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公开(公告)号：CN116926540A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310881450.5
申请日：2023-07-18
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: C23C26/00
Abstract: 本发明涉及陶瓷涂层技术，具体涉及一种多孔TiC涂层的制备方法，解决现有技术中存在的烧结法、热喷涂法所制备涂层结合力差，且难以涂覆小型内腔结构，工艺复杂，以及微弧氧化法形成的氧化涂层厚度和孔隙率有限的不足之处。本发明的多孔TiC涂层的制备方法，金属基体与造孔剂在Ar气氛或Ar和O2的混合气氛下发生原位反应，得到覆盖在金属基体表面的多孔涂层；其中，所述金属基体中包括Ti，所述造孔剂中包括碳化硅，产生的涂层与基体的结合力好，同时可以实现在基体的内腔表面进行涂层制备。
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公开(公告)号：CN116913745A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310881449.2
申请日：2023-07-18
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01J23/027 , H01J23/00 , H01J9/02
Abstract: 本发明涉及高功率微波技术，具体涉及多层结构复合强流电子束收集极及其制备方法，为解决现有技术中收集极在高能量电子束轰击下易发生熔融烧蚀、释气，导致高功率微波器件输出功率下降以及运行稳定可靠性降低的不足之处。本发明的多层结构复合强流电子束收集极为圆筒形结构，圆筒形结构的侧壁沿径向由内向外依次为第一陶瓷涂层、金属基体和第二陶瓷涂层；金属基体的材质为纯钛或钛合金，第一陶瓷涂层为TiB@Ti3SiC2，第二陶瓷涂层为多孔碳化钛陶瓷材质，保持了金属优良的力学性能，又具有陶瓷一般的耐温性能，同时又集成了多孔结构的散热性能，是一种兼顾力学、耐温及散热于一体的多层结构复合强流电子束收集极。
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公开(公告)号：CN116487237A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310370518.3
申请日：2023-04-07
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种降低阳极三结合点电场强度的绝缘堆栈及其制备方法，用于解决现有的一体化高压真空绝缘堆栈阳极三结合点的电场强度过大，导致绝缘堆栈容易发生闪络或被击穿的技术问题。本发明的绝缘堆栈中金属均压环内侧同轴周向设置有环形的第一屏蔽结构；第一屏蔽结构包括高于金属均压环上端面的第一环形凸起，以及设置在第一环形凸起下端面的第二环形凸起；第一环形凸起延伸出第二环形凸起侧壁的底面和与其连接的第二凸起侧壁之间形成夹角θ，用于使第一环形凸起与第二环形凸起靠近相应三角斜槽的一端形成电场屏蔽功能，以降低相应阳极三结合点的电场强度。
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公开(公告)号：CN116313335A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310242214.9
申请日：2023-03-14
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及表面具有共轭分子基团的陶瓷真空绝缘子制备方法及绝缘子；解决陶瓷绝缘子真空沿面耐压性能低，且无论是直接氟化还是等离子体辅助氟化均不能用于提升陶瓷真空绝缘子的沿面耐压水平，将聚合物薄膜制备在陶瓷真空绝缘子表面提升其沿面闪络电压时面临着易脱落的问题；包括1：制备共轭分子基团反应溶液，同时对陶瓷真空绝缘子样件进行羟基化；2：将陶瓷真空绝缘子样件放入共轭分子基团反应溶液内静置反应6‑24h；3：将陶瓷真空绝缘子样件浸渍清洗后，除去多余共轭分子基团反应溶液；4：将陶瓷真空绝缘子样件干燥后，升温到110‑120℃，进行2‑4h的高温键合，获得表面具有共轭分子基团的陶瓷真空绝缘子；本发明还提出上述方法制备的绝缘子。
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公开(公告)号：CN116190020A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310242034.0
申请日：2023-03-14
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及介电性能呈梯度分布的复合绝缘材料及制备方法、真空绝缘子及制备方法，解决现有技术虽能实现功能梯度材料的构筑，但机械性能差，制备效率低，梯度分布效果差、较难投入应用的问题，复合绝缘材料制备方法包括1：将基质材料放入挤出机的其中一个进料口，融化后获得液态基质材料；将掺杂剂放入挤出机的另一个进料口；2打开挤出机，保持液态基质材料进料速度不变，控制掺杂剂进料速度呈线性或非线性变化，液态基质材料与掺杂剂经过挤出机混合后，获得掺杂剂梯度分布的液态复合绝缘材料；3将液态复合绝缘材料照时间顺序挤入模具，冷却固化后获得固态复合绝缘材料，本发明还提出基于上述方法的复合绝缘材料、真空绝缘子及制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113594873A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110807164.5
申请日：2021-07-16
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01T1/22
Abstract: 本发明公开了一种表面具有金属微柱阵列的电极及其制备方法。该电极的表面为直径在数十微米到数百微米量级的金属微柱阵列结构。相比于平面电极结构，本发明的电极结构能够在每个金属微柱的顶端增强电场，在高电压的作用下，每个金属微柱均能有效的发射电子；保证了电极发射电子位置的稳定性，有效降低发射电压的分散性。为实现该电极结构的制备，提出了一种结合覆膜‑激光阵列刻蚀‑空间受限电镀的制备方法。首先将金属表面清洗干净，在表面覆上绝缘膜，而后通过激光刻蚀的方式在覆膜的表面刻蚀出阵列圆柱孔，接着通过电镀的方式，将阵列圆柱孔内部电镀上金属，最后通过高温碳化的方式除去多余的绝缘膜，得到表面具有金属微柱阵列的电极。
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公开(公告)号：CN113593792A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110808784.0
申请日：2021-07-16
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有凝胶层的真空绝缘子及其制备方法。该绝缘子由固态绝缘子基体和基体表面涂覆的液态凝胶层两部分组成，所制备的凝胶层能够稳定地存在于绝缘子表面，能在静止状态下保持稳定，在动力驱动下具有一定的流动性。凝胶层的制备能够大幅提升绝缘子真空沿面闪络电压。
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公开(公告)号：CN113593791A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110808779.X
申请日：2021-07-16
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种表面具有二级微结构的绝缘子及其制备方法。该绝缘子包括绝缘子基体与绝缘子表面的二级微结构；二级微结构的第一级结构为槽结构，第二级结构为通过喷丸处理工艺存在于第一级结构内表面，以及绝缘子基体表面未刻槽区域的粗糙结构；槽结构的尺寸为数十微米至数毫米；粗糙结构的尺寸为数百纳米至数微米。通过这种设计，闪络发展中二次电子的发射会在不同尺度上分别受到槽结构与表面粗糙结构的双重抑制，达到对闪络发展的多级抑制，提升绝缘子闪络电压的目的。
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公开(公告)号：CN113109675A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110390623.4
申请日：2021-04-12
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明提供一种用于绝缘堆栈真空沿面闪络的图像诊断装置及方法，解决现有光学成像技术难以运用到绝缘堆栈环形目标空间内脉冲放电图像诊断的问题。该装置包括光学支架、法兰筒、光学探头、相机、控制显示单元、光电探测器以及示波器；光学支架沿径向开设圆周均布N个图像诊断孔和与图像诊断孔相邻的Q个光脉冲测量孔，2≤N≤48，2≤Q≤4；法兰筒与光学支架同轴固连，法兰筒外圆面设有环状支撑架；光学探头为M个，M＝N+Q，M个光学探头分别穿设在N个图像诊断孔和Q个光脉冲光测量孔内；N个图像诊断孔上N个光学探头与相机连接，相机与控制显示单元相连；Q个光脉冲测量孔上Q个光学探头与光电探测器连接，光电探测器与示波器相连。
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公开(公告)号：CN108767660A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810503409.3
申请日：2018-05-23
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明的一种微槽结构阴极气体火花开关，属于脉冲功率技术领域。包括微槽结构阴极、绝缘气体、金属阳极、开关腔体四个部分。开关整体为轴对称形式，微槽结构阴极是由表面具有周期性平行V形微槽阵列结构的金属或石墨阴极。金属或石墨阴极和金属阳极均为布鲁斯形状，微槽结构阴极和金属阳极的间隙距离可以调节，绝缘气体种类和压强可以改变，开关微槽结构阴极左侧与脉冲功率装置连接，开关金属阳极右侧与脉冲功率装置连接。本发明应用于脉冲功率装置中，气体火花开关工作电压为百千伏级，解决了气体火花开关击穿电压分散性大等问题，同时阴极放电产物对电极和绝缘支撑板性能影响很小，提高了开关的可靠性，保证了脉冲功率装置的稳定运行。
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