公开(公告)号：CN112820775A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN202110018192.9

申请日：2021-01-07

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  黄元熙 ,  黄垚 ,  李顺 ,  黄义 ,  张红升

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种具有电子积累效应的SOI‑LDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件包括LDMOS结构、PNP结构、氧化隔离层、金属铝和衬底；LDMOS结构位于氧化隔离层前方，从左至右依次是源极P+区、源极N+区、P‑body、漂移区、漏极N+区；PNP结构位于氧化隔离层后方，从左至右依次是栅极P+区、栅极P区、漂移区、漏极N+区、漏极P+区；金属铝设置在氧化隔离层的右上角，连接着氧化隔离层前方的漏极N+区和氧化隔离层后方的漏极P+区；P‑body、栅极P+区、栅极P区、漂移区和氧化隔离层的正下方是衬底。本发明器件在降低比导通电阻Ron,sp的同时，还能保持较高的击穿电压。

公开(公告)号：CN111769159A

公开(公告)日：2020-10-13

申请号：CN202010658965.5

申请日：2020-07-09

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 黄义 ,  李顺 ,  黄垚 ,  黄元熙 ,  贺利军 ,  张红升 ,  陈伟中

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种具有多晶硅电子通道的SA-LIGBT器件，属于半导体技术领域。该器件包括P型衬底、SOI隔离层、阴极、P+阴极、P-body、N+电子发射极、栅极、栅氧化层、N型漂移区和阳极区域；阳极区域从左至右包括N-buffer、P+阳极、阳极、多晶硅层、N+阳极和阳极，还包括设置在多晶硅层左/右侧下表面的浮空层，以及设置在多晶硅层下表面的二氧化硅隔离层，其中浮空层与二氧化硅隔离层左/右接触。本发明器件正向导通时，通过调节多晶硅层的掺杂浓度改变电子流动路径上的电阻，进而抑制snapback效应。关断时，漂移区中的大量电子可通过多晶硅层电子通道被N+阳极迅速抽取，有效降低了器件的关断损耗。

公开(公告)号：CN109742090A

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201910023563.5

申请日：2019-01-10

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  李顺 ,  黄义 ,  贺利军 ,  秦窈

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明公开了一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC-LIGBT器件，包括左右两边呈对称结构且共用一个发射极的LDMOS有源区以及LIGBT有源区；LDMOS有源区沟道受栅极Ⅰ控制，LIGBT有源区沟道受栅极Ⅱ控制，金属集电极Ⅰ与金属集电极Ⅱ相连。具有以下优点：在正向导通时消除snapback效应；由于LDMOS区中集电极N-Collector的存在，在反向导通时使其具有反向导通能力，由于无集电极P-Collector对电流的阻挡作用，复合型RC-LIGBT的反向导通能力优于传统RC-LIGBT。本发明的复合型RC-LIGBT工艺与传统RC-LIGT工艺兼容，只需要版图设计，无需额外工艺。