公开(公告)号：CN114400220A

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202210037750.0

申请日：2022-01-13

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王来利 ,  朱梦宇 ,  马定坤 ,  杨成子 ,  杨奉涛 ,  齐志远 ,  伍敏 ,  张彤宇 ,  尉哲元

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/495

Abstract: 本发明公开了一种适用于高温环境的宽禁带功率模块的双面倒装封装结构，包括顶部陶瓷基板、底部陶瓷基板、第一SiC MOSFET器件、第二SiC MOSFET器件、第三SiC MOSFET器件、第四SiC MOSFET器件、第五SiC MOSFET器件、第六SiC MOSFET器件、第七SiC MOSFET器件、第八SiC MOSFET器件、第一钼柱、第二钼柱、第三钼柱、第四钼柱、第五钼柱、第六钼柱、第七钼柱、第八钼柱、第一金属引出端子、第二金属引出端子、第三金属引出端子、第四金属引出端子、第五金属引出端子、第六金属引出端子及第七金属引出端子，该结构具有高集成度、低寄生参数、高散热效率、高功率密度以及便于级联的特点。

公开(公告)号：CN112864103A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011635726.4

申请日：2020-12-31

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王来利 ,  朱梦宇 ,  杨奉涛 ,  李华清 ,  杨成子

IPC: H01L23/16 ,  H01L25/07 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明公开了一种可级联的大功率碳化硅器件半桥高温封装结构，陶瓷外壳内设置有第一镀金的金属化芯区及第二镀金的金属化芯区，第一镀金的金属化芯区上设置有上桥臂半导体芯片，第二镀金的金属化芯区上设置有下桥臂半导体芯片；陶瓷外壳的端面上设置有凹槽结构，引片结构插入于凹槽结构内，且引片结构与陶瓷外壳之间通过密封件密封，引片结构与上桥臂半导体芯片及下桥臂半导体芯片相连接，陶瓷外壳内部为真空结构或者充有惰性气体。该结构具有低成本、高可靠性、低寄生参数及耐高温的特点。

公开(公告)号：CN110224690B

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201910482553.8

申请日：2019-06-04

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王来利 ,  杨成子 ,  于龙洋 ,  朱梦宇 ,  马伟 ,  裴云庆 ,  杨旭

IPC: H03K17/041 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET串联驱动电路，第一驱动电源的高压端经高压二极管与加速电容的一端、第一SiC MOSFET管的栅极、驱动电容的一端及第二静态均压电阻的一端相连接，加速电容Csp的另一端与第一静态均压电阻的一端及第一SiC MOSFET管的漏极相连接，第一SiC MOSFET管的源极与第一静态均压电阻的另一端及第二SiC MOSFET管的漏极相连接，第二驱动电源的高压端与驱动电容的另一端及驱动电阻的一端相连接，驱动电阻的另一端与第二SiC MOSFET管的栅极相连接，第一驱动电源的低压端、第二驱动电源的低压端、第二静态均压电阻的另一端及第二SiC MOSFET管的源极均接地，该电路中SiC MOSFET管的栅极侧信号均压控制成本低，且能够实现栅极侧负压驱动，同时驱动的均压效果较好。

公开(公告)号：CN112710940A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN202011541017.X

申请日：2020-12-23

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王来利 ,  李华清 ,  杨成子 ,  于龙洋 ,  朱梦宇

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET反向转移电容测量方法，包括以下步骤：栅极驱动器输出的高电平电压Vgg、下桥臂SiC MOSFET的漏极外接引线端子G与母线电源的负极性端子S’之间的电压uGS’、外加驱动电阻Rg_de、栅极驱动器内部驱动电阻Rg_dr、下桥臂SiC MOSFET的栅漏极PCB布线产生的杂散电容Cdg’、SiC MOSFET漏源极电容两端的电压uDS及SiC MOSFET漏栅极电容两端的电压uDG，得SiC MOSFET的反向转移电容Cdg，该方法能够较为准确测量SiC MOSFET的反向转移电容，且测量较为简单。

公开(公告)号：CN112234810A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN202010924021.8

申请日：2020-09-04

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王来利 ,  杨成子 ,  李华清 ,  于龙洋 ,  刘星烁 ,  朱梦宇 ,  裴云庆

IPC: H02M1/32 ,  H03K17/081

Abstract: 本发明公开了一种应用于半桥电路的新型SiC MOSFET振荡抑制电路，直流母线与第二SiC MOSFET管的漏极、第二钳位电容器的一端及第一回馈模块的一端相连接，第二SiC MOSFET管的源极与第二收集二极管的负极、负载端、第一收集二极管的正极及第一SiC MOSFET管的漏极相连接，第二收集二极管的正极及第二钳位电容器的另一端与第二回馈模块的一端相连接，第一收集二极管的负极与第一钳位电容器的一端及第一回馈模块的另一端相连接，低压源与第一SiC MOSFET管的源极、第二钳位电容器的另一端及第二回馈模块的另一端相连接，该电路能够有效抑制过电压，并且电路中的钳位电容可将能量通过电感支路回馈到直流侧，且只在过电压产生时参与电路过程。

公开(公告)号：CN110224690A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201910482553.8

申请日：2019-06-04

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王来利 ,  杨成子 ,  于龙洋 ,  朱梦宇 ,  马伟 ,  裴云庆 ,  杨旭

IPC: H03K17/041 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET串联驱动电路，第一驱动电源的高压端经高压二极管与加速电容的一端、第一SiC MOSFET管的栅极、驱动电容的一端及第二静态均压电阻的一端相连接，加速电容Csp的另一端与第一静态均压电阻的一端及第一SiC MOSFET管的漏极相连接，第一SiC MOSFET管的源极与第一静态均压电阻的另一端及第二SiC MOSFET管的漏极相连接，第二驱动电源的高压端与驱动电容的另一端及驱动电阻的一端相连接，驱动电阻的另一端与第二SiC MOSFET管的栅极相连接，第一驱动电源的低压端、第二驱动电源的低压端、第二静态均压电阻的另一端及第二SiC MOSFET管的源极均接地，该电路中SiC MOSFET管的栅极侧信号均压控制成本低，且能够实现栅极侧负压驱动，同时驱动的均压效果较好。