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公开(公告)号:CN111308399B
公开(公告)日:2021-06-01
申请号:CN202010078369.X
申请日:2020-02-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明公开了一种基于COMSOL Multiphysics的3维十字型霍尔器灵敏度计算方法,涉及微电子学与固体电子学领域,特别涉及霍尔传感器。从不同结构对于水平型霍尔传感器灵敏度存在不同影响的角度考虑,通过3维COMSOL模型进行仿真对比0μm至38μm不同叉指长度下相应的霍尔器件模型电压相关灵敏度,提出一款拥有较高灵敏度的水平霍尔传感器,其特征在于所述霍尔器件为90°旋转对称的十字型结构,传感器尺寸的上下和左右宽度为80μm,厚度为5μm,有源区采用硅材料2.6E+16cm‑3的N阱掺杂CMOS工艺,叉指长度为18μm时,即霍尔传感器宽长比为0.55时,能得到最佳的0.0652V/(VT)电压相关灵敏度;相较于传统的霍尔片模型得到了灵敏度的提升。
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公开(公告)号:CN110677155A
公开(公告)日:2020-01-10
申请号:CN201910772581.3
申请日:2019-08-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明公开了一种应用于逐次逼近模数转换器的中位选取电容校正方法,涉及微电子学与固体电子学领域,特别是该领域中电阻电容型逐次逼近模数转换器中的电容设置方法。本发明采用单位电容构成混合电阻电容型逐次逼近模数转换器中的正负电容阵列,对电容阵列中的单位电容经过多次组合,排序,中位选取以构成逐次逼近模数转换器的各级有效位。相比于传统校正方法有利于线性度的进一步提升,静态性能与动态性能均有显著提升。
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公开(公告)号:CN116961655A
公开(公告)日:2023-10-27
申请号:CN202311219136.7
申请日:2023-09-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种应用于高精度ADC的斩波采样电路,属于模拟集成电路设计领域。采样电路是ADC中必不可少的部分,在高精度的ADC中采样的精度会直接影响后续的处理结果。一般的采样电路存在比较高的噪声和失调电压,为了降低噪声和失调电压的影响,提高采样精度,本发明将斩波技术应用于采样当中,设计了可以应用于高精度ADC的斩波采样电路,使用较少的电路和开关,降低额外电路和开关噪声对信号质量的影响,可以有效减小失调电压,实现更加精准的采样。
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公开(公告)号:CN116911235A
公开(公告)日:2023-10-20
申请号:CN202311176930.8
申请日:2023-09-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F30/367 , H03M1/46 , H03M1/12 , H03K19/0185
Abstract: 本发明公开了一种过采样自举开关隔离驱动采样保持电路,属于模拟集成电路设计领域。对模拟信号的采样,是从模拟信号转换到数字信号的关键一步,对模拟信号采样的精确程度将直接影响后续数字编码的准确性。本发明基于栅压自举开关电路,提出一种过采样自举开关隔离驱动采样保持电路,通过运放隔离输入信号与控制信号的相互影响,以此来达到提高采样精度的目的。
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公开(公告)号:CN110677155B
公开(公告)日:2022-10-14
申请号:CN201910772581.3
申请日:2019-08-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明公开了一种应用于逐次逼近模数转换器的中位选取电容校正方法,涉及微电子学与固体电子学领域,特别是该领域中电阻电容型逐次逼近模数转换器中的电容设置方法。本发明采用单位电容构成混合电阻电容型逐次逼近模数转换器中的正负电容阵列,对电容阵列中的单位电容经过多次组合,排序,中位选取以构成逐次逼近模数转换器的各级有效位。相比于传统校正方法有利于线性度的进一步提升,静态性能与动态性能均有显著提升。
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公开(公告)号:CN110113050B
公开(公告)日:2021-07-06
申请号:CN201910367262.4
申请日:2019-05-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明公开了一种应用于逐次逼近模数转换器的失配误差校正方法。将电容DAC阵列的电容分割为单位电容阵列并将这些单位电容排序分为四组,在每一组间隔选取电容构成电容DAC阵列的MSB,MSB‑1等电容。通过MATLAB仿真出传统校正算法以及新型校正算法的SNDR和SFDR等动态参数,得到新型校正算法进一步提升了SAR ADC的动态性能。
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