一种带有寄生贴片的毫米波宽带微带贴片天线

    公开(公告)号:CN116505268A

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202310489736.9

    申请日:2023-05-04

    Abstract: 本发明属于贴片天线技术领域,尤其涉及一种带有寄生贴片的毫米波宽带微带贴片天线。是在传统毫米波贴片天线的基础上,引入寄生贴片单元,实现小尺寸毫米波天线的宽工作带宽。寄生贴片单元的引入相当于在驱动贴片单元激励的第一谐振点基础上引入了第二谐振点。通过在寄生贴片单元上开设有第一凹槽和第二凹槽,结合第一凹槽和第二凹槽的位置,实现寄生贴片单元电流路径调整,从而调整第二谐振点的位置,使其靠近驱动贴片激励的第一谐振点,从而使毫米波天线的带宽展宽,并且毫米波天线的增益保持稳定,并实现28.88GHz‑35.40GHz这一频段范围内更宽的工作带宽。

    一种基于反常自旋量子霍尔效应的MRAM芯片电路

    公开(公告)号:CN114267388B

    公开(公告)日:2023-03-10

    申请号:CN202111362286.4

    申请日:2021-11-17

    Abstract: 本发明属于新型自旋量子磁存储器术领域,具体为一种基于反常自旋量子霍尔效应的MRAM芯片电路。该MRAM芯片电路的存储单元是PtBi/BiTmIG自旋异质结构建的四端口霍尔棒器件,利用反常霍尔检测电流发生模块提供的0.1mA检测电流和反常霍尔脉冲发生模块提供的10mA脉冲电流,来实现数据的读写。在读取过程中,利用反常霍尔效应,无需外加磁场且误码率低、响应速度快;在写入过程中,利用自旋轨道矩效应,实现极小电流密度驱动自旋磁矩翻转再带动薄膜磁矩翻转的数据写入新方法,极大地降低了数据写入电流密度和功耗。本发明的MRAM芯片电路具有单元器件制备工艺简单、读写电流密度低、功耗低、工作频率范围宽的特点。

    一种基于反常自旋量子霍尔效应的MRAM芯片电路

    公开(公告)号:CN114267388A

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202111362286.4

    申请日:2021-11-17

    Abstract: 本发明属于新型自旋量子磁存储器术领域,具体为一种基于反常自旋量子霍尔效应的MRAM芯片电路。该MRAM芯片电路的存储单元是PtBi/BiTmIG自旋异质结构建的四端口霍尔棒器件,利用反常霍尔检测电流发生模块提供的0.1mA检测电流和反常霍尔脉冲发生模块提供的10mA脉冲电流,来实现数据的读写。在读取过程中,利用反常霍尔效应,无需外加磁场且误码率低、响应速度快;在写入过程中,利用自旋轨道矩效应,实现极小电流密度驱动自旋磁矩翻转再带动薄膜磁矩翻转的数据写入新方法,极大地降低了数据写入电流密度和功耗。本发明的MRAM芯片电路具有单元器件制备工艺简单、读写电流密度低、功耗低、工作频率范围宽的特点。

    一种基于有机溶剂的太赫兹波相位调控方法

    公开(公告)号:CN112462536B

    公开(公告)日:2022-01-14

    申请号:CN202110072344.3

    申请日:2021-01-20

    Abstract: 一种基于有机溶剂的太赫兹波相位调控方法,属于太赫兹波相位调控领域。包括:1)将有机溶剂注入比色皿中;2)将装有有机溶剂的比色皿放入太赫兹波的光路上;3)在20~70℃的温度范围内调节有机溶剂的温度,即可实现太赫兹波的相位调控。本发明基于有机溶剂的太赫兹波相位调控方法,采用苯、甲苯等有机溶剂,价格低廉,容易获得;方法简单,易于操作,重复性好,使用范围广,通过温度或光即可实现太赫兹波的相位调控。

    一种三维花状体锌硫镉光催化材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN111111695B

    公开(公告)日:2021-12-03

    申请号:CN201911274094.0

    申请日:2019-12-12

    Abstract: 一种三维花状体锌硫镉光催化材料及其制备方法和应用,属于半导体光催化材料技术领域。所述锌硫镉光催化材料为CdxZn1‑xS,x=0.2~0.8,形貌为三维分等级花状结构,单个花体大小为2~3μm,花瓣厚度为2.5~3.5nm。本发明锌硫镉光催化材料从三方面提高光催化活性:首先,三维分等级花状结构的锌硫镉具有较大的比表面积,能提供大量的光催化还原反应活性位点;其次,花瓣较薄的锌硫镉具有较高的捕光效率,能吸收和利用更多的可见光;最后,三维分等级花状结构的锌硫镉禁带宽度在2.4eV左右,导带位置较二氧化碳还原电位更负,有利于促进光生电子在体系中的迁移,延长光生载流子的寿命,提高体系的光催化活性。

    铌钽锆镁微波介质陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN112939599A

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN202110212720.4

    申请日:2021-02-25

    Abstract: 本发明提供了一种铌钽锆镁微波介质陶瓷材料及制备方法,材料的化学通式为MgZrNbTaO8,其晶相为纯相锰钽矿结构,原料为MgO、Ta2O5、ZrO2、Nb2O5;制备方法包括步骤:配料、混料、烘干浆料、预烧、球磨、造粒、压制生坯、烧结;该陶瓷材料的介电性能优异,只需简单改变烧结温度即可对其微波介电性能进行调节;在1400℃烧结时,具备极其优异的介电性能,具体为εr=24,Q×f=120,000GHz,τf=‑46ppm/℃,其品质因数提升了70%,本发明陶瓷材料无需添加烧结助剂,只需要一次预烧,制备工艺简单,有利于降低生产成本。

    一种基于磁偶极作用的自旋波异或逻辑门结构

    公开(公告)号:CN112397855A

    公开(公告)日:2021-02-23

    申请号:CN202011200847.6

    申请日:2020-11-02

    Abstract: 本发明提供的基于磁偶极作用的自旋波异或逻辑门结构,属于自旋波逻辑器件技术领域。具体包括Y字形自旋波波导,连接Y字形自旋波波导两个分叉端的相移自旋波波导,和位于相移自旋波波导的侧面的铁磁层;相移自旋波波导独立传播两个自旋波,铁磁层的长宽比为(1~5):1,铁磁层的长度小于相移自旋波波导的长度,铁磁层与相移自旋波波导的间距为100~200nm,使得相移自旋波波导靠近铁磁层侧的自旋波与远离铁磁侧的自旋波产生大小为π的相位差,进而实现自旋波的异或逻辑门功能,无需电流、电压等外部手段调控。优选地相移自旋波波导包括自旋波以边缘模式传播的第一自旋波波导,可简化器件结构,利于器件的小型化。

    一种微波介质用陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN109320232B

    公开(公告)日:2021-02-12

    申请号:CN201811326214.2

    申请日:2018-11-08

    Abstract: 一种微波介质用陶瓷材料及其制备方法,本发明将复合氧化物Li1.6Zn1.6Sn2.8O8作为微波介质陶瓷用材料,该种陶瓷的介电性能优异,相对介电常数为9.83~11.24,Q×f为45400~59800GHz,谐振频率温度系数为‑6.87~‑9.17ppm/℃。该种陶瓷作为低介微波陶瓷,其τf值近零并且Q×f较高,无需进一步调节τf值便可满足微波线路对其温度稳定性的要求。该种陶瓷经固相反应法制备,工艺简单,烧结温度低于1150℃,易于进一步降低烧结温度以用于LTCC技术。本发明微波介质陶瓷材料的原料来源丰富、成本低廉,有利于工业化生产,可作为电子线路基板、介质谐振器、滤波器、高频卫星微波器件基板与微带线的制造材料使用,在电子线路、微波移动通信、卫星通信、雷达系统领域上具有重要应用前景及经济价值。

    一种热释电/光电双功能集成传感器件

    公开(公告)号:CN111121835A

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN201911147559.6

    申请日:2019-11-21

    Abstract: 本发明涉及一种热释电/光电双功能集成传感器件。该传感器件为预极化半导体薄膜的热释电/光电双功能集成传感器件,由光电传感阵列和导电接线金属薄膜层组成,该光电传感阵列由光电传感单元以并联的形式组成,该光电传感单元由铁电性半导体薄膜层和透明导电薄膜层以面外异质结的形式组成,该铁电性半导体薄膜层是含有氧空位的多晶型薄膜层,该透明导电薄膜层是具有高功函数的金属薄膜层。该集成传感器件不仅可以通过调整退极化场的强度和方向来进行控制,还可以通过热释电效应的电势来进行调节。

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