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公开(公告)号：CN108292706A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680065408.4
申请日：2016-11-09
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
CPC classification number: H01L51/0021 , C23C14/14 , C23C14/24 , C23C28/00 , H01L51/001 , H01L51/002 , H01L51/441 , H01L51/5092 , H01L51/5203 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及一种与包含基本上共价基质材料的半导体层相邻的金属层，包含所述材料的电子器件及其制备方法，所述金属层包含至少一种第一金属和至少一种第二金属，其中a)所述第一金属选自Li、Na、K、Rb、Cs；并且b)所述第二金属选自Zn、Hg、Cd、Te。
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公开(公告)号：CN105358652B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201480032443.7
申请日：2014-06-06
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 欧姆莱恩·法德尔 , 迈克·策尔纳 , 卡斯滕·罗特 , 莫罗·富尔诺
CPC classification number: H01L51/0077 , C07F9/58 , C07F9/60 , C07F9/64 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , H01L51/0058 , H01L51/0072 , H01L51/5076
Abstract: 本发明涉及一种有机电子器件，其包含第一电极，第二电极，以及在所述第一和所述第二电极之间的包含根据式(I)的化合物的基本上有机的层：。
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公开(公告)号：CN107452896A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710400285.1
申请日：2017-05-31
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
CPC classification number: H01L51/0072 , H01L51/0002 , H01L51/002 , H01L51/0021 , H01L51/0022 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0071 , H01L51/0089 , H01L51/5012 , H01L51/5024 , H01L51/504 , H01L51/5068 , H01L51/5076 , H01L51/5234 , H01L51/56 , H01L2251/558
Abstract: 本发明涉及一种包含有机半导体层的有机发光二极管。所述有机发光二极管包含阳极、透明阴极、至少一个发射层和至少一个有机半导体层，其中所述至少一个发射层和至少一个有机半导体层被布置在所述阳极与透明阴极之间，并且所述有机半导体层包含第一零价金属掺杂剂和第一基质化合物，其中所述第一基质包含至少两个菲咯啉基，本发明还涉及制造所述有机发光二极管的方法。
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公开(公告)号：CN106104832A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201480055720.6
申请日：2014-10-09
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0054 , C07F5/025 , C07F9/5325 , C07F9/58 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/0077 , H01L51/5072 , H01L51/5092
Abstract: 本发明涉及一种半导体材料，其包含根据式(I)的化合物：其中R1、R2和R3独立地选自C1‑C30‑烷基、C3‑C30环烷基、C2‑C30‑杂烷基、C6‑C30‑芳基、C2‑C30‑杂芳基、C1‑C30‑烷氧基、C3‑C30‑环烷氧基、C6‑C30‑芳氧基和通式E‑A‑所示的结构单元，其中A是亚苯基间隔基单元，E是电子传输单元，其选自C10‑C60芳基和包含至多6个独立地选自O、S、P、Si和B的杂原子的C6‑C60杂芳基，并包含至少10个离域电子的共轭体系，选自R1、R2和R3的至少一个基团由所述通式E‑A‑所示，以及涉及至少一种式(II)的锂络合物其中A1是C6‑C30亚芳基或在芳香环中包含至少一个选自O、S和N的原子的C2‑C30亚杂芳基，并且每个A2‑A3独立地选自C6‑C30芳基和在芳香环中包含至少一个选自O、S和N的原子的C2‑C30杂芳基。还公开了一种电子器件，其包含阴极、阳极和在所述阴极与阳极之间的根据权利要求1‑9任一项的半导体材料。此外，公开了化合物和电子器件。
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公开(公告)号：CN111566836B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN201880082463.3
申请日：2018-12-20
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 杰罗姆·加尼耶 , 卡斯滕·罗特 , 本杰明·舒尔策
Abstract: 本发明涉及一种半导体材料、包含所述半导体材料的电子器件以及制备所述半导体材料的方法，所述半导体材料包含：(i)至少一种包含二价金属的金属络合物或金属盐；和(ii)至少一种包含二烷基氧化膦基团的基质化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110462865B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201880009172.1
申请日：2018-01-30
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: H01L51/50
Abstract: 本发明涉及一种电致发光器件，其包括：‑至少一个阳极层，‑至少一个阴极层，‑至少一个发光层，‑至少一个第一空穴传输层，‑至少一个第一电子传输层；其中为了提高功率效率，所述发光层、所述空穴传输层和所述电子传输层的组成相互匹配，其中‑所述至少一个发光层包含：‑包埋在至少一种极性发光体主体化合物中的至少一种荧光发光体化合物，其中‑所述至少一种极性发光体主体化合物具有至少三个芳环；‑所述至少一个第一空穴传输层包含：‑至少一种p型电掺杂剂，或‑至少一种p型电掺杂剂和至少一种第一空穴传输基质化合物；‑所述第一电子传输层包含：‑至少一种氧化还原n型掺杂剂，和‑至少一种第一电子传输基质化合物。
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公开(公告)号：CN113563379A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110659744.4
申请日：2014-10-09
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及包含膦氧化物基质和金属盐的半导体材料。所述半导体材料包含如权利要求1所述的选自A1至A7和B1至B8的化合物和至少一种式(II)所示的锂络合物(II)，其中A1是C6‑C30亚芳基或在芳香环中包含至少一个选自O、S和N的原子的C2‑C30亚杂芳基，并且每个A2和A3独立地选自C6‑C30芳基和在芳香环中包含至少一个选自O、S和N的原子的C2‑C30杂芳基。还公开了一种电子器件，其包含阴极、阳极和在所述阴极与阳极之间的根据权利要求1‑4任一项的半导体材料。还公开了选自A1至A7和B1至B8的化合物。
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公开(公告)号：CN111900255A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010630175.6
申请日：2016-06-22
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种包含极性基质、金属掺杂剂和银阴极的有机发光器件。具体地，本发明涉及一种在阳极和基本上为银的阴极之间包含至少一个发光层的电子器件，该器件在阴极和阳极之间还包含至少一个混合层，所述混合层包含(i)至少一种基本上共价的电子传输基质化合物，其包含至少一个选自氧化膦基团或二唑基团的极性基团，和(ii)呈基本上元素形式的正电性元素，其选自基本上非放射性的碱金属，碱土金属，稀土金属，和周期表第四周期中质子数为22、23、24、25、26、27、28、29的过渡金属。
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公开(公告)号：CN107210374B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201580068961.9
申请日：2015-12-15
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种有机发光二极管，其包含发射层和至少两个电子传输层的电子传输层堆叠物，其中第一电子传输层和第二电子传输层包含至少一种基质化合物，其中所述第一电子传输层的所述一种或多种基质化合物不同于所述第二电子传输层的所述一种或多种基质化合物；并且此外，所述第一电子传输层包含锂卤化物和/或锂有机复合物的掺杂剂，并且所述第二电子传输层不含掺杂剂。
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公开(公告)号：CN110462865A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880009172.1
申请日：2018-01-30
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: H01L51/50
Abstract: 本发明涉及一种电致发光器件，其包括：-至少一个阳极层，-至少一个阴极层，-至少一个发光层，-至少一个第一空穴传输层，-至少一个第一电子传输层；其中为了提高功率效率，所述发光层、所述空穴传输层和所述电子传输层的组成相互匹配，其中-所述至少一个发光层布置在所述阳极层与所述阴极层之间，其中所述至少一个发光层包含：-包埋在至少一种极性发光体主体化合物中的至少一种荧光发光体化合物，其中-所述至少一种极性发光体主体化合物具有至少三个芳环，所述芳环独立地选自碳环和杂环；-所述至少一个第一空穴传输层布置在所述阳极层与所述发光层之间，其中所述至少一个第一空穴传输层包含：-至少一种p型电掺杂剂，或-至少一种p型电掺杂剂和至少一种第一空穴传输基质化合物；-所述至少一个第一电子传输层布置在所述阴极层与所述发光层之间，其中所述第一电子传输层包含：-至少一种氧化还原n型掺杂剂，和-至少一种第一电子传输基质化合物。
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