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公开(公告)号：CN108203834A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201810024577.4
申请日：2018-01-10
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种三元复合硅基光电极及其制备方法，所述方法包括以下步骤：S1、提供一硅片，刻蚀在硅片表面形成纳米结构；S2、采用滴液法将量子点二硫化钼分散液分散到硅片表面，在硅片表面形成量子点二硫化钼；S3、在硅片表面继续沉积活性薄膜层，活性薄膜层包括钴、镍、钴化合物、镍化合物中的一种或多种，得到三元复合硅基光电极。本发明采用两步法分别沉积量子点二硫化钼与活性薄膜层，能够将开路电压由0V以下提高到0.4V以上，量子点二硫化钼可以促进光生载流子分离而又不影响光吸收，活性薄膜层则能够降低硅片/溶液界面的阻抗，进一步提高光电化学转换性能。
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公开(公告)号：CN106374000B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201610963328.2
申请日：2016-10-28
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种黑硅光阴极的制备方法，包括以下步骤：S1、提供一硅片；S2、将硅片放入氢氟酸溶液中清洗，再放入氢氧化钾和异丙醇的混合溶液中反应，最后在盐酸和过氧化氢的混合溶液中反应，在硅片表面进行制绒；S3、将具有绒面的硅片放入氢氟酸溶液中清洗，然后放入金属盐溶液中反应，将反应完的硅片放入氢氟酸和过氧化氢的混合溶液中反应，对硅片表面的绒面进行刻蚀；S4、在刻蚀后的硅片表面沉积活性薄膜层，活性薄膜层包括钴、镍、钴化合物、镍化合物中的一种或多种，得到黑硅光阴极。本发明中的黑硅光阴极在硅片的绒面上进一步沉积活性薄膜层，可有效提高黑硅光阴极的光电转换性能，大大提高了光电器件的光开路电压，能够增加光电转换效率。
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公开(公告)号：CN108203834B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201810024577.4
申请日：2018-01-10
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种三元复合硅基光电极及其制备方法，所述方法包括以下步骤：S1、提供一硅片，刻蚀在硅片表面形成纳米结构；S2、采用滴液法将量子点二硫化钼分散液分散到硅片表面，在硅片表面形成量子点二硫化钼；S3、在硅片表面继续沉积活性薄膜层，活性薄膜层包括钴、镍、钴化合物、镍化合物中的一种或多种，得到三元复合硅基光电极。本发明采用两步法分别沉积量子点二硫化钼与活性薄膜层，能够将开路电压由0V以下提高到0.4V以上，量子点二硫化钼可以促进光生载流子分离而又不影响光吸收，活性薄膜层则能够降低硅片/溶液界面的阻抗，进一步提高光电化学转换性能。
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公开(公告)号：CN106374000A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610963328.2
申请日：2016-10-28
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425
Abstract: 本发明公开了一种黑硅光阴极的制备方法，包括以下步骤：S1、提供一硅片；S2、将硅片放入氢氟酸溶液中清洗，再放入氢氧化钾和异丙醇的混合溶液中反应，最后在盐酸和过氧化氢的混合溶液中反应，在硅片表面进行制绒；S3、将具有绒面的硅片放入氢氟酸溶液中清洗，然后放入金属盐溶液中反应，将反应完的硅片放入氢氟酸和过氧化氢的混合溶液中反应，对硅片表面的绒面进行刻蚀；S4、在刻蚀后的硅片表面沉积活性薄膜层，活性薄膜层包括钴、镍、钴化合物、镍化合物中的一种或多种，得到黑硅光阴极。本发明中的黑硅光阴极在硅片的绒面上进一步沉积活性薄膜层，可有效提高黑硅光阴极的光电转换性能，大大提高了光电器件的光开路电压，能够增加光电转换效率。
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