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公开(公告)号：CN115130052A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210893855.6
申请日：2022-07-27
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种用于无线充电系统的DD平面线圈优化方法及系统，为了消除磁芯对自感，互感计算和交流电阻的影响，采用了多重镜像法，将带磁芯DD平面线圈转为无磁芯DD线圈；将无磁芯DD线圈分为多个直线段，分别计算各段的自感值，同时计算每两段之间的互感值；根据电磁场叠加理论，通过累加各线段的贡献来计算总互感值与自感值。为了计算无磁芯DD线圈交流电阻，采用毕奥‑萨伐尔定律计算磁场分布。由于矩形无磁芯DD线圈结构复杂，无磁芯DD线圈的直线段被划分为多个微小单元，然后分别求解单个微小单元的电阻值，最后通过对微元直线段电阻值数值积分可以计算出无磁芯DD线圈的总交流电阻，相比于有限元仿真可以大大节省时间。
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公开(公告)号：CN114400210A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210039284.X
申请日：2022-01-13
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/31
Abstract: 本发明公开了一种双面散热芯片倒装的气密性耐高温封装结构，包括上陶瓷基板、下陶瓷基板及金属密封带；上陶瓷基板的内部设置有第一金属化区域、第二金属化区域、第三金属化区域、第四金属化区域、第五金属化区域、第六金属化区域、第七金属化区域、第八金属化区域、上桥臂的SiC MOSFET、下桥臂的SiC MOSFET、第一垫片、第二垫片、第三垫片及第四垫片；上陶瓷基板的背面设置有第一背部金属化区域、第二背部金属化区域、第三背部金属化区域、第四背部金属化区域、第五背部金属化区域、第六背部金属化区域及第七背部金属化区域，该结构具有低成本、高可靠性、低寄生参数及耐高温的特点。
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公开(公告)号：CN110103742B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910459273.5
申请日：2019-05-29
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种用于电动汽车无线充电的电流锁相及脉冲生成方法，包括以下步骤：获取与副边谐振电流信号同相的方波信号i'L2，DSP处理器将所述方波信号i'L2上升沿作为DSP处理器中PWM1模块的同步信号Sn1，用以初始化PWM1模块中计数器CNT1的相位，当计数器CNT1计数至0时，则产生PWM2模块的同步信号Sn2，通过锁相环控制同步信号Sn2的相位，同步信号Sn2初始化计数器CNT2的相位；当计数器CNT2计数至0时，产生PWM3模块的同步信号Sn3，并以PWM2模块及PWM3模块获得驱动信号Q1、Q2、Q3及Q4，再通过驱动信号Q1、Q2、Q3及Q4控制整流器超前桥臂及滞后桥臂的上开关管及下开关管，该方法能够实现稳定可靠的高频谐振电流的锁相及驱动脉冲生成，并且具有抗干扰特性。
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公开(公告)号：CN111682757A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010437292.0
申请日：2020-05-21
Applicant: 西安交通大学
IPC: H02M3/155
Abstract: 本发明公开了一种用于数据中心电源调压模块的非隔离高降压增益的DC-DC变换器，输入电源的正极经第一开关管与第一电容的正极及第二开关管的一端相连接，第一电容的负极与第三开关管的一端、第一电感的一端、第二电感的一端及第五开关管的一端相连接，第二开关管的另一端及第三开关管的另一端与第二电容的正极相连接，第二电容的负极与第四开关管的一端及第一电感的另一端相连接，第二电感的另一端与负载的一端相连接，负载的另一端、第五开关管的另一端及第四开关管的另一端均与输入电源的负极相连接；第一开关管、第二开关管、第三开关管、第五开关管及第四开关管均为有源开关管，该变换器具有体积小、功率密度高及效率高的特点。
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公开(公告)号：CN110103742A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910459273.5
申请日：2019-05-29
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种用于电动汽车无线充电的电流锁相及脉冲生成方法，包括以下步骤：获取与副边谐振电流信号同相的方波信号i'L2，DSP处理器将所述方波信号i'L2上升沿作为DSP处理器中PWM1模块的同步信号Sn1，用以初始化PWM1模块中计数器CNT1的相位，当计数器CNT1计数至0时，则产生PWM2模块的同步信号Sn2，通过锁相环控制同步信号Sn2的相位，同步信号Sn2初始化计数器CNT2的相位；当计数器CNT2计数至0时，产生PWM3模块的同步信号Sn3，并以PWM2模块及PWM3模块获得驱动信号Q1、Q2、Q3及Q4，再通过驱动信号Q1、Q2、Q3及Q4控制整流器超前桥臂及滞后桥臂的上开关管及下开关管，该方法能够实现稳定可靠的高频谐振电流的锁相及驱动脉冲生成，并且具有抗干扰特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114400210B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202210039284.X
申请日：2022-01-13
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/31
Abstract: 本发明公开了一种双面散热芯片倒装的气密性耐高温封装结构，包括上陶瓷基板、下陶瓷基板及金属密封带；上陶瓷基板的内部设置有第一金属化区域、第二金属化区域、第三金属化区域、第四金属化区域、第五金属化区域、第六金属化区域、第七金属化区域、第八金属化区域、上桥臂的SiC MOSFET、下桥臂的SiC MOSFET、第一垫片、第二垫片、第三垫片及第四垫片；上陶瓷基板的背面设置有第一背部金属化区域、第二背部金属化区域、第三背部金属化区域、第四背部金属化区域、第五背部金属化区域、第六背部金属化区域及第七背部金属化区域，该结构具有低成本、高可靠性、低寄生参数及耐高温的特点。
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公开(公告)号：CN117318330A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311313781.5
申请日：2023-10-11
Applicant: 西安交通大学
Inventor： 穆罕默德·阿布·侯兰 , 李松岩 , 陈文洁 , 伍敏
Abstract: 本发明公开了一种用于自动旋转门供电的无线充电系统，该无线充电系统安装于旋转门的基座上，且位于掩蔽的下方，包括套装在旋转门轴上的接收端线圈，套装在接收端线圈外侧的发射端线圈，设置在发射端线圈外侧的外壳，以及设置在外壳顶部的铁氧体；发射端线圈与原边谐振电容串联构成串联谐振网络，连接在位于底座的逆变器；接收端线圈与副边谐振电容串联构成串联谐振网络，连接在位于旋转门轴的整流器。本发明利用三维线圈进行电能传输，三维线圈相比于平面线圈具有更大的电力传输面积，易于实现高耦合系数和高效率。
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公开(公告)号：CN112564309B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202011380924.0
申请日：2020-11-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多线圈解耦集成的紧凑型无线充电系统，包括高频逆变器电路、谐振网络以及整流器电路；高频逆变器电路，将逆变器输入侧的直流电压转为高频交流电压，用于激励谐振网络；谐振网络，受高频交流电压激励后，线圈产生高频交流电流，激发高频电磁场，使得副边线圈感应出高频电压，从而实现能量从原边传递到副边；整流器电路，将谐振网络输出的高频交流电压，经全桥整流后再经过滤波电容得到直流电压用于后级负载供电。在本发明中，无线充电系统中同一侧的所有线圈均解耦集成，同一侧线圈共用磁芯，且所有线圈中仅主线圈间相互耦合，其它线圈相互解耦，不相干扰，从而减小无线充电系统的体积，并且节约磁芯。
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公开(公告)号：CN114400223A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210039293.9
申请日：2022-01-13
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种高集成的单陶瓷基板双面散热封装结构，包括陶瓷基板、上桥臂的SiC肖特基二极管、上桥臂的SiC MOSFET、下桥臂的SiC肖特基二极管、下桥臂的SiC MOSFET、第一金属端子盖板、第二金属端子盖板、第三金属端子盖板、第四金属端子盖板、第五金属端子盖板、第六金属端子盖板及第七金属端子盖板，该结构具有高集成度、低寄生参数、高散热效率、高功率密度及便于级联的特点。
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公开(公告)号：CN114384298A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210039296.2
申请日：2022-01-13
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种用于双面冷却模块的电流检测和垫块一体式电流传感器，包括以AlN陶瓷为骨架的罗氏线圈，所述罗氏线圈包括顶层、中层、底层，及中间垫块，中间垫块为Cu‑Mo‑Cu合金结构，该传感器能够有效解决安装过程中测量位置和测量角度不固定的问题，同时能够满足高温环境中应用。
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