公开(公告)号：CN205081123U

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201520606029.4

申请日：2015-08-12

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 安孙子雄哉 ,  市村昭雄 ,  五十岚俊昭 ,  白井康裕

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7827

Abstract: 本实用新型提供一种半导体器件，使半导体器件(纵型的功率MOSFET)的特性提高。在将形成有半导体元件的单元区域(CR)包围的周边区域(PER)中设置具有角部的螺旋状的p型柱区域(PC3)。在将形成有半导体元件的单元区域(CR)包围的周边区域(PER)的外延层上形成将单元区域(CR)螺旋状地包围、且具有构成角部的第1侧面和第2侧面的沟槽，在该沟槽埋入外延层。像这样，通过将p型柱区域(PC3)(n型柱区域)螺旋状地配置，而能够避免基于过热点的耐压裕度的降低。另外，由于维持了p型柱区域(PC3)(n型柱区域)的连续性，所以电场朝向外周部被阶段地缓和，耐压得以提高。