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公开(公告)号：CN104018016B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201410201389.6
申请日：2014-05-14
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种制备CoCrAlYSi合金靶材的方法，涉及使用多种中间合金及恰当的熔炼工艺制备CoCrAlYSi合金靶材，以获得元素含量稳定，无偏析，质量性能好的产品。通过使用Co-Al合金，使各原料的熔化温度趋于近似，避免低熔点元素Al的挥发；使用Cr-Si合金以避免Si元素与其他元素的复杂反应；使用Cr-Y合金在浇铸前加入，避免了Y的氧化造渣和成品中Y含量不稳定，最终成功制备了各元素含量与配比相同，无偏析的合金靶材产品。
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公开(公告)号：CN104032274A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410260448.7
申请日：2014-06-12
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种CoCrPt系合金溅射靶材和薄膜及其制备方法，所述CoCrPt系合金溅射靶材包括B元素，B元素的含量为0～20个原子百分比,所述合金靶材包括富Co相和富B相两个物相，其中富B相均匀的分布在富Co相中，所述富Co相的平均晶粒尺寸在20～50μm,富B相的平均晶粒尺寸在0～20μm；所述CoCrPt系合金溅射靶材的制备方法，包括：(1)真空熔炼；(2)热等静压；(3)热机械加工；(4)冷机械加工。使用本发明所述的CoCrPt系合金溅射靶材制备的磁记录介质，所述磁记录介质包括基底层，粘结层，软磁层，中间层和磁记录层，所述磁记录介质的矫顽力为3000～5000Oe，方形度为0.80～095。本发明化学成份均匀且偏离名义成分较小，解决了常规制备工艺中轧制开裂，成品率低，合金靶材化学成份偏离名义成份较多、有害杂质含量偏高等技术问题。
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公开(公告)号：CN104018128A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410231799.5
申请日：2014-05-29
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种镍铂合金溅射靶材及其制备方法，所述镍铂合金溅射靶中，铂的含量为0～5原子％，靶材的平均晶粒尺寸小于80微米且单个晶粒尺寸不大于150微米，靶材具有均匀分布的衍射峰强度组合，且单个方向上的衍射峰强度不大于50％，靶材的透磁率(PTF)在大于40％且在各个不同方向上测量的数值差别在5％以内。所述的镍铂合金溅射靶材，能减少溅蚀现象发生，具有较长的使用寿命，使用该靶材所制备出的薄膜具有较好的均匀性；本发明的另一个目的在于提供一种获得上述具有高透磁率(PTF)的具有低铂含量的镍铂合金靶材的制备方法。
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公开(公告)号：CN104018016A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410201389.6
申请日：2014-05-14
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种制备CoCrAlYSi合金靶材的方法，涉及使用多种中间合金及恰当的熔炼工艺制备CoCrAlYSi合金靶材，以获得元素含量稳定，无偏析，质量性能好的产品。通过使用Co-Al合金，使各原料的熔化温度趋于近似，避免低熔点元素Al的挥发；使用Cr-Si合金以避免Si元素与其他元素的复杂反应；使用Cr-Y合金在浇铸前加入，避免了Y的氧化造渣和成品中Y含量不稳定，最终成功制备了各元素含量与配比相同，无偏析的合金靶材产品。
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