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公开(公告)号：CN116544682A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310733496.2
申请日：2023-06-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及超材料领域，具体为一种双极化超宽带的三维吸波结构超材料。本发明通过引入四棱台支撑体，在其侧壁设置全覆盖的电阻膜构成吸波结构，并以矩阵的方式将吸波结构排布获得超材料，从而在2.1GHz‑18GHz频带范围内实现电磁波吸收率大于90％，相对带宽接近160％，具备超宽带吸波性能。并进一步的，通过非对称三维吸波结构引入各向异性，对各向同性下，TE极化在大角度时表现出的恶化情况进行改进，使得在0°至65°宽角斜入射范围内，TE和TM两种极化均实现高效吸收。本发明为双极化超宽带宽角吸波体设计提供了一种新的思路，可结合当下3D打印技术快速制备，不需要任何磁性材料或复合材料，具有较大应用潜力。
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公开(公告)号：CN116050168A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310114104.4
申请日：2023-02-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本发明涉及航空航天技术领域，特别涉及一种用于典型边缘RCS减缩的边缘接口设计方法。本发明利用高斯曲面对边缘进行整形，通过高斯函数去构建一个高阶曲面，将原有边缘形态改变，从而降低边缘散射的影响，通过公式的推导，得到高阶曲面侧轮廓线表达式；再根据实例建立模型进行优化，再进行仿真模拟，本发明方法在电磁波水平极化下的大角度范围内对于边缘散射有较好的减缩性能，能够有效的降低水平(HH)极化下的边缘RCS。本发明可操作性强，所需的计算资源小，易于实现，在微波隐身领域具有广泛的应用前景，值得推广。
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公开(公告)号：CN115360523A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210870683.0
申请日：2022-07-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，特别涉及一种基于奇点相消的低RCS超表面结构设计方法。本发明基于人工电磁超表面，利用其特殊的电磁性能，设计覆盖2π相位的基本单元结构，改变电磁波的波前相位，构成形成涡旋波的电磁结构超表面。其中，OAM采用平面波进行相位补偿实现带有奇点的涡旋波，具有极低RCS特征；并通过优化设计相位梯度，得到具有完全相反的正负奇点的一对OAM，再组合；利用两个相反方向的涡旋波相消的特征，使得平面波在垂直入射的条件下，实现了工作频点的单站RCS减缩，从而有效控制目标体的电磁散射，取得极低RCS，为RCS减缩技术提供了新的思路和方法，在微波领域具有广阔的发展前景。
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公开(公告)号：CN115220134A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210659856.4
申请日：2022-06-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于红外隐身领域，具体涉及一种疏水红外低发射镜面低反射材料及其制备方法。本发明通过把表面微/纳结构的疏水性及低反射特性与金属材料本身的低发射率特性相结合，改变薄膜的厚度，调控薄膜的疏水性及发射率特性，降低镜面反射，使其镜面反射率≤0.1，红外发射率≤0.63，从而同时实现兼具疏水性的红外低发射镜面低反射特性，有效改善了当前红外隐身材料的全方位、全天候红外隐身效果，以解决当前红外隐身材料不能兼具低发、低反和防污导致红外隐身性能降低的问题。并且所用材料成本低廉、便于大量采购，且制备工艺简单、便于大规模的制备。
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公开(公告)号：CN109534825B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201910039952.7
申请日：2019-01-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B41/85
Abstract: 本发明属于超高温材料领域，具体涉及一种原位合成惰性玻璃相包覆的ZrB2及其制备方法。本发明通过在起始粉末中添加低于ZrB2合成温度的高稳定氟化物MFx，使得在高温烧结原位合成ZrB2同时，抑制B2O3挥发，提高了ZrB2粉体纯度；利用MFx这一化学惰性物质的稳定性，及其熔点低于该反应合成温度且不易于反应物发生反应的特性，在高温条件下合成ZrB2的同时使MFx产生的液态玻璃相包覆在生成物ZrB2的表面，以隔绝氧气与ZrB2颗粒的直接接触，提高其高温抗氧化性，使得在各温度段均可实现抗氧化。本发明提供的ZrB2@MFx材料，在各温度段均可实现抗氧化，使得ZrB2超高温陶瓷在航空航天领域有更加广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109337114A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811329104.1
申请日：2018-11-09
Applicant: 电子科技大学 , 成都佳驰电子科技有限公司
CPC classification number: C08J9/40 , C08J2363/00 , C08J2377/10 , C08J2463/00 , C08J2477/10 , H05K9/0081
Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种半壁浸渍蜂窝吸波材料设计及应用方法。本发明仅浸渍蜂窝远离入射表面的半个孔壁，通过空白蜂窝侧壁表面来提升入射面与空气的阻抗匹配特性，并且相比于全壁浸渍蜂窝，有效减小了蜂窝整体的介电常数，使电磁波能更好的进入蜂窝吸波材料内部而被吸收掉；利用蜂窝孔六角周期排列的半侧壁形成面对入射波凹凸起伏的吸收层，进一步提升其吸收性能；并且在沿蜂窝孔径轴向方向和电磁波入射方向均设计有吸波涂层厚度梯度，使得材料的介电常数在两个维度均存在梯度变化，在较宽频带范围内诱导电磁波向材料底部传播，并使其在吸波材料结构中多次反射，扩大了吸收带宽。
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公开(公告)号：CN105789906B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201610120954.5
申请日：2016-03-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 该发明公开了一种2D相位梯度的超表面复合结构，属于微波技术电磁散射控制领域。该结构包括：金属底板、位于金属底板上的中间介质层、位于介质层上周期分布的金属贴片层；所属金属贴片层包括阵列分布的周期单元；所属周期单元为2×2的网格结构，其特征在于每个网格内阵列分布有金属贴片，每个网格内的金属贴片尺寸沿阵列的横向或纵向渐变，所属周期单元中相邻网格内的金属贴片尺寸渐变方向相反。本发明主瓣峰的偏移重置了镜向的散射场能量到其它方向，甚至能够将入射平面波直接转化为表面波在超结构面内传输，能够更加智能的控制电磁波方向，从而使得镜向散射及边缘散射得到较好控制，且施工工艺简单可靠，容易实现。
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公开(公告)号：CN105742814B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201610151450.X
申请日：2016-03-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q1/52
Abstract: 本发明涉及种小型化的电磁软表面结构及其构建方法,属于微波技术领域。通过在金属条带上设置平行于金属过孔列的缝隙列,缝隙列由等距排列在条直线上的缝隙构成,且每个金属过孔均有相对应的缝隙,金属过孔与对应缝隙的几何中心连线与金属过孔列垂直,金属过孔与缝隙不相交,缝隙和金属过孔均处于金属条带范围内。以实现很大程度地降低金属条带的宽度,使结构更加小型化,而且用于贴片天线间的去耦效果良好。
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公开(公告)号：CN106450793A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610817911.2
申请日：2016-09-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q15/24
CPC classification number: H01Q15/242
Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，提供一种宽带选择性透波极化调控电磁结构，该结构共包含5层，表层和底层为相同尺寸的金属开口谐振环、且开口方向相互垂直，中间层为金属偶极子，金属偶极子与谐振环之间均为介质基板；所述金属开口谐振环开口方向沿对角线方向，所述金属偶极子长轴方向与谐振环开口方向呈45°夹角。本发明电磁结构具有非对称传输特性和非对称透波功能，且制备工艺简单成熟、可操作性强、成本较低；同时该结构在入射角度为0°至30°范围内，均能保持较高的极化转换率、较宽的极化转换频带以及稳定的选择性透波工作频段。
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公开(公告)号：CN104559641A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310497626.3
申请日：2013-10-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: C09D163/00 , C09D175/06 , C09D7/12
CPC classification number: C09D163/00 , C09D7/61 , C08L75/06 , C08K2003/0806
Abstract: 隐身材料表面电磁缺陷修复方法，属于电子材料技术领域。本发明包括下述步骤：采用导电胶填平缺陷缝隙，然后用电磁缺陷修复材料涂覆缺陷处。本发明实现同样散射控制性能的同时，具备良好的力学环境性能。并且工艺简单、可操作性强，易于推广。
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