显示器件检测及修复方法，μLED显示器件阵列设置k个μLED像素，每个像素包含ni个芯片，以形成至少mi个发光体；μLED显示器件检测及修复包括以下步骤：S1）采用直接电学接触电流注入的逐点扫描或无直接电学接触的电场驱动方式对芯片进行驱动发光；S2）通过逐点扫描或拍摄处理发光图片获得不良像素的行列地址；S3）根据不良像素的行列地址进行寻址，采用非Au‑In互连方法在相应位置的芯片电极的备用区域与驱动背板对应电极的备用区域进行原位修复；S4）重复S1‑S3，直至良品率达到预期良率。该方法降低了μLED显示器件的制作难度、制作周期和制作成本，提高了μLED显示器件的良品率。
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公开(公告)号：CN111834390B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202010535701.0
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种全彩化三极发光管显示器件及制造方法，包括缓冲层、设置于缓冲层上的第一半导体层、以及设置于第一半导体层上的第一接触电极、用以显示红光的R单元、用以显示绿光的G单元和用于显示蓝光的B单元。在所述第一接触电极和R单元、G单元、B单元中的第二接触电极之间分别施加一个小功率可变输入信号，在所述第一接触电极和R单元、G单元、B单元中的第三接触电极之间分别施加一个正向偏置电压，使得R单元、G单元和B单元发光。本发明可以实现用小功率输入信号驱动发光芯片发光而激发色彩转换层，从而实现全彩化显示。
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公开(公告)号：CN113684026B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202111084146.5
申请日：2021-09-16
Abstract: 本发明涉及一种基于阴离子交换合成全光谱钙钛矿量子点的方法，包括以下步骤：步骤S1:获取CsPbBr3钙钛矿量子点母液；步骤S2:将阴离子交换树脂分别与Cl离子和I离子的无机盐溶液混合，获取Cl型和I型阴离子交换树脂；步骤S3:将CsPbBr3钙钛矿量子点母液与Cl型和I型阴离子交换树脂分别按照预设比例混合，并进行进行纯化处理，分别得到实现绿色光谱至近紫色光谱转变的CsPbBrxCl3‑x和实现绿色光谱至红色光谱转变的CsPbBrxI3‑x。本发明采用阴离子交换树脂作为钙钛矿量子点阴离子交换的媒介，在不引入非发光杂质的前提下在全光谱范围内（400nm‑700nm）对荧光发射光谱实现纳米级精确调控。
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公开(公告)号：CN112951103B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202110115072.0
申请日：2021-01-27
Abstract: 本发明涉及一种提升子像素发光均衡的Micro‑LED制造方法，该方法包括：在阵列基板的受光面涂覆光刻胶；调整掩膜版，使掩膜版的透光区对应至每个显示像素；维持掩膜版与阵列基板相对位置不变，采用入射方向不同的三组光源同时透过掩膜版的透光区对不同组别的子像素进行曝光；其中，每组光源对应一组相同颜色的子像素，每组光源的光照强度和光照时间根据与该组光源对应颜色的子像素需填充的量子点胶体体积决定；使用显影液对阵列基板上的光刻胶进行第一时间的溶解；烘干阵列基板，并对子像素进行刻蚀形成三种深度不同的储液槽。该方法有利于提高子像素的发光亮度均衡，提升显示效果。
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公开(公告)号：CN111834505B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202010536568.0
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种基于波长下转换的三极发光管，包括从下至上依次设置的衬底、缓冲层、三极管、发光芯片和色彩转换层；所述三极管包括从下至上依次设置的第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层，还包括从第一半导体层引出的第一接触电极和从第二半导体层内引出的第二接触电极；所述发光芯片包括从下至上依次设置第三半导体层、发光层和第四半导体层，以及从第四半导体层内引出的第三接触电极；所述色彩转换层包括从下至上依次设置光转换层和分布式布拉格反射层。本发明对输入信号功率放大，实现小功率输入信号驱动发光芯片激发色彩转换层而实现色彩转换；同时，有效降低发光器件的驱动电路设计复杂度，提高显示装置的集成度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113471091A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110532053.8
申请日：2021-05-17
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提出一种LED芯片无损阵列检测装置及方法，带有第一导电板的第一基板、带有第二导电板的第二基板、光信号检测系统、电信号检测系统和供电系统；所述第一导电层包括微电极阵列、行电极、列电极，以及用于分隔行、列电极的绝缘层；所述行电极与微电极阵列相连，所述列电极在水平方向上靠近但不接触微电极阵列；所述第二基板用于承载待测LED芯片；所述微电极阵列用于对应第二基板上表面的LED芯片阵列；所述第一基板在垂直方向靠近但不接触待测LED芯片。其每次只检测一颗LED芯片，可以同时完成对单颗LED芯片的电信号和光信号的采集，避免了传统LED芯片检测过程中，探针对LED芯片的损害，有利于提高检测芯片使用可靠性，延长LED芯片实际使用寿命。
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公开(公告)号：CN113467135A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110673338.3
申请日：2021-06-17
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1341 , G02F1/1339 , G02F1/1337
Abstract: 本发明涉及一种用于光场成像的双层液晶透镜及方法，包括从上至下依次设置的第一控制层、第二控制层和第三控制层；所述第一控制层和第二控制层之间设置有第一液晶层；所述第二控制层和第三控制层之间设置有第二液晶层；所述双层液晶透镜还设有第一驱动模块和第二驱动模块；所述所述第一驱动模块一端连接第一控制层、另一端连接第二控制层；所述第二驱动模块一端连接第二控制层、另一端连接第三控制层。本发明制作工艺简单，可自由切换标准光场成像和聚焦光场成像的两种模式，同时能提高光场成像系统的景深。
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公开(公告)号：CN113299678A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110398179.0
申请日：2021-04-14
Abstract: 本发明涉及一种集成封装微显示芯片，其特征在于，包括衬底，蓝光Micro‑LED子像素、红光Micro‑OLED或Micro‑QLED子像素和红光Micro‑OLED或Micro‑QLED子像素；所述Micro‑LED子像素的n电极与Micro‑OLED或Micro‑QLED的其中一个电极相连，Micro‑LED子像素的p电极、红光Micro‑OLED或Micro‑QLED的另一个电极、绿光Micro‑OLED或Micro‑QLED的另一个电极分别引出，形成四个集成封装微显示芯片的引出电极。本发明将蓝光Micro‑LED子像素和红光Micro‑OLED或Micro‑QLED子像素以及绿光Micro‑OLED或Micro‑QLED子像素相结合，并通过晶圆级集成封装成一个较大尺寸的具有三基色可控发光的微显示像素芯片。
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公开(公告)号：CN113299228A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110388578.9
申请日：2021-04-12
Abstract: 本发明涉及一种基于GaN的多功能集成半导体显示器件，所述半导体显示器件包括从上至上依次设置的蓝宝石衬底、半导体缓冲层、第一半导体层和像素单元；所述半导体显示器件每个像素单元均包括LED发光结构、开关驱动元器件、多量子阱光电探测器件、光波导和信号感知传感器。本发明实现用小功率输入信号驱动半导体发光，可以有效降低基于半导体发光显示装置的驱动电路设计复杂度，提高显示装置和功能的集成度。
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公开(公告)号：CN112904620A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110107547.1
申请日：2021-01-27
IPC: G02F1/1337
Abstract: 本发明提出一种双畴光配向LCD光路系统，包括：光源模组，用于提供入射方向不同的两组双畴配向光源；掩膜版模组，包括:带有透光区和非透光区的掩膜版；待配向基板，包括：两组不同配向角的配向区；所述配向角与双畴配向光源的入射方向相对应；每个所述透光区对应待配向基板的一个显示像素，每个所述显示像素包括两个不同配向角的配向区；所述掩膜版设置于待配向基板与光源模组之间，且掩膜版的透光区的中心位置在待配向基板上的投影位于同一个显示像素中两个配向区的中间。旨在解决在双畴光配向过程中掩膜版的对位误差问题以及减少曝光次数增加产能。
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