一种双窄支撑梁高品质因数的压电谐振器

    公开(公告)号:CN105871350B

    公开(公告)日:2019-02-15

    申请号:CN201610168600.8

    申请日:2016-03-22

    Abstract: 本发明属于电子科学技术领域,涉及MEMS压电谐振器,提供一种双窄支撑梁高品质因数的压电谐振器,包括振动块、输入端支撑梁、输出端支撑梁、输入端支撑台、输出端支撑台及基底,所述振动块通过支撑梁与支撑台电气连通,支撑台设置于基底上,支撑台上设置外接金属电极,所述振动块由输入端P型半导体区、N型半导体区构成,所述输入端P型半导体区位于振动块与输入端支撑梁连接处,连接振动块各区的支撑梁与振动块对应区采用相同掺杂类型,压电层部分覆盖振动块,开设缺口以部分露出输入端P型半导体区,压电层上金属电极通过过渡金属电极连接输入端P型半导体区。本发明结构能够大大减小支撑梁宽度,有效的提高谐振器的品质因数Q。

    一种基于T型枝节加载半波长谐振器的带通滤波器

    公开(公告)号:CN105304983A

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201510817714.6

    申请日:2015-11-23

    Abstract: 超宽带滤波器是超宽带通信系统中的关键器件,它决定了系统的整体性能。本发明涉及一种微带超宽带带通滤波器,它基于一种新型T型枝节加载半波长谐振器,其特征为:开路传输线节31和开路传输线节39构成一个半波长谐振器,在其中间加载了一个终端开路T型结构32;终端开路T型结构32与两端短路的传输线节33进行耦合,短路通过金属化通孔34和金属化通孔35来实现;同时,在半波长谐振器的中间加载了一个终端短路T型结构36,短路通过金属化通孔37和金属化通孔38来实现。另外,通过在滤波器的输入和输出端口接入开路四分之一波长传输线节改善滤波器的频率选择性。研究表明,本发明所述超宽带带通滤波器具有优良的频率特性等优点。

    一种基于可调谐仿表面等离子体的宽带片上太赫兹开关

    公开(公告)号:CN110112513A

    公开(公告)日:2019-08-09

    申请号:CN201910392994.9

    申请日:2019-05-13

    Abstract: 本发明公开了一种基于可调谐仿表面等离子体的宽带片上太赫兹开关,属于电磁功能器件技术领域。本发明通过将具有相变性质的二氧化钒周期的嵌套到一维亚波长金属刻槽结构中,利用二氧化钒薄膜绝缘态到金属态的相变性质,从而实现对一维亚波长金属刻槽结构的形态重构。一维亚波长金属刻槽结构形态发生变化时,其表面所支持的仿表面等离子体波的色散同时发生变化,引起其截止频率的变化,最终实现对其表面传输的太赫兹仿表面等离子体波传输特性的控制。通过仿真与实验证明,该片上太赫兹开关工作带宽宽,开关比高,便于与其他太赫兹片上器件集成,有助于实现太赫兹器件的小型化。

    一种窄支撑梁高品质因数的压电谐振器

    公开(公告)号:CN105871351B

    公开(公告)日:2019-02-15

    申请号:CN201610168651.0

    申请日:2016-03-22

    Abstract: 本发明属于电子科学技术领域,涉及MEMS压电谐振器,具体提供一种窄支撑梁高品质因数的压电谐振器,包括振动块、四条支撑梁、四个支撑台及基底,所述振动块由输入端P型半导体区、N型半导体区和输出端P型半导体区构成,所述输入端P型半导体区、输出端P型半导体区分别位于振动块的对角,连接振动块各区的支撑梁与振动块对应区采用相同掺杂类型,振动块上覆盖压电层,输入、输出金属电极置于压电层上,所述压电层部分覆盖振动块,使得输入金属电极与输入端P型半导体区电气连通,输出金属电极与输出端P型半导体区电气连通。本发明结构能够大大减小了由传统支撑梁较大宽度带来的锚点损耗,有效的提高了谐振器的品质因数Q。

    基于高电子迁移率晶体管波前快速扫描成像调制器

    公开(公告)号:CN108417589A

    公开(公告)日:2018-08-17

    申请号:CN201810040941.6

    申请日:2018-01-16

    Abstract: 本发明公开了一种基于高电子迁移率晶体管HEMT的多像元波前扫描调制器,属于电磁功能器件技术领域。本发明将HEMT与人工电磁媒质谐振结构相结合,通过多单元组合形成了多像元结构体系,可实现对波前的快速多像元调制;本调制器是由外加电压对该波前调制器的像素单元进行独立控制,通过加载的电压信号控制HEMT外延层中二维电子气的浓度,由此改变人工电磁媒质谐振结构的电磁谐振模式,从而实现对波前的快速调制,可用于波前快速扫描成像系统;该波前调制器在工作频点具有较高的振幅调制深度,仿真结果可达90%;本发明结构简单、易于加工、调制速度快且使用方便,易于封装。

    一种复合固支梁及其制备方法

    公开(公告)号:CN107640740A

    公开(公告)日:2018-01-30

    申请号:CN201710834957.X

    申请日:2017-09-15

    Abstract: 一种复合固支梁及其制备方法,属于微机电系统技术领域。本发明提出了一种基于“金-石墨烯-金”三层复合材料形成的固支梁结构。本发明复合固支梁的制作工艺简单、成本低廉、操作可控性强,且兼具易于与CMOS电路集成的优势;运用本发明复合固支梁作为微机电系统开关,由于其相比石墨烯梁具有较小的杨氏模量和弹性系数,因而能够降低开关的驱动电压;同时,由于其相比传统金属梁具有高机械强度,因此能够解决其作为开关的可靠性问题,进而有利于其作为MEMS开关的商业化发展。

    具有良好阻带特性的微带超宽带带通滤波器

    公开(公告)号:CN104505562B

    公开(公告)日:2017-08-04

    申请号:CN201410770327.7

    申请日:2014-12-15

    Inventor: 肖飞 张亭 唐小宏

    Abstract: 本发明涉及一种微带超宽带带通滤波器,它基于一种微带谐振器(由第一开路传输线节(31)和第二开路传输线节(32)连接到平行耦合线节(30)的一端,同时在平行耦合线节(30)的另一端连接第三开路传输线节(33)和第四开路传输线节(34))。另外,通过在输入端口接入匹配枝节(由第一金属化通孔(15)来实现短路的第一短路传输线节(14)和第九开路传输线节(16))和输出端口处接入匹配枝节(由第二金属化通孔(25)来实现短路的第二短路传输线节(24)和第十开路传输线节(26))进一步改善超宽带带通滤波器的性能。研究表明,本发明所述超宽带带通滤波器具有尺寸紧凑和性能优良等优点。

    一种基于新型王字型多模谐振器的微带超宽带带通滤波器

    公开(公告)号:CN105070990A

    公开(公告)日:2015-11-18

    申请号:CN201510495715.3

    申请日:2015-08-13

    Abstract: 超宽带滤波器是超宽带通信系统中的关键器件,其性能决定了系统的整体性能。本发明涉及一种微带超宽带带通滤波器,它基于一种新型王字型多模谐振器(由开路传输线节31和开路传输线节36分别连接到平行耦合线节32,平行耦合线节32的一端连接开路传输线节33,平行耦合线节32的另外一端连接平行耦合线节34和平行耦合线节35)。另外,通过在输入端口接入匹配枝节(短路传输线节12(通过金属化通孔13来实现短路)和开路传输线节14)和输出端口处接入匹配枝节(短路传输线节22(通过金属化通孔23来实现短路)和开路传输线节24)进一步改善超宽带带通滤波器的性能。研究表明,本发明所述超宽带带通滤波器具有高性能小型化等优点。

    一种基于T型枝节加载半波长谐振器的带通滤波器

    公开(公告)号:CN105304983B

    公开(公告)日:2018-03-06

    申请号:CN201510817714.6

    申请日:2015-11-23

    Abstract: 超宽带滤波器是超宽带通信系统中的关键器件,它决定了系统的整体性能。本发明涉及一种微带超宽带带通滤波器,它基于一种新型T型枝节加载半波长谐振器,其特征为:第一开路传输线节(31)和第二开路传输线节(39)构成一个半波长谐振器,在其中间加载了终端开路T型结构(32);终端开路T型结构(32)与两端短路的传输线节(33)进行耦合,短路通过第一金属化通孔(34)和第二金属化通孔(35)来实现;同时,在半波长谐振器的中间加载了终端短路T型结构(36),短路通过第三金属化通孔(37)和第四金属化通孔(38)来实现。另外,通过在滤波器的输入和输出端口接入开路四分之一波长传输线节改善滤波器的频率选择性。研究表明,本发明所述超宽带带通滤波器具有优良的频率特性等优点。

    一种降低微机械梁薄膜应力的方法及相关低应力薄膜

    公开(公告)号:CN107572473A

    公开(公告)日:2018-01-12

    申请号:CN201710833345.9

    申请日:2017-09-15

    Abstract: 本发明提供一种降低微机械梁薄膜应力的方法及相关薄膜,属于微机电系统技术领域。本发明通过在多层金属薄膜形成的复合薄膜中增加单层石墨烯薄膜作为过渡层,采用高温退火工艺,用于释放金属薄膜产生的压应力,同时也提高复合薄膜与基底的结合力;由于石墨烯具有较大的拉应力,能够与上下两金属层的残余压应力相互作用,从而最大限度地降低多层结构复合薄膜的内应力,进而避免了因过高内应力而导致基底与薄膜之间结合强度降低导致翘曲的缺陷,同时提高了复合薄膜的承载能力,从而增强了微机械梁的机械强度,提升器件的可靠性;本发明制作工艺简单,成本低廉,可重复性好,为高性能微元器件以及互联结构的研究、开发和生产奠定了基础。

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