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公开(公告)号：CN106795396A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580047960.6
申请日：2015-11-27
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/10 , H01L21/301
CPC classification number: C09J133/10 , C09J7/20
Abstract: 本发明提供一种粘着片，其中，所述粘着片用于对板状构件照射激光形成改性部，将所述板状构件分割后芯片化，具有基材和设置于所述基材的一个面上的粘着剂层，所述基材对于所述一个面以及所述一个面的相反侧的一面这两个面，于JIS B0601:2013(ISO 4287:1997)所规定的算术平均粗糙度Ra为0.01μm以上、0.2μm以下，所述粘着剂层的厚度为2μm以上、12μm以下。该粘着片被使用于利用激光的切割工序中时，难以产生缺陷且具有优异的拾取性。
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公开(公告)号：CN110753993B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN201880040197.8
申请日：2018-02-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/53 , C09J7/20 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供一种隐形切割用粘着片(1)，其至少用于在‑20℃以上、10℃以下的环境下，将内部形成有改性层的半导体晶圆切断分离成各个芯片，所述隐形切割用粘着片(1)具备基材(11)及层叠于所述基材(11)的一面侧的粘着剂层着剂层(12)而贴附于硅晶圆时，所述粘着剂层(12)与所述硅晶圆的界面在0℃下的剪切力为30N/(3mm×20mm)以上、190N/(3mm×20mm)以下。该隐形切割用粘着片(1)可通过冷扩展充分地扩大芯片间隔，可抑制从扩展状态的释放所造成的芯片碰撞。(12)，将所述隐形切割用粘着片(1)经由所述粘
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公开(公告)号：CN116825703A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202211624083.2
申请日：2022-12-16
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/683 , C09J7/20
Abstract: 一种支撑片，其为具备基材与设置在所述基材上的粘着剂层的支撑片，其中，利用所述粘着剂层将所述支撑片贴附于SUS板，并于130℃加热所述粘着剂层时，加热后的所述粘着剂层与所述SUS板之间的粘着力(Y2)为13000mN/25mm以上，利用所述粘着剂层将所述支撑片贴附于Si镜面晶圆，并于130℃加热所述粘着剂层，且使其进行能量射线固化时，所述粘着剂层的固化物与所述Si镜面晶圆之间的粘着力(X1)为400mN/25mm以下。
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公开(公告)号：CN110073468B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN201780067328.7
申请日：2017-10-24
Applicant: 琳得科株式会社
Inventor： 山下茂之
IPC: H01L21/301 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供一种切割片1，其至少具备基材2与层叠于基材2的第一面侧的粘着剂层3，基材2的第二面的算术平均粗糙度(Ra)为0.01μm以上、0.5μm以下，且基材2的第二面的最大高度粗糙度(Rz)为3μm以下。该切割片1具有适合于工件的高倍率摄像的光线透射性。
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公开(公告)号：CN115132634A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210081668.8
申请日：2022-01-24
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用膜，其即使在激光印字的线宽较窄时，也能够得到充分的印字可见性。所述保护膜形成用膜为在其表面进行激光印字的保护膜形成用膜，其中，将印字部的颜色设为以CIE1976L*a*b*表色系规定的坐标中的明度L*p、色度a*p、色度b*p，并将非印字部的颜色设为以CIE1976L*a*b*表色系规定的坐标中的明度L*N、色度a*N、色度b*N时，以下述式(A)定义的印字部与非印字部的色差ΔE*ab为8以上。ΔE*ab＝[(L*p－L*N)2+(a*p－a*N)2+(b*p－b*N)2]1/2···(A)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106795396B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201580047960.6
申请日：2015-11-27
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/24 , C09J7/38 , C09J133/10 , H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种粘着片，其中，所述粘着片用于对板状构件照射激光形成改性部，将所述板状构件分割后芯片化，具有基材和设置于所述基材的一个面上的粘着剂层，所述基材对于所述一个面以及所述一个面的相反侧的一面这两个面，于JIS B0601:2013(ISO 4287:1997)所规定的算术平均粗糙度Ra为0.01μm以上、0.2μm以下，所述粘着剂层的厚度为2μm以上、12μm以下。该粘着片被使用于利用激光的切割工序中时，难以产生缺陷且具有优异的拾取性。
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公开(公告)号：CN110753992A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201880040196.3
申请日：2018-02-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J4/00 , C09J7/20 , C09J11/06 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供一种隐形切割用粘着片(1)，其至少用于在室温环境下，将内部形成有改性层的半导体晶圆切断分离成各个芯片，所述隐形切割用粘着片(1)具备基材(11)及层叠于基材(11)的一面侧的粘着剂层(12)，将隐形切割用粘着片(1)经由粘着剂层(12)而贴附于硅晶圆时，粘着剂层(12)与所述硅晶圆的界面在23℃下的剪切力为5N/(3mm×20mm)以上、70N/(3mm×20mm)以下。该隐形切割用粘着片(1)的芯片清洗性优异。
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公开(公告)号：CN109906504A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201780067347.X
申请日：2017-10-18
Applicant: 琳得科株式会社
Inventor： 山下茂之
IPC: H01L21/683 , B32B27/00 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供一种隐形切割用粘着片，其具备基材与层叠在所述基材的单面侧的粘着剂层，在边使用热机械分析装置以升温速度20℃/分钟将所述基材从25℃加热到120℃、边以0.2g的负荷拉伸所述基材的情况下，将从所述基材的60℃时的长度减去所述基材的初始长度而得到的所述基材的长度变化量设定为ΔL60℃，并将从所述基材的90℃时的长度减去所述基材的初始长度而得到的所述基材的长度变化量设定为ΔL90℃时，满足下述式(1)的关系。所述隐形切割用粘着片的热收缩性优异。ΔL90℃－ΔL60℃＜0μm…(1)。
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公开(公告)号：CN108243616A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201780003861.7
申请日：2017-01-05
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/20 , B32B27/00 , H01L21/304
CPC classification number: B32B27/00 , C09J7/20 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种半导体加工用片1，其至少具备：具有第一面101和第二面102的基材10、具有第一面801和第二面802的半导体贴附层80、及具有第一面301和第二面302的剥离膜30，第一面101的算术平均粗糙度Ra为0.01～0.8μm，第二面302的算术平均粗糙度Ra大于0.05μm且为0.8μm以下，将第二面802与第一面301贴附且在40℃下保管3天后的、在第二面802与第一面301的界面上的剥离力β为10～1000mN/50mm。该半导体加工用片1在具有优异的光线透射性的同时，不容易发生粘连。
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公开(公告)号：CN116814178A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202211522828.4
申请日：2022-11-30
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种支撑片(1)，其具备基材(11)与设置在基材(11)的一个面(11a)上的粘着剂层(12)，粘着剂层(12)为能量射线固化性，通过粘着剂层(12)将支撑片(1)贴附于硅镜面晶圆的镜面时，粘着剂层(12)与硅镜面晶圆之间的粘着力(X0)为5000mN/25mm以下，以130℃对粘着剂层(12)进行加热、使其进行能量射线固化时，粘着剂层(12)的能量射线固化物与硅镜面晶圆之间的粘着力(X1)为400mN/25mm以下。
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