半导体晶片的再生方法和研磨用组合物

    公开(公告)号:CN102725374A

    公开(公告)日:2012-10-10

    申请号:CN201180007110.5

    申请日:2011-01-21

    Abstract: 提供一种研磨用组合物,其用于研磨半导体晶片表面以将具有台阶的半导体的表面平坦化并且由此再生所述半导体晶片。所述研磨用组合物至少包括台阶消除剂,所述台阶消除剂吸附至半导体晶片表面并且起到防止在研磨期间蚀刻在所述表面上的台阶底部的作用。所述台阶消除剂为,例如,水溶性高分子或表面活性剂,更具体地,聚乙烯醇类、聚乙烯吡咯烷酮类、聚乙二醇类、纤维素类、羧酸型表面活性剂、磺酸型表面活性剂、磷酸酯型表面活性剂或氧化烯类聚合物。

    物品的制造方法
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108068005A

    公开(公告)日:2018-05-25

    申请号:CN201711106965.9

    申请日:2017-11-10

    CPC classification number: B24B37/044 B24B37/0056 C09K3/1463

    Abstract: 本发明提供一种物品的制造方法,提供抑制加工对象物的强度降低、并且将该加工对象物的表面调整为平滑面与粗糙面之间的中间质感的技术。根据本发明,提供具有表面粗糙度Rz为1μm以上粗糙化的霜样表面的物品的制造方法。该方法依次包括如下工序:粗糙化工序,使用包含平均粒径5μm以上且30μm以下的磨粒A1的研磨液S1和研磨垫P1对加工对象面进行研磨,由此使该加工对象面的表面粗糙度Rz上升;精加工研磨工序,使用包含磨粒A2的研磨液S2和研磨垫P2对上述加工对象面进行研磨,由此使该加工对象面的表面粗糙度Rz降低。其中,作为上述研磨垫P2,使用比上述研磨垫P1硬度高的研磨垫。

Patent Agency Ranking