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公开(公告)号：CN102760597A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210210626.6
申请日：2012-06-25
申请人： 西安理工大学
摘要： 本发明公开的一种用于高压电触头的CuW与CuCr整体材料的制备方法，首先采用快速凝固甩带法制备高的铜合金箔带，然后对CuW预结合面用酸溶解的方法去铜处理，结合面处得到多孔结构的W骨架，随后在还原性气氛炉内对CuW、合金箔带、CuCr合金进行整体烧结熔渗得到CuW与CuCr整体材料，之后对其进行固溶时效处理。由于熔渗过程中合金箔带中的Cr元素向多孔骨架中的填充与浸渗，并与W形成W-Cr固溶体，使骨架与基体铜相之间实现了冶金结合，提高了该整体材料的界面结合强度。
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公开(公告)号：CN102592701A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210036770.2
申请日：2012-02-17
申请人： 西安理工大学
摘要： 本发明公开了一种采用原位合成制备AgTiB2触头材料的方法，该方法以高纯Ag粉、Ti粉和B粉为原料，经过混粉后在压力机下进行压制；最后对压坯进行电弧熔炼，即得到原位生成的AgTiB2触头材料。与现有AgTiB2触头材料的制备技术相比，本发明的制备方法简便，获得的AgTiB2触头材料组织致密，原位生成的TiB2与Ag基体结合好，界面干净，AgTiB2触头材料的综合性显著能高。
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公开(公告)号：CN101956090B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201010105649.1
申请日：2010-02-04
申请人： 西安理工大学
摘要： 本发明公开的一种采用Cu-Zn合金制备纳米多孔铜的方法，通过以下方法制备而得：采用熔炼的工艺，按质量百分比Cu-wt60，70，80％Zn在氮气保护下制备得到合金。以1M NaCl溶液作为电解液，利用三电极法进行塔菲尔曲线的测试，获得不同合金的最易腐蚀电压。腐蚀液和合金按体积比为1000～1500∶1，在1M NaCl溶液中，水浴50～70℃，采用恒电位法，在最易腐蚀电压下对合金进行电化学腐蚀；并每隔20分钟，向电解液中滴加浓NH3·H2O溶液1～2ml，使电解液中含有一定的络合物，促进反应进行；至阴极不再有明显的气泡放出时反应停止，即得到纳米多孔铜。通过本发明的方法制得的孔径细小均匀，韧带轮廓清晰，孔径50～200nm，韧带宽度70～100nm。
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公开(公告)号：CN101928850A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010159144.3
申请日：2010-04-29
申请人： 西安理工大学
摘要： 本发明公开了一种W-Ti合金靶材的制造方法，该方法以纯度高于99.9%的W粉和纯度高于96.7%的TiH2粉为原料，经过对TiH2粉末的高能球磨，随后与W粉进行混粉；然后在压力为250~280MPa，保压时间为3~6min的条件下进行压坯，再对压胚进行真空无压烧结，然后将烧结后的合金进行固溶退火，随后淬火冷却；最后将W-Ti合金机加工成靶材成品即可。本发明与现有技术相比，工艺方法上烧结温度低，烧结过程中不附加任何压力，且所制备的合金靶材合金组织均匀、致密度高、可控尺寸大。
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公开(公告)号：CN101781724A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN201010105738.6
申请日：2010-02-04
申请人： 西安理工大学
IPC分类号： C22C1/08
摘要： 本发明公开的一种采用配合物制备超细泡沫铜的方法，通过熔炼工艺制备合金Cu-wt60，70，80％Zn，将熔炼好的合金表面的氧化皮除去，配制5M NH4Cl和1M HCl，按体积比为1～2∶1比例混合为腐蚀液，水浴温度在60～80℃，腐蚀液和合金按体积比100∶1，直接进行普通化学腐蚀，待无明显的气泡冒出时，反应结束，将样品置于蒸馏水中清洗至中性，即得到超细泡沫铜。本方法制得的超细泡沫铜孔径细小均匀，韧带轮廓清晰，骨架结构完整，孔径200～600nm，韧带宽度100～300nm。
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公开(公告)号：CN114540658B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210019460.3
申请日：2022-01-07
申请人： 西安理工大学
摘要： 本发明公开了一种AgTiB2G触头材料，按质量百分比由以下组分组成：Ag 87～95.5％，TiB2 4～10％，石墨0.5～3％，以上各组分质量百分比之和为100％。本发明还公开了一种的AgTiB2G触头材料的制备方法，包括以下步骤，首先将称取好的Ag粉和TiB2粉分别在酒精中超声分散，而石墨粉在Triton X‑100酒精混合溶液中进行超声分散，制成悬浮液，然后在水浴磁力搅拌的作用下，将TiB2悬浮液和石墨悬浮液滴入Ag粉悬浮液中，持续搅拌直至完全干燥，获得复合粉体，最终经两步放电等离子烧结获得物理性能、力学性能和电气性能优异的AgTiB2G触头材料。
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公开(公告)号：CN113913641B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202111112637.6
申请日：2021-09-18
申请人： 西安理工大学
IPC分类号： C22C9/00 , C22C1/05 , B22F3/105 , B22F1/06 , B22F1/065 , B22F1/12 , H01H1/025 , H01H1/027 , H01H11/04
摘要： 本发明公开了一种Cu‑Mo‑G电触头材料，按质量百分比包括以下组分：88.8～93.8％；Mo 6.0～10.0％；石墨0.2～1.2％。本发明还公开了一种Cu‑Mo‑G电触头材料的制备方法，包括以下步骤：将按比例称取的Cu粉、Mo粉和石墨粉加入乙醇溶液进行超声分散，随后加入磨球并移至加热搅拌装置中进行机械搅拌，接着将混合物放入烘箱蒸干得到Cu‑Mo‑G混合粉末，最后将混合粉末装入石墨模具中预压后转移至放电等离子炉中烧结，随炉冷却到室温即得到Cu‑Mo‑G电触头材料。本发明的Cu‑Mo‑G电触头材料具有优异的力‑电性能，同时还具有良好的抗材料转移和耐电弧侵蚀性。
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公开(公告)号：CN114540661A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210019546.6
申请日：2022-01-07
申请人： 西安理工大学
摘要： 本发明公开了具有三维网状结构的石墨烯增强铜钼复合材料，包括Cu、Mo和还原氧化石墨烯三种组分。本发明还公开了具有三维网状结构的石墨烯增强铜钼复合材料的制备方法，包括：首先对Cu粉进行阳离子改性处理；其次将氧化石墨烯分散在乙醇溶液中，再加入硝酸铜，得到负载Cu2+的GO混合溶液；然后将改性的Cu粉加入GO混合溶液，再加入Mo粉，随后进行原位还原，得到复合粉末；最后通过热压烧结制备出石墨烯增强铜钼复合材料。该方法实现了rGO在铜钼复合材料中的均匀分布，同时提升了强度和韧性，且石墨烯网络为电子和声子的传输提供了连续的通路，提高了复合材料的导电导热性能，从而获得了综合性能优异的石墨烯增强铜钼复合材料。
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公开(公告)号：CN114540658A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210019460.3
申请日：2022-01-07
申请人： 西安理工大学
摘要： 本发明公开了一种AgTiB2G触头材料，按质量百分比由以下组分组成：Ag 87～95.5％，TiB2 4～10％，石墨0.5～3％，以上各组分质量百分比之和为100％。本发明还公开了一种的AgTiB2G触头材料的制备方法，包括以下步骤，首先将称取好的Ag粉和TiB2粉分别在酒精中超声分散，而石墨粉在Triton X‑100酒精混合溶液中进行超声分散，制成悬浮液，然后在水浴磁力搅拌的作用下，将TiB2悬浮液和石墨悬浮液滴入Ag粉悬浮液中，持续搅拌直至完全干燥，获得复合粉体，最终经两步放电等离子烧结获得物理性能、力学性能和电气性能优异的AgTiB2G触头材料。
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公开(公告)号：CN113913641A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111112637.6
申请日：2021-09-18
申请人： 西安理工大学
摘要： 本发明公开了一种Cu‑Mo‑G电触头材料，按质量百分比包括以下组分：88.8～93.8％；Mo 6.0～10.0％；石墨0.2～1.2％。本发明还公开了一种Cu‑Mo‑G电触头材料的制备方法，包括以下步骤：将按比例称取的Cu粉、Mo粉和石墨粉加入乙醇溶液进行超声分散，随后加入磨球并移至加热搅拌装置中进行机械搅拌，接着将混合物放入烘箱蒸干得到Cu‑Mo‑G混合粉末，最后将混合粉末装入石墨模具中预压后转移至放电等离子炉中烧结，随炉冷却到室温即得到Cu‑Mo‑G电触头材料。本发明的Cu‑Mo‑G电触头材料具有优异的力‑电性能，同时还具有良好的抗材料转移和耐电弧侵蚀性。
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