一种增透型转光玻璃膜层及其制备方法

    公开(公告)号:CN115557709B

    公开(公告)日:2024-12-10

    申请号:CN202211399307.4

    申请日:2022-11-09

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种增透型转光玻璃膜层及其制备方法,具体的,将含有光伏玻璃镀膜液与下转换材料前驱体的溶液涂覆在光伏玻璃表面,然后煅烧,得到增透型转光玻璃膜层。本发明通过将镀膜液作为载体,与下转换材料的前驱体相结合,均匀涂覆在玻璃表面,然后通过共烧原位制备一种具有增透型转光玻璃膜层,相对于传统镀膜玻璃,透光率大幅提升;同时可以将紫外光转化成电池利用效率最高的619 nm左右红光。本发明解决了通常下转换材料应用光伏电池的遮光问题,从而提高电池的光电转换效率;同时应用于光伏组件,还能起到抗紫外的效果。该方法制备过程较为简单,成本低廉,有望于大规模应用于光伏行业。

    太阳能电池及其制备方法
    22.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116190465A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202111418131.8

    申请日:2021-11-26

    Abstract: 本发明提供一种太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池包括:太阳能电池模组;贴附于所述太阳能电池模组的一侧表面上的电极薄膜,所述电极薄膜包括:透明基层、透明压印层和形成于所述透明压印层内或所述透明压印层一侧表面的导电材料层,所述导电材料层与所述太阳能电池模组电性连接以形成所述太阳能电池模组的电极;其中,所述电极薄膜和所述太阳能电池模组通过层压贴合。这样得到的太阳能电池具备高透过率,光电转换效率高,同时该制备方法,可方便的进行批量生产,成本低。

    基于微区金属化的电极制备方法及太阳能电池

    公开(公告)号:CN115976588A

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202111198158.0

    申请日:2021-10-14

    Applicant: 苏州大学

    Inventor: 苏晓东 邹帅

    Abstract: 本发明揭示了一种基于微区金属化的电极制备方法及太阳能电池,所述方法包括:在模板上制备与电极图案相对应的凹槽,形成阴模;在阴模的凹槽中注入含有金属离子的镀液;将待镀产品与阴模紧密吸附,以使凹槽内的镀液与待镀产品接触;在待镀产品表面化学镀和/或电镀形成与凹槽形状对应的电极。本发明基于微区金属化的电极制备方法,无需复杂的掩膜和图形开窗工艺,缩短了工艺流程,降低了制造成本;与传统电镀工艺相比,本发明可大幅降低电镀液的用量和耗量,从而大幅降低了废液处理的难度和成本。

    复合结构硅微针的制备方法

    公开(公告)号:CN113230530B

    公开(公告)日:2022-09-16

    申请号:CN202110480073.5

    申请日:2021-04-30

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明揭示了一种复合结构硅微针的制备方法,所述制备方法包括:S1、在硅片上制备若干阵列分布的微米针状结构;S2、在微米针状结构的顶部、侧壁及硅片上未被微米针状结构覆盖的区域制备若干次级微结构。本发明中微米针状结构和次级微结构的复合结构能够增大硅微针的表面积或改善表面亲水性,大大增加了硅微针的带药量,从而提高了透皮给药的效率;且制备工艺简单,成本较低,适合大批量产业化生产。

    晶硅太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN111739954A

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN202010623146.7

    申请日:2020-06-30

    Abstract: 本发明揭示了一种晶硅太阳能电池及其制备方法,所述晶硅太阳能电池包括:晶硅,包括N型半导体层和P型半导体层,所述晶硅包括相对设置的第一表面和第二表面;介质层,位于晶硅的第一表面上,所述介质层的表面形成有纳米陷光结构;第一电极,与晶硅中的N型半导体层电性连接;第二电极,与晶硅中的P型半导体层电性连接。现有技术中的黑硅电池片的纳米陷光结构制备于晶硅表面,制备工艺对电池片的电学性能有很大影响;而本发明纳米陷光结构制备于介质层表面,可以最大限度避免制备纳米陷光结构工艺对电池片电学性能的影响,同时大幅降低电池表面的反射率,从而提高电池片的光电转换效率。

    黑硅光阴极的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN106374000B

    公开(公告)日:2018-01-09

    申请号:CN201610963328.2

    申请日:2016-10-28

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种黑硅光阴极的制备方法,包括以下步骤:S1、提供一硅片;S2、将硅片放入氢氟酸溶液中清洗,再放入氢氧化钾和异丙醇的混合溶液中反应,最后在盐酸和过氧化氢的混合溶液中反应,在硅片表面进行制绒;S3、将具有绒面的硅片放入氢氟酸溶液中清洗,然后放入金属盐溶液中反应,将反应完的硅片放入氢氟酸和过氧化氢的混合溶液中反应,对硅片表面的绒面进行刻蚀;S4、在刻蚀后的硅片表面沉积活性薄膜层,活性薄膜层包括钴、镍、钴化合物、镍化合物中的一种或多种,得到黑硅光阴极。本发明中的黑硅光阴极在硅片的绒面上进一步沉积活性薄膜层,可有效提高黑硅光阴极的光电转换性能,大大提高了光电器件的光开路电压,能够增加光电转换效率。

    光降解净化装置及其制造方法与净化方法

    公开(公告)号:CN106673114A

    公开(公告)日:2017-05-17

    申请号:CN201611016211.X

    申请日:2016-11-14

    Applicant: 苏州大学

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02W10/37 C02F1/30 H01L31/042

    Abstract: 本发明公开了一种光降解净化装置及其制造方法与净化方法,所述光降解净化装置包括光电转换组件、以及与光电转换组件的正极和负极电性连接的第一电极和第二电极,所述光电转换组件用于将入射光线转换为光生载流子,所述第一电极和/或第二电极为钛‑二氧化钛肖特基结电极,钛‑二氧化钛肖特基结电极包括钛片及形成于钛片表面的二氧化钛氧化层。本发明的光降解净化装置结构简单,制备方便,且光降解效率较高,可广泛应用于光催化废水处理。

    PLZT铁电光伏器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN102832266B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201210329966.0

    申请日:2012-09-07

    Applicant: 苏州大学

    Inventor: 苏晓东 代智华

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种铁电光伏器件,包括上电极、金属下电极以及位于该两电极之间的铁电材料。所述的铁电材料如锆钛酸铅镧(PLZT)、锆钛酸铅(PZT)、钛酸钡(BTO)或铋铁氧(BFO)等,所述上电极为氧化铟锡(ITO)或铝掺杂氧化锌(AZO)等透明电极材料,所述金属下电极为如Ag、Al或Mg电极等低功函数的金属。本发明还公开了一种铁电光伏器件的制备方法。本发明基于低功函数金属的光电效应和铁电材料的光伏效应,通过材料设计和能带工程,提高这类铁电光伏器件的光伏特性;将传统宽带隙铁电光伏器件光响应波长从紫外光扩展到可见光范围;拓宽了铁电光伏器件的应用领域。

    双界面调控的n型单晶硅的处理方法

    公开(公告)号:CN104900412A

    公开(公告)日:2015-09-09

    申请号:CN201510158432.X

    申请日:2015-04-03

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种双界面调控的n型单晶硅的处理方法,其包括如下步骤:S1.提供n型硅片,在n型硅片的背面制作Al掺杂的p+发射极,对背面制作有Al掺杂的p+发射极的n型硅片进行预退火处理,之后再对其进行二次退火处理;S2.在n型硅片的正面进行制绒,并对制绒面进行清洗;S3.在清洗过的制绒面上沉积形成Al2O3薄膜层;S4.在形成的Al2O3薄膜层进行贵金属修饰。本发明的双界面调控的n型单晶硅的处理方法使得光电化学电池中光生电子与空穴之间的俄歇复合率明显降低,且稳定性增强、使用寿命长,同时具有较高的光解水效率。

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