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公开(公告)号：CN111693839A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010554935.X
申请日：2020-06-17
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种分辨SiC MOSFET在体二极管重复浪涌电流下退化原因的方法，通过单次浪涌电流实验确定SiC MOSFET体二极管的单次浪涌电流能力，测量SiC MOSFET的静态特性和动态特性，进行重复浪涌电流试验，比较浪涌电流实验后SiC MOSFET的静态特性、动态特性以及提取的参数的退化，分辨器件的退化原因，确定SiC MOSFET的退化原因中是否包含双极退化，比较体二极管特性以或体二极管压降的变化，确定SiC MOSFET的退化原因中是否包含封装退化，是否包含栅氧退化，比较小电流下的转移特性或阈值电压的变化，实现了退化原因的有效解耦，有利于了解器件的失效机理。
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公开(公告)号：CN110907791A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911183818.0
申请日：2019-11-27
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种加速SiC MOSFET体二极管双极退化的功率循环方法，首先确定合适大小的重复浪涌电流，并进行常温下和高温下功率循环的温度评估。再对SiC MOSFET分立器件一的体二极管进行常温下重复浪涌电流功率循环试验，对同型号的SiC MOSFET分立器件二的体二极管进行高温下重复浪涌电流功率循环试验，当SiC MOSFET分立器件一与器件二的体二极管老化到一定程度时，测量SiC MOSFET分立器件一、器件二的体二极管的静态特性(正向IV特性)以及动态特性(反向恢复电流波形)的退化，高温下重复浪涌电流功率循环克服了直流电流应力功率循环的局限性，控制简单，可靠性强，功率循环期间无持续的热量积累，对封装的特性无影响，可在高温环境中进行，提高了老化效率，加速了双极退化。
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公开(公告)号：CN107091988A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710453037.3
申请日：2017-06-15
Applicant: 西安交通大学
CPC classification number: G01R31/343 , G01R19/04 , G01R23/02
Abstract: 一种三相电机电流信号瞬时频率和瞬时包络提取方法，利用同步采集的三相电流信号，通过电流变换，构造电流信号对应的解析信号；通过对解析信号模与幅角的计算，得到瞬时包络与瞬时相位；通过数值微分算法，计算瞬时频率，并对于瞬时频率中的奇点，使用相位解卷绕算法处理；通过离线滤波处理，去除瞬时频率的高频分量，得到较精确的瞬时频率；本发明实现了三相电流信号的解调和瞬时转速的提取，相比于传统方法计算速度更快，有助于机电设备的实时监测，对于电机及传动部件的故障诊断、机械部件的运行状态获取具有重要意义。
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公开(公告)号：CN119155874A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411532365.9
申请日：2024-10-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: H05H1/00
Abstract: 本发明属于等离子体电子密度测量领域，公开了一种基于激光波前分析的等离子体电子密度测量装置及方法，本装置采用倍频晶体将基频激光束变换为同轴的基频光束和二次谐波光束，两个同轴的激光束在通过等离子体会产生不同的波前变化并通过微透镜阵列转化为焦点光斑质心位移的变化；本装置不同于其他测量方式需要设置探测光和参考光，也无需有无等离子体前后的对比，只需要参考同轴的两束不同波长的激光光束经过等离子体后焦点光斑质心的变化差别即可；采用本测量装置能够消除实验过程中中性粒子的干扰并排除有无等离子体两发实验中激光的差别，可以实现同步的补偿，有效解决了现有技术中设置的参考光路易受到环境影响，从而导致测量精度受限的问题。
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公开(公告)号：CN114417767B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202210048189.6
申请日：2022-01-17
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F30/373 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于电感电流特征值的DAB电感损耗计算方法，针对双有源桥DAB电路电感损耗与温升，通过计算电感电流特征值，对传统计算磁芯损耗的iGSE方法进行了优化，提出了基于电流的iGSE磁芯损耗计算方法，并给出了基于电流的绕组损耗表达式。本发明最终提出了通过电感电流特征值对DAB电感总损耗进行计算的方法，解决了电感损耗计算耗费时间较长、计算较为复杂的问题，同时针对DAB电路给出了计算准确度较高的电感损耗计算方法，便于设计人员在设计过程中实现对电感温升的准确估计，保证DAB实际装置运行的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116013909A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310028709.1
申请日：2023-01-09
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L25/065 , H01L25/18 , H01L23/66 , H01L23/367 , H01L23/14 , H05K1/18
Abstract: 本发明涉及电力电子器件封装集成技术领域，尤其涉及一种高集成度多芯片并联氮化镓半桥功率模块，包括GaN器件、功率回路解耦电容Cin、PCB电路板、DBC板和驱动芯片，GaN器件设置于PCB电路板与DBC板之间；驱动芯片均设置于PCB电路板上；GaN器件包括第一GaN器件S1、第二GaN器件S2、第三GaN器件S3和第四GaN器件S4，第一GaN器件S1和第二GaN器件S2并联形成上半桥；第三GaN器件S3和第四GaN器件S4并联形成下半桥。本发明利用并联垂直结构降低功率回路和驱动回路的寄生电感，同时通过功率回路和驱动电路的对称设计保证布局对称，实现器件的并联均流效果。
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公开(公告)号：CN115993476A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211527312.9
申请日：2022-11-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种基于光学方法的等离子体局部电流测量装置及方法，属于光学测量技术领域。所述装置包括：高能脉冲激光器、分束镜、用于触发ICCD相机的光电二极管、为光电二极管提供光信号的光束采样镜、用于聚焦高能脉冲激光的聚焦透镜、用于产生Z箍缩等离子体的脉冲功率装置、束流收集器、用于收集散射光的消色差透镜、反射式光栅光谱仪、ICCD相机、马赫‑曾德尔干涉仪；通过等离子体干涉条纹图像和汤姆逊散射光谱可同时获取电子体密度分布、电子温度、离子温度、等离子体速度、电子离子相对漂移速度；将测量点的电子密度、电子电荷及电子离子相对漂移速度相乘即可得到测量点的局部电流。
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公开(公告)号：CN114252816B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202111571160.8
申请日：2021-12-21
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明公开了一种基于法拉第旋光的高灵敏度磁场测量装置及方法，属于磁场测量领域，通过使用激光束搭建旋光测量系统，用于测量旋光图像；使用激光束搭建干涉测量系统，用于测量干涉图像的条纹偏移量；根据旋光图像的光强分布，计算得到偏转角的分布；根据干涉图像中的条纹偏移量计算得到电子面密度的分布；根据偏转角和电子面密度，获得平均磁场的二维分布。本发明可测量磁场的空间范围取决于激光束光斑的大小，且激光束两次次穿过等离子体以及检偏器的角度设置，使旋光测量的灵敏度提升至四倍，能够实现对等离子体内部磁感应强度大范围，高灵敏度的测量。
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公开(公告)号：CN115296507A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210602728.6
申请日：2022-05-30
Applicant: 西安交通大学 , 美垦半导体技术有限公司
Abstract: 基于氮化镓功率芯片的单相全桥智能功率模块及制造方法，包括陶瓷基板、功率芯片、驱动芯片、功率铜面、解耦电容、印刷电路板和壳体；若干功率铜面设置在陶瓷基板上，相邻的功率铜面之间留有间隙，解耦电容和功率芯片设置在功率铜面上；印刷电路板覆盖在陶瓷基板上，印刷电路板上设置有若干驱动芯片；陶瓷基板、功率芯片、驱动芯片、功率铜面、解耦电容和印刷电路板均设置在壳体内。本发明设计的加工流程易于实现功率模块加工制备的自动化，并有效减少功率模块制备步骤，提高功率模块制备的良品率，且加工使用的原料成本低廉，有效控制功率模块的生产成本。同时制备工艺可保证功率模块内部电气绝缘性能及电气键合连接的可靠性。
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公开(公告)号：CN114690087A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210339809.1
申请日：2022-04-01
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明公开一种可调节灵敏度的等离子体磁场光学测量装置及方法，包括：基于脉冲激光束构建旋光测量系统，用于测量旋光图像和阴影图像；对旋光图像和阴影图像进行处理，基于光强分布得到比例系数的分布；结合比例系数相对于偏转角的映射关系，得到偏转角的分布；基于脉冲激光束构建干涉测量系统，测量干涉图像的条纹偏移量；基于干涉图像中的条纹偏移量计算得到电子面密度的分布；基于偏转角和电子面密度，获得平均磁场的二维分布。本发明测量旋光图像和阴影图像的强度变化确定偏转角的分布，通过干涉图像测量电子面密度的分布，确定等离子体的磁场强度，通过调节分束镜的分光比，调节旋光测量的灵敏度，实现对磁感应强度和灵敏度可调节的测量。
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