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公开(公告)号：CN1427476A
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：CN01143894.0
申请日：2001-12-18
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L23/532 , H01L21/3205 , H01L21/768
Abstract: 本发明揭露了一种应用于半导体集成电路中的双层硅碳化合物阻障层及其形成方法。本发明的双层硅碳化合物阻障层覆盖于一金属导线层以及一第一介电层上。该双层硅碳化合物阻障层利用等离子体加强化学气相沉积制作工艺形成，其具有一氮掺杂硅碳化合物底层以及一氧掺杂硅碳化合物上层。此外，该氮掺杂硅碳化合物底层具有一最小厚度，用以避免该金属导线层的金属原子扩散至一第二介电层中，同时避免该掺杂氧硅碳化合物上层中的氧原子扩散至该金属导线层中。
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