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公开(公告)号：CN117110822A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311165026.7
申请日：2023-09-11
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明属于LED灯故障检测电路技术领域，尤其是面向PPG信号监测的LED灯故障检测电路，针对现有的面向微弱的脉搏波信号信号监测模拟前端电路中的LED驱动电路的故障检测所存在的功耗大、面积大、不易于集成问题，现提出如下方案，其包括开关S5和数模转换电路，所述开关S5连接有下拉电阻R1，下拉电阻R1连接有下拉电阻R2，下拉电阻R2连接有开关S6，开关S6连接有开关S4和开关S2，开关S2连接有开关S1，所述开关S1连接有开关S3，本发明通过基于下拉电阻的电压检测法对LED驱动电路的输出结点进下拉检测比较，来降低故障检测电路的复杂度，增加了检测精度，并且减小了面积和功耗。
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公开(公告)号：CN110162854B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201910383087.8
申请日：2019-05-09
Applicant: 重庆大学
IPC: G06F30/30
Abstract: 本发明公开了一种高速自适应判决反馈均衡器，该高速自适应判决反馈均衡器包括以下框图结构：偶通道Out‑even、奇通道Out‑odd、触发器DFF1、触发器DFF2、数据选择器MUX1、数据选择器MUX2、采样器Dp‑0、采样器Dp‑1、采样器Dn‑0和采样器Dn‑1。有益效果：在保证信号和噪声能够有效分离的前提条件下，判决反馈器用超高速的线性加法器大大提升了数据传输的效率，不仅减小了芯片设计的面积，而且能够有效的降低码间干扰的影响，保证了数据传输过程中的准确性，极大的提升了均衡器的性能，符合通信电路对信号传输的高速率要求。
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公开(公告)号：CN114092863A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111423512.5
申请日：2021-11-26
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及计算机视觉图像处理技术领域，具体涉及一种用于多视角视频图像的人体动作评估方法，包括：获取测试者多个视角下的待测视频；从各个视角下的待测视频中分别选取关键视频帧；将各个视角下的关键视频帧进行拼接，得到对应的多视角拼接视频；基于多视角拼接视频从多视角的模板视频中选取对应的模板视频帧来构建多视角模板视频；基于多视角拼接视频和对应的多视角模板视频完成人体动作评估，以生成对应的动作评结果。本发明提供了一种能够应用于多视角视频图像的人体动作评估方法，以能够解决因拍摄视角局限而导致动作被遮挡的问题，从而能够提升人体动作评估的效果。
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公开(公告)号：CN111816697A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010677603.0
申请日：2020-07-14
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种具有集成隧穿二极管的IGBT器件，属于半导体功率器件领域。该IGBT器件包括：集电极金属、P型集电区、N型场终止层、N型漂移区、P型埋层、N型载流子存储层、P型体区、P+源区、N+源区、发射极金属、介质隔离区、栅氧化层、多晶硅栅、浮空电极、P型阱区、N+隧穿区。本发明在不降低器件击穿电压以及几乎不增加器件的工艺难度的条件下，能够通过增加N型载流子存储层的浓度来降低器件的导通压降，并且还能够降低器件的弥勒电容以及饱和电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108231903B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201810072735.3
申请日：2018-01-24
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明涉及一种带软恢复体二极管的超结功率MOSFET，属于半导体功率器件技术领域，通过在现有的超结功率MOSFET中设置新的耐压层，改变衬底区的结构，或增加缓冲区以及辅助区，有效地提高寄生体二极管反向恢复电流的软度，改善反向恢复特性，同时不增加器件的比导通电阻。反向恢复电流软度的提高使得器件在开关过程中不易产生振荡，抑制了电磁干扰信号，器件工作更加安全可靠。因此，本发明超结功率MOSFET器件特别适用于逆变器硬开关电路。
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公开(公告)号：CN110022277A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910383097.1
申请日：2019-05-09
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种功耗可调节的连续时间线性均衡器，包括连续时间线性均衡器电路CTLE和与连续时间线性均衡器电路CTLE连接的MOS管偏置电路Bias2，其中，MOS管偏置电路Bias2由A电路部分和与A电路部分连接的B电路部分组成，B电路部分由依次连接的若干子电路组成，若干子电路中的第一子电路依次与A电路部分及第二子电路连接，若干子电路中的第n子电路依次与连续时间线性均衡器电路CTLE连接及第二子电路连接。有益效果：在连续时间线性均衡器结构功能不变的前提下，设计的偏置电路用于调节均衡器的静态偏置电流，实现均衡器功耗可调节。
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公开(公告)号：CN108288649A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201810137190.X
申请日：2018-02-10
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种超结功率MOSFET，属于半导体功率器件技术领域，其具有第一种导电类型的MOSFET及第二种导电类型的双极结型晶体管，并通过第一种导电类型的MOSFET及受所述MOSFET驱动的第二种导电类型的双极结型晶体管使第一种导电类型和第二种导电类型的载流子分别在所述半导体第一漂移区和所述半导体第二漂移区中流动，同时通过所述半导体少子阻挡区阻挡第二种导电类型的载流子进入所述半导体第一漂移区中，从而避免在所述耐压层中形成电导调制。本发明达到了在超结MOSFET中实现了两种载流子同时参与导电且保证同时不形成电导调制的目的。
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公开(公告)号：CN105305970B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201510807984.9
申请日：2015-11-19
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种低功耗动态跨导补偿Class‑AB音频功率放大器，包括套筒式输入级、电流折叠式第二级和推挽式Class‑AB第三级，所述套筒式输入级的输出端通过电容Cm1与推挽式Class‑AB第三级的输出端连接，所述电流折叠式第二级的输出端通过补偿电容与推挽式Class‑AB第三级的输出端连接；所述电流折叠式第二级包括电流检测电路，所述电流检测电路用于检测推挽式Class‑AB第三级的输出电流信号，所述电流检测电路包括第一输入端、第二输入端、第一输出端、第二输出端和第三输出端，所述第一输出端和第二输出端的电流根据第一输入端、第二输入端的电流改变而改变。本发明针对创造性地提出了动态跨导补偿方法。该方法能够降低小信号下的功放功耗，自动调节极点为第二级放大器提供动态跨导补偿。
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公开(公告)号：CN107451565A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710647312.5
申请日：2017-08-01
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种半监督小样本深度学习图像模式分类识别方法，属于图像识别领域。该方法包括步骤：S1：对图像样本进行预处理；S2：将预处理得到的数据输入训练好的网络中，网络通过3D卷积层进行特征提取，得到特征图层；S3：每个卷积层后接一个池化层，用于缩小特征图层的大小以减少网络中参数的数目；S4：将经过多层卷积层和池化层提取后的特征与一个全连接层相连，以提取和重新排列需要分类的特征；该层引入局部保邻的正则化操作；S5：输入待测样本，得到分类准确度。本发明利用了大量采集的无标签样本之间的位置相关性，提高了算法在小样本集合下的适用性与准确度。
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