公开(公告)号：CN102553656A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110321196.0

申请日：2011-10-12

Applicant: 通用电气公司

Inventor： L·N·路易斯 ,  R·E·科尔博恩 ,  A·B·哈德什瓦 ,  D·汉库

IPC: B01J37/04 ,  B01J37/10 ,  B01J37/00 ,  B01J23/50 ,  B01D53/94 ,  B01D53/86 ,  B01D53/56

CPC classification number: B01J23/50 ,  B01D53/9418 ,  B01D2251/208 ,  B01D2255/104 ,  B01J35/10 ,  B01J37/03

Abstract: 本发明公开了一种催化剂组合物，其包含固定到多孔底物的催化金属。所述底物具有模板化的孔。所述催化剂组合物通过包括以下步骤的方法制备：混合(98)催化金属盐、模板剂和水以形成混合物，向所述混合物中加入(100)底物前体以形成浆料，和煅烧(110)所述浆料以形成具有能够支撑所述催化剂组合物的多孔模板的底物。

公开(公告)号：CN101998983A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200880122537.8

申请日：2008-08-20

Applicant: 通用电气公司

Inventor： K·S·基查克 ,  J·A·切拉 ,  J·J·向 ,  L·N·路易斯

IPC: C09K11/06 ,  H05B33/14 ,  C07F15/00 ,  H01L51/00

CPC classification number: C09K11/06 ,  C07F15/004 ,  C09K2211/1416 ,  C09K2211/1425 ,  C09K2211/1433 ,  C09K2211/1466 ,  C09K2211/185 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/5012 ,  H05B33/14

Abstract: 在光电子器件中，可使用包含至少一种衍生自式(I)的化合物的结构单元或包含至少一个式(II)的侧基的聚合物，其中R1、R3、R4和R6独立地为氢、烷基、烷氧基、氧杂烷基、烷基芳基、芳基、芳基烷基、杂芳基、取代的烷基、取代的烷氧基、取代的氧杂烷基、取代的烷基芳基、取代的芳基、取代的芳基烷基或取代的杂芳基；R1a为氢或烷基；R2为亚烷基、取代的亚烷基、氧杂亚烷基、CO或CO2；R2a为亚烷基；R5每次出现时独立地为氢、烷基、烷基芳基、芳基、芳基烷基、烷氧基、羧基、取代的烷基、取代的烷基芳基、取代的芳基、取代的芳基烷基或取代的烷氧基；X为位于2，5-或2，7-位的卤素、三氟甲磺酸根、-B(OR1a)2或式(III)；并且L衍生自苯基吡啶、甲苯基吡啶、苯并噻吩基吡啶、苯基异喹啉、二苯并喹喔啉、芴基吡啶、酮基吡咯、2-(1-萘基)苯并噁唑、2-苯基苯并噁唑、2-苯基苯并噻唑、香豆素、噻吩基吡啶、苯基吡啶、苯并噻吩基吡啶、3-甲氧基-2-苯基吡啶、噻吩基吡啶、苯基亚胺、乙烯基吡啶、吡啶基萘、吡啶基吡咯、吡啶基咪唑、苯基吲哚、其衍生物或其组合。

公开(公告)号：CN1722339B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200510079077.3

申请日：2005-06-22

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 刘杰 ,  A·R·杜加尔 ,  C·M·A·赫勒 ,  L·N·路易斯

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/44

CPC classification number: H01L51/5206 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5221 ,  Y10S428/917

Abstract: 本发明提供了一种有机电子装置，包括(i)多层阴极；所述阴极包括：(a)导电层，所述导电层作为总线而被电连接；(b)含有碱金属离子源、碱土金属离子源或镧系离子源中的至少一个的层；以及(c)含有至少一种导电金属物质的导电金属层；(ii)至少一个电活性有机层；以及(iii)阳极，所述阳极与所述导电金属层电连接。

公开(公告)号：CN101687649A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880021767.5

申请日：2008-05-20

Applicant: 通用电气公司

Inventor： T·F·麦努蒂 ,  J·T·勒曼 ,  L·N·路易斯 ,  M·P·德''伊维恩 ,  V·L·劳 ,  R·舒巴

IPC: C01B33/025

CPC classification number: C01B33/025

Abstract: 描述了一种制造高纯度元素硅的方法。该方法包括如下来制备硅胶组合物的步骤：将至少一种有机硅烷化合物与含水组合物进行反应，来形成硅胶颗粒。然后在该硅胶组合物存在下，将烃物质通过烃裂化反应进行分解，目的是将由该烃物质分解所形成的碳沉积在硅胶组合物颗粒上。将该含碳的硅胶组合物加热到高温来生产元素硅产物。还描述了使用元素硅来制造光电池的相关方法。

公开(公告)号：CN100539240C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200510064977.0

申请日：2005-04-12

Applicant: 通用电气公司

Inventor： L·N·路易斯 ,  J·J·香 ,  A·亚基莫夫 ,  G·帕塔萨拉蒂 ,  J·刘 ,  S·克尼尔詹斯基

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H05B33/20 ,  H05B33/10 ,  C09K11/06

CPC classification number: H05B33/14 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/183 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/5012 ,  Y10S428/917

Abstract: 本发明公开了一种光-电活性设备，其包含下式的金属茂，其中M是锆或铪；X是卤素和R1-R5各自独立地是氢、芳基、烷基、卤素或-Si(R6)3；或其中至少一个环上的至少两个相邻的R取代基连接形成稠合环，其可以是未取代的或被芳基、烷基、卤素或-Si(R6)3取代；或其中每个环上的R1取代基相连接，从而将环以柄状桥的形式来连接起来，且其中R6是烷基、取代的烷基、芳基或取代的芳基。还公开了一种制造包含金属茂的光-电活性设备的方法。

公开(公告)号：CN1805169A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200510129696.9

申请日：2005-12-20

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 刘杰 ,  L·N·路易斯 ,  A·R·杜加尔 ,  K·E·利茨 ,  J·A·塞拉 ,  J·J·香 ,  T·J·费尔克洛思

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56 ,  H05B33/26 ,  H05B33/02

CPC classification number: C08G61/10 ,  C08G61/02 ,  C08G61/12 ,  C08G61/122 ,  C08G61/124 ,  C08G61/125 ,  C08G61/126 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/102 ,  H01L51/5092 ,  H05B33/26 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明提供了包含还原的有机材料的电光装置和表面改性的电极。还原的有机材料降低电极表面的功函；它们也是电活化的。这些性能有助于将其应用于制备更为高效的电光装置。电光装置至少具有第一导电层、第二导电层和置于第一与第二导电层之间的还原的有机材料的电活化层。表面改性的电极包含至少一个导电层和至少一种还原的聚合材料。还公开了使用有机电活化材料制备电光装置和操作电光装置的方法。还提供了包含还原的聚合材料的涂层组合物和涂布物品。

公开(公告)号：CN1264849C

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN00108734.7

申请日：2000-05-26

Applicant: 通用电气公司

Inventor： H·汉奥卡 ,  E·奥塔尼 ,  H·科雅马 ,  L·N·路易斯 ,  D·C·德穆皮德 ,  J·M·巴布林

IPC: C07F7/16

CPC classification number: C07F7/16

Abstract: 本发明涉及一种制备烷基卤代硅烷的方法，包括在加入磷和不加入磷的情况下，在有效量的催化剂和有效量的铜和铝助催化剂的存在下，使烷基卤和粉末状硅反应。所述催化剂一般包括铜、锌和锡。

公开(公告)号：CN1076896C

公开(公告)日：2001-12-26

申请号：CN96110099.0

申请日：1996-06-11

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A·R·杜加尔 ,  L·M·莱文森 ,  H·J·帕兴 ,  L·N·路易斯

IPC: H02H9/02

CPC classification number: H01H9/465 ,  H01C7/027 ,  H01C7/12 ,  H01H2033/163 ,  H02H9/026

Abstract: 一种限流装置，这样地进行非线性选择，即选择其中至少一个薄层比其它层的电阻高。在垂直于被选薄层的方向上对混合材料施加压力。在短路期间，被选薄层的绝热性电阻加热引起迅速热膨胀，它导致在所选薄层处限流装置的局部或全部物理分离，这将对电流产生整个装置的高电阻。因此该限流装置限制了短路电流。当短路被排除时，该限流装置重返其低阻状态，以允许电流正常流过。对于这种短路状态本发明的限流装置可重复使用多次。

公开(公告)号：CN102580728B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201110007574.8

申请日：2011-01-07

Applicant: 通用电气公司

Inventor： M·殷 ,  L·N·路易斯 ,  O·P·西克罗文 ,  D·汉库 ,  B·H·温克勒 ,  D·G·诺尔顿 ,  A·B·马德什瓦

IPC: B01J23/50 ,  B01J23/30 ,  B01J29/69 ,  B01J23/46 ,  B01J35/10 ,  B01D53/94 ,  B01D53/56 ,  F01N3/08 ,  F01N3/28

Abstract: 一种催化剂系统，所述催化剂系统包括包含均匀固体混合物的第一催化组合物，所述均匀固体混合物包含至少一种催化金属和至少一种金属无机载体。固体混合物的孔具有约1纳米至约15纳米的平均孔径。催化金属包括纳米晶体。

公开(公告)号：CN102151587B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201110007921.7

申请日：2011-01-06

Applicant: 通用电气公司

Inventor： D·G·诺尔顿 ,  L·N·路易斯 ,  E·W·尚克林 ,  F·J·克卢格 ,  V·S·文卡塔拉马尼 ,  R·J·里昂斯 ,  D·汉库 ,  B·H·温克勒 ,  H·克沙文

IPC: B01J35/02 ,  B01J23/50 ,  F01N3/28

CPC classification number: B01J23/50 ,  B01D53/9418 ,  B01D2251/2062 ,  B01D2251/2067 ,  B01D2251/208 ,  B01D2251/21 ,  B01D2255/104 ,  B01D2255/9202 ,  B01D2255/9205 ,  B01D2255/9207 ,  B01J21/04 ,  B01J35/04 ,  B01J35/1019 ,  B01J35/1061 ,  B01J37/0018 ,  B01J37/0045 ,  B01J37/0215 ,  B01J37/086

Abstract: 本发明详细描述了用于制备催化剂粉末的工艺。该工艺的步骤包括：制备催化剂浆体，干燥，热解，以及将该催化剂浆体焙烧，以得到焙烧催化剂粉末。该催化剂浆体包括催化剂、液体载体、模板化剂与催化剂基质。将该催化剂浆体干燥，以得到催化剂粉末原料。在第一受控气氛中将该催化剂粉末原料加热，以得到热解的催化剂粉末，以及在第二受控气氛中将该热解的催化剂粉末焙烧，以得到焙烧的催化剂粉末。还图解说明了使用所制备的催化剂粉末来制作催化剂表面和催化转化器的一种方法。