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公开(公告)号：CN113930744B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202111156039.9
申请日：2021-09-29
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及涂层制备技术领域，具体涉及一种具有高发射阈值的梯度涂层及其制备方法。解决了包裹单一碳化钛涂层的石墨易导致涂层被烧蚀、碳化钛涂层与石墨材料之间的热膨胀不匹配导致涂层在高温下极易脱落的技术问题。本发明一种具有高发射阈值的梯度涂层包括沉积在石墨基底表面的碳涂层以及叠层在碳涂层表面的多层第一复合涂层和沉积在最外层第一复合涂层表面的第二复合涂层，第一复合涂层成分包括硼化钛、碳化钛、碳化硼以及碳；第二复合涂层成分包括硼化钛、碳化钛、碳化硼。同时，本发明(56)对比文件唐运生.“石墨表面碳化钛涂层的制备及其耐强流电子束轰击性能研究”《.中国优秀硕士学位论文全文数据库 工程科技Ⅰ辑》.2021,(第2期),第10页1.2.1节，表1.2，第15页1.4节，第17-18页2.1.1节，图2.1，第21-22页2.2.3节，表2.3，图2.5，第42页第1段，第44页第1段，第47-48页4.4.3节，第53页第2段，第56页第3段.
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公开(公告)号：CN116396677A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310247309.X
申请日：2023-03-14
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及共轭聚合物涂层及其制备方法、真空绝缘子及其制备方法；解决现有沿面耐压的提升方法适用范围有限且耐压提升效果不佳的问题；共轭聚合物涂层的制备方法包括步骤1：制备8≤PH≤9的缓冲溶液；步骤2制备盐酸多巴胺‑苯胺的混合反应溶液：将0.1～0.4％的质量比的盐酸多巴胺以及0.01～0.1％质量比的苯胺，溶解在步骤1的缓冲溶液中，获得盐酸多巴胺‑苯胺的混合反应溶液；步骤3盐酸多巴胺‑苯胺的混合反应溶液冷却凝固后，获得共轭聚合物涂层，本发明还提出基于上述方法的共轭聚合物涂层、真空绝缘子及其制备方法。
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公开(公告)号：CN113930744A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111156039.9
申请日：2021-09-29
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及涂层制备技术领域，具体涉及一种具有高发射阈值的梯度涂层及其制备方法。解决了包裹单一碳化钛涂层的石墨易导致涂层被烧蚀、碳化钛涂层与石墨材料之间的热膨胀不匹配导致涂层在高温下极易脱落的技术问题。本发明一种具有高发射阈值的梯度涂层包括沉积在石墨基底表面的碳涂层以及叠层在碳涂层表面的多层第一复合涂层和沉积在最外层第一复合涂层表面的第二复合涂层，第一复合涂层成分包括硼化钛、碳化钛、碳化硼以及碳；第二复合涂层成分包括硼化钛、碳化钛、碳化硼。同时，本发明还提供了具有高发射阈值的梯度涂层的制备方法，采用化学气相沉积法制备得到性能优异的覆盖在石墨基底表面的梯度涂层。
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公开(公告)号：CN113120915A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110442214.4
申请日：2021-04-23
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷涂层制备方法，具体涉及一种纳米TiB2涂层的制备方法。本发明的目的是解决现有TiB2涂层制备方法存在采用化学气相沉积法时，BCl3对设备及管路的腐蚀性极强，导致成本高、难度大，而采用渗Ti和B的包埋法时，涂层结构致密度差，表面粗糙度大，涂层易残留杂质元素，降低了涂层高温性能的技术问题。通过化学沉积法在样件表面沉积TiC涂层；将沉积有TiC涂层的样件和BN粉料均加入石墨坩埚中，使BN粉料将沉积有TiC涂层的样件完全覆盖；在Ar气氛或Ar和O2的混合气氛或Ar、O2和H2的混合气氛下，以恒定升温速率升至600～2000℃，进行硼化反应；在Ar气氛下自然降温至室温，取出试样，清除其表面附着的BN粉料，获得沉积有纳米TiB2涂层的样件。
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公开(公告)号：CN112652430A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011551276.0
申请日：2020-12-24
Abstract: 本发明属于真空高压绝缘技术领域，是一种表面具有微阵列结构的真空绝缘子及其制备方法。该绝缘子表面为阵列的微空腔结构，相邻空腔间为竖直的薄壁结构，薄壁与空腔组合形成六边形蜂窝状、方形蜂窝、三角形蜂窝及圆孔蜂窝结构。由于空腔壁较薄，使得整个幅面绝大部分面积被空腔占据。该绝缘子可采用激光微刻蚀的方法，通过在绝缘子表面刻蚀出相应形状的空腔结构，并在阵列空腔之间预留一定的薄壁结构，最终得到表面具有蜂窝状微阵列的绝缘子。该绝缘子真空沿面耐压强度较原始绝缘子提高了80％～100％，可应用于真空高压绝缘器件及其他环境下的高压绝缘器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117292905A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311496589.4
申请日：2023-11-10
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种高梯度真空绝缘子及其制备方法，用以解决现有高梯度真空绝缘子因气密性差导致其耐压稳定性差和高压装置的运行稳定性差，及难以满足高压装置对真空绝缘强度要求的技术问题。该绝缘子包括：具有真空腔的柱状绝缘子本体和多个均压环；绝缘子本体的外壁沿周向开设有多个相互平行且同心的环槽，相邻环槽的轴向间距相等；环槽的形状、尺寸分别与均压环的形状、尺寸相适配，多个均压环分别镶嵌在多个环槽内，均压环的外表面与绝缘子本体的外表面平齐。制备方法步骤为：加工绝缘子本体；在绝缘子本体外壁加工环槽；在模具中浇注金属液制备均压环；加工形成最终高梯度真空绝缘子。
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公开(公告)号：CN113097032B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202110443718.8
申请日：2021-04-23
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微波激射器，具体涉及一种微波激射器用长寿命微柱阵列石墨和金属的复合阴极结构及其制备方法。本发明的目的是解决现有微柱石墨阴极结构存在凸起发射结构消耗严重，甚至完全失去凸起发射结构，从而失去稳定发射电子束流的作用，并且石墨材料自身的多孔结构经电子束轰击后易释气，导致系统的真空度下降、束波的耦合效率降低以及系统器件绝缘性下降的技术问题。该阴极结构包括微柱阵列石墨阴极，该微柱阵列石墨阴极包括刀口状环形石墨阴极基体，以及阵列式设置于刀口状环形石墨阴极基体刀口处表面的多个石墨微柱，其改进之处在于：所述刀口状环形石墨阴极基体的表面以及各个石墨微柱的顶端和侧壁都均匀粘附有金属涂层，所述金属涂层采用难熔金属。
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公开(公告)号：CN113120915B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202110442214.4
申请日：2021-04-23
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷涂层制备方法，具体涉及一种纳米TiB2涂层的制备方法。本发明的目的是解决现有TiB2涂层制备方法存在采用化学气相沉积法时，BCl3对设备及管路的腐蚀性极强，导致成本高、难度大，而采用渗Ti和B的包埋法时，涂层结构致密度差，表面粗糙度大，涂层易残留杂质元素，降低了涂层高温性能的技术问题。通过化学沉积法在样件表面沉积TiC涂层；将沉积有TiC涂层的样件和BN粉料均加入石墨坩埚中，使BN粉料将沉积有TiC涂层的样件完全覆盖；在Ar气氛或Ar和O2的混合气氛或Ar、O2和H2的混合气氛下，以恒定升温速率升至600～2000℃，进行硼化反应；在Ar气氛下自然降温至室温，取出试样，清除其表面附着的BN粉料，获得沉积有纳米TiB2涂层的样件。
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公开(公告)号：CN113593791B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202110808779.X
申请日：2021-07-16
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种表面具有二级微结构的绝缘子的制备方法。该绝缘子包括绝缘子基体与绝缘子表面的二级微结构；二级微结构的第一级结构为槽结构，第二级结构为通过喷丸处理工艺存在于第一级结构内表面，以及绝缘子基体表面未刻槽区域的粗糙结构；槽结构的尺寸为数十微米至数毫米；粗糙结构的尺寸为数百纳米至数微米。通过这种设计，闪络发展中二次电子的发射会在不同尺度上分别受到槽结构与表面粗糙结构的双重抑制，达到对闪络发展的多级抑制，提升绝缘子闪络电压的目的。
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公开(公告)号：CN112652430B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202011551276.0
申请日：2020-12-24
Abstract: 本发明属于真空高压绝缘技术领域，是一种表面具有微阵列结构的真空绝缘子及其制备方法。该绝缘子表面为阵列的微空腔结构，相邻空腔间为竖直的薄壁结构，薄壁与空腔组合形成六边形蜂窝状、方形蜂窝、三角形蜂窝及圆孔蜂窝结构。由于空腔壁较薄，使得整个幅面绝大部分面积被空腔占据。该绝缘子可采用激光微刻蚀的方法，通过在绝缘子表面刻蚀出相应形状的空腔结构，并在阵列空腔之间预留一定的薄壁结构，最终得到表面具有蜂窝状微阵列的绝缘子。该绝缘子真空沿面耐压强度较原始绝缘子提高了80％～100％，可应用于真空高压绝缘器件及其他环境下的高压绝缘器件。
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