一种耐磨δ-TaN薄膜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN108977767B

    公开(公告)日:2020-06-02

    申请号:CN201811021251.2

    申请日:2018-09-03

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明涉及一种耐磨δ‑TaN薄膜及其制备方法和应用;属于耐磨材料设计制备技术领域。所述δ‑TaN薄膜的织构系数I(200)/[I(200)+I(111)]为0.2~0.8;所述薄膜的晶体结构为NaCl晶型的δ‑TaN。所述薄膜中,Ta/N的原子比约为0.72~1.33。其制备方法为:采用射频反应磁控溅射,以氮气和氩气作为工作气体、以钽靶为钽源,固定氮气和氩气的流量比;通过改变工作气压和/或钽靶功率来调控薄膜晶粒织构系数。所得薄膜的应用包括用作切割设备、电子封装的扩散阻挡层等。本发明开创了一种全新的调控薄膜晶粒织构系数的方法;所得产品性能优良,便于高精度、大规模的产生和应用。

    一种耐磨δ-TaN薄膜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN108977767A

    公开(公告)日:2018-12-11

    申请号:CN201811021251.2

    申请日:2018-09-03

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明涉及一种耐磨δ-TaN薄膜及其制备方法和应用;属于耐磨材料设计制备技术领域。所述δ-TaN薄膜的织构系数I(200)/[I(200)+I(111)]为0.2~0.8;所述薄膜的晶体结构为NaCl晶型的δ-TaN。所述薄膜中,Ta/N的原子比约为0.72~1.33。其制备方法为:采用射频反应磁控溅射,以氮气和氩气作为工作气体、以钽靶为钽源,固定氮气和氩气的流量比;通过改变工作气压和/或钽靶功率来调控薄膜晶粒织构系数。所得薄膜的应用包括用作切割设备、电子封装的扩散阻挡层等。本发明开创了一种全新的调控薄膜晶粒织构系数的方法;所得产品性能优良,便于高精度、大规模的产生和应用。

    一种非晶Cu-Ta纳米多层膜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN108914072A

    公开(公告)日:2018-11-30

    申请号:CN201810608107.2

    申请日:2018-06-13

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明涉及一种非晶Cu-Ta纳米多层膜及其制备方法和应用。所述纳米多层膜由两种不同结构的非晶层交替叠加形成;任意一非晶层中同时含有Cu和Ta。所述纳米多层膜中,相接触的两种不同结构的非晶层成分连续过渡。其制备方法为:首先以纯Cu、纯Ta作为靶材;选择衬底;将靶材固定于靶头上,调整两靶的高度及角度使两靶中心聚焦于样品台的中心;将衬底放置于样品台的设定位置上;然后抽真空,通入保护气体;通过磁控溅射聚焦共沉积法在衬底上沉积薄膜;沉积薄膜时,转动样品台;得到设定结构的Cu-Ta非晶纳米多层膜。本发明所设计和制备的产品,其应用领域包括将其用于材料表面抗摩擦磨损防护、固体润滑、电子封装扩散阻挡层、热电界面中的至少一种。

    一种纳米二硫化镍材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN107799769A

    公开(公告)日:2018-03-13

    申请号:CN201710089589.0

    申请日:2017-02-20

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明提供一种纳米二硫化镍材料及其制备方法和应用,制备方法包括以下步骤:(1)将镍粉与升华硫粉在球磨机中机械球磨混合,其中镍粉与升华硫粉的质量比为1:1.2~1:2,球磨后将球磨料干燥;(2)在惰性气体的保护下,对干燥后的球磨料进行煅烧;其中煅烧温度350~500℃,煅烧时间为0.5~4h;煅烧后降温,得到纳米二硫化镍材料。该制备方法的不但成本低,而且获得的电极材料性能优异。

    一种TPU材料及其制备方法和应用
    27.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116854977A

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202310772410.7

    申请日:2023-06-28

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明提供了一种TPU材料及其制备方法和应用,一种TPU材料的制备方法包括以下步骤:S1、聚氨酯材料表面进行清洁预处理;S2、采用等离子体对S1中预处理后的聚氨酯材料表面进行活化,得到活化后的聚氨酯材料;S3、将S2中活化后的聚氨酯材料浸入聚乙烯吡咯烷酮水溶液中进行接枝反应,聚乙烯吡咯烷酮水溶液的浓度为1wt.%~25wt.%,接枝反应的温度为40~80℃,得到接枝后的聚氨酯材料。本发明制得的TPU材料为具有一定韧性和厚度的聚酯类热塑性聚氨酯,通常表面呈现出较强的疏水特性,通过低温等离子体表面活化诱导接枝的方法,可以实现其表面强亲水化改性,并维持较长时间的稳定性。

    一种银钼合金薄膜及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN113073245B

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN202110313669.6

    申请日:2021-03-24

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明提供了一种银钼合金薄膜及其制备方法与应用,所述薄膜中包括纯银相和银固溶于钼的固溶体相。采用双靶聚焦共沉积法在任意无机材料衬底上制备得到银钼合金薄膜,薄膜中由于钼的存在,使其具有高的硬度;由于纯银相的存在,使其具有良好的导电性,同时银还可以作为软质润滑相,提高材料的摩擦学性能。通过在一种廉价、适宜的电接触材料表面涂覆一层银钼合金薄膜,既可以节约成本,又可以发挥薄膜的导电、耐磨和抗电蚀性能。还可用于电磁炮轨道涂层、抗极端高温(2000℃以上)的“发汗”材料以及银/钼复合互连材料的过渡层。

    一种氧化亚铜的应用
    30.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111129533B

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN201811387794.6

    申请日:2018-11-21

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明涉及一种氧化亚铜的应用;特别涉及一种氧化亚铜作为正极材料应用于新型热电池中;属于电化学技术领域。本发明首次将氧化亚铜用作热电池的正极材料。所述热电池放电体系由Cu2O电极,负极,隔膜等部分组成。Cu2O用作电极材料时具有高热稳定性和导电性,较高工作电压和较高的比容量。本发明不同粒径和不同形貌的Cu2O电极可在大电流模式下一次性放电,电流密度可为1~1000mA cm‑2;放电温度高,为340~700℃。同时本发明的Cu2O电极制备简单,成本低廉;实际比容量高,有效放电时间长,放电性能优异便于工业化应用。

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