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    发光装置
    21.
    发明公开
    发光装置 有权 转让

    公开(公告)号：CN101242691A

    公开(公告)日：2008-08-13

    申请号：CN200810005808.3

    申请日：2008-02-05

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 洼田岳彦

    IPC: H05B33/26 ,  H05B33/22 ,  H05B33/14

    CPC classification number: H01L27/3276 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/5228 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253

    Abstract: 本发明的目的在于，缩小发光装置的额缘区域，并抑制发光元件的亮度不均。发光装置(1)中，在元件层(30)上顺次层叠有第二层间绝缘膜(35)、辅助电极(150)和公共电极(72)。辅助电极(150)的端(E4)按照在基板(10)的面内位于相对公共电极(72)的端(E2)更外侧的位置的方式形成，公共电极(72)的端(E2)位于相对第二层间绝缘膜(35)的端(E1)更靠向外侧的位置。辅助电极(150)在不与公共电极(72)重合的部分具有与向公共电极(72)供给电位的第二电极用电源线相接的部分。

    电光学装置和电子设备
    24.
    发明授权
    电光学装置和电子设备 有权 转让

    公开(公告)号：CN101154348B

    公开(公告)日：2012-09-05

    申请号：CN200710161869.4

    申请日：2007-09-27

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 高桥香十里 ,  洼田岳彦

    IPC: G09G3/30 ,  G09G3/32 ,  H05B33/08 ,  H05B33/14 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  G09F9/30

    Abstract: 本发明提供一种电光学装置。驱动晶体管生成与其栅极电位相应的驱动电流。OLED元件以与驱动电流相应的亮度发光。晶体管切换驱动晶体管Tdr的栅极和漏极之间的导通和非导通。电容元件具有第一电极和第二电极。第二电极连接于驱动晶体管的栅极。晶体管插入在供给数据电位的数据线和第一电极之间。电容元件被设置在电容元件和数据线之间，并且连接于电源线和驱动晶体管的栅极之间。由此，可为显示质量的提高做出贡献。

    发光装置及电子机器
    25.
    发明公开
    发光装置及电子机器 有权 转让

    公开(公告)号：CN102244089A

    公开(公告)日：2011-11-16

    申请号：CN201110187972.2

    申请日：2007-01-23

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 洼田岳彦 ,  神田荣二 ,  野泽陵一

    IPC: H01L27/32

    CPC classification number: H01L27/3244 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/326 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/5228

    Abstract: 发光装置，具备：与选择信号对应地成为导通状态或截止状态的选择晶体管，与选择晶体管重叠，且形成开口部的绝缘层；第1电极与覆盖绝缘层的第2电极，至少在开口部的内侧隔着发光层相对的发光元件；通过成为导通状态的选择晶体管，按照由数据线供给的数据信号，控制供给发光元件的电流量的驱动晶体管；以及用电阻率比第2电极低的材料在绝缘层的面上形成，与第2电极导通的辅助布线，选择晶体管，与辅助布线重叠。能够降低发光装置的各部寄生电容。

    发光装置
    26.
    发明公开
    发光装置 有权 转让

    公开(公告)号：CN101242692A

    公开(公告)日：2008-08-13

    申请号：CN200810005811.5

    申请日：2008-02-05

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 洼田岳彦

    IPC: H05B33/26 ,  H05B33/22 ,  H05B33/14

    Abstract: 本发明提供一种发光装置(1)，其中，在元件层(30)上依次层叠有第二层间绝缘膜(35)、辅助电极(150)、公共电极(72)。辅助电极(150)的端(E4)以位于比公共电极(72)的端(E1)在基板(10)的面内更靠外侧的位置的方式形成，公共电极(72)的端(E1)以位于比第二层间绝缘膜(35)的端(E2)更靠内侧的位置的方式形成。辅助电极(150)具有和向公共电极(72)供给电位的第二电极用电源线重合且电连接的部分。从而可以缩小发光装置的额缘区域，并且可抑制发光元件的亮度偏差。

    发光装置和电子设备
    27.
    发明公开
    发光装置和电子设备 有权

    公开(公告)号：CN101160001A

    公开(公告)日：2008-04-09

    申请号：CN200710162268.5

    申请日：2007-09-30

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 洼田岳彦

    IPC: H05B33/04 ,  G09F9/30

    CPC classification number: H05B33/04 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5253

    Abstract: 本发明的发光装置具有：基板(10)；形成在基板(10)上并具有夹着发光层的阳极(81)和阴极的多个OLED(50)；形成在基板(10)上并把多个OLED(Organic Light Emitting Diode)(50)的阳极和阴极彼此绝缘的绝缘膜(18)；形成在基板(10)上并位于绝缘膜(18)的外侧的周边壁(20)；形成在基板(10)上并覆盖多个OLED(50)和绝缘膜(18)的密封层。密封层由1层或多层的薄膜构成，构成密封层的薄膜中最大膜厚最厚的薄膜(有机缓冲膜(22)或气体阻挡膜(24))的边缘位于绝缘膜(18)和周边壁(20)之间。因此，在发光装置中，即使用位置精度低的形成方法形成构成密封层的1层或多层的薄膜，也能实现窄框化。

    发光装置及其制造方法和电子仪器
    28.
    发明公开
    发光装置及其制造方法和电子仪器 无效

    公开(公告)号：CN101047201A

    公开(公告)日：2007-10-03

    申请号：CN200710088489.2

    申请日：2007-03-27

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 洼田岳彦

    IPC: H01L27/32 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768

    CPC classification number: H01L51/5234 ,  H01L27/3246 ,  H01L2251/5315

    Abstract: 本发明提供发光装置机器制造方法。其中，元件阵列部A上沿X方向及Y方向排列多个发光元件E。各发光元件E包括：第一电极21及第二电极22和介于两电极间的发光层23。辅助布线27由电阻率低于第二电极22的材料形成，并且与各发光元件E的第二电极22连接。第i行与第(i+1)行之间的间隙S1比第(i+1)行与第(i+2)行之间的间隙S2宽。辅助步骤27在间隙S1内沿X方向延伸。在间隙S2内未形成辅助布线27。从而，可兼顾孔径比的提高和阴极的电压下降的抑制。

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