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公开(公告)号：CN113345007A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110519136.3
申请日：2021-05-12
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种转炉炉口自动定位方法、装置、电子设备及存储介质，包括：获取转炉处于不同角度下的原始转炉点云数据，得到转炉的原始转炉点云数据集；从所述原始转炉点云数据集中，筛选出存在法向量突变的转炉点云数据，得到炉口点云数据集；将所述炉口点云数据集中任一炉口点云数据作为配准基准点云，将所述炉口点云数据集中除所述配准基准点云外的其他炉口点云数据作为非配准基准点云，基于所述配准基准点云，对所述非配准基准点云进行配准，得到在配准基准点云坐标系下的炉口点云融合信息。通过本发明的方法，将炉口点云数据融合到同一坐标系下，可实现在转炉冶炼不停产的情况下，自动对转炉炉口实现快速精准定位，操作简单，测量效率高。
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公开(公告)号：CN111799640B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202010591435.3
申请日：2020-06-24
Applicant: 清华大学
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明实施例提供了一种基于受激放大相干Smith‑Purcell辐射的太赫兹辐射器，包括：电子发射源，用于发射电子束；泵浦源，用于发射泵浦信号，泵浦信号与一级光栅结构进行相互作用得到初步群聚电子；初步群聚电子与一级光栅结构进行相互作用产生相干Smith‑Purcell辐射；与泵浦信号在一级谐振腔结构内垂直谐振，使得电子群聚密度增大，进而使得相干Smith‑Purcell辐射增强；自由电子和相干Smith‑Purcell辐射形成正反馈过程，得到受激放大的相干Smith‑Purcell辐射和周期性群聚电子团。本发明实施例提供的太赫兹辐射器可以在小电流和大束斑的条件下实现受激放大现象。
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公开(公告)号：CN111679363B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202010484964.3
申请日：2020-06-01
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及光子集成器件技术领域，公开了硅波导端面耦合结构及其制作方法。该结构包括由下至上依次叠放的衬底硅、氧化层、硅波导和氮化硅层，氮化硅层的端部构造为脊形结构以形成脊形氮化硅波导，脊形氮化硅波导用于与普通单模光纤端面耦合。该方法包括：利用绝缘体上硅衬底中位于衬底硅上表面氧化层之上的薄膜硅层制备硅波导；在硅波导与光纤耦合的一端制备成宽度逐渐收窄的尖锥结构以形成硅波导尖锥结构；在硅波导与氧化层上方沉积一层氮化硅层；通过对氮化硅层进行浅刻蚀制备出脊形结构以形成脊形氮化硅波导。本发明的脊形氮化硅波导变换模场可以与普通单模光纤匹配，适合硅光子芯片封装过程中硅波导与普通单模光纤的低损耗耦合。
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公开(公告)号：CN112563863A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011411950.5
申请日：2020-12-03
Applicant: 清华大学
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明提供的基于双曲超材料的片上太赫兹源及其制备方法，通过由等离子体频率覆盖太赫兹波段的材料与由在太赫兹波段呈现介质性的材料形成双曲超材料结构层，并在双曲超材料结构层的第一面设置狭缝光栅，在双曲超材料结构层的第二面设置电子束，使得双曲超材料结构层可以产生太赫兹辐射，并通过狭缝光栅提取为自由空间中的太赫兹辐射。使用双曲超材料结构层产生太赫兹辐射，可以实现较宽的太赫兹辐射频谱以及太赫兹源的小型化与片上集成化；太赫兹辐射由双曲超材料结构层与电子束中的电子形成的电磁场之间的作用产生，在电子束中电子的动能稳定的情况下可以实现太赫兹辐射的持续稳定输出。
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公开(公告)号：CN112018141A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010821286.5
申请日：2020-08-14
Applicant: 清华大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例提供一种基于不同形状单元的微型光谱芯片，包括：CIS晶圆，光调制层，光调制层包括设置在CIS晶圆的感光区域表面的若干个微纳结构单元，每个微纳结构单元包括多个微纳结构阵列，每个微纳结构单元中、不同微纳结构阵列是由不同形状的内部单元组成的二维光栅。本案中的每个微纳结构单元中、不同微纳结构阵列具有的内部单元形状不同，各组微纳结构阵列对不同波长光的调制作用不同，充分利用“形状”这个自由度，得到对入射光丰富的调制作用，提高了光谱恢复的精度，并且可以降低单元的尺寸；利用基于不同形状的内部单元的二维光栅结构，具有对入射光丰富的宽谱调制特性，实现对入射光频谱的高精度测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111916999A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010671275.3
申请日：2020-07-13
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明实施例提供一种具有槽结构的分布式反馈激光器及制备方法，分布式反馈激光器包括P电极、P掺杂层、量子阱有源层、N掺杂层和N电极；P电极位于P掺杂层的表面中央位置，P电极两侧分别设置有一个光子晶体孔阵列，光子晶体孔阵列由按照预设排布结构排布的多个光子晶体孔形成，每个光子晶体孔均贯穿P掺杂层、量子阱有源层和N掺杂层，并在衬底上表面截止；有源光子晶体波导层中还包括有对称双槽结构，对称双槽结构由第一凹槽和第二凹槽构成，第一凹槽和第二凹槽设置在P电极两侧，贯穿P掺杂层、量子阱有源层和N掺杂层，并在衬底上表面截止。本发明实施例利用光子晶体慢光效应设计超短激光谐振腔，从而降低芯片体积，提高芯片可集成性能。
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公开(公告)号：CN111799640A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010591435.3
申请日：2020-06-24
Applicant: 清华大学
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明实施例提供了一种基于受激放大相干Smith-Purcell辐射的太赫兹辐射器，包括：电子发射源，用于发射电子束；泵浦源，用于发射泵浦信号，泵浦信号与一级光栅结构进行相互作用得到初步群聚电子；初步群聚电子与一级光栅结构进行相互作用产生相干Smith-Purcell辐射；与泵浦信号在一级谐振腔结构内垂直谐振，使得电子群聚密度增大，进而使得相干Smith-Purcell辐射增强；自由电子和相干Smith-Purcell辐射形成正反馈过程，得到受激放大的相干Smith-Purcell辐射和周期性群聚电子团。本发明实施例提供的太赫兹辐射器可以在小电流和大束斑的条件下实现受激放大现象。
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公开(公告)号：CN109714109B
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910043275.6
申请日：2019-01-17
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明实施例提供一种量子密钥分发光子发射端，属于量子技术领域。包括：光源芯片及空间光学结构；空间光学结构包括光学滤波片、光阑及准直凸透镜；光源芯片，用于发射出不同偏振态的光子；光阑及准直凸透镜，用于将不同偏振态的光子合为一束准直输出，并利用光学衍射极限原理消除不同偏振态的光子因产生位置不同而带来的附加信息；光学滤波片，用于消除光源芯片发射出的不同偏振态的光子在频谱上的差异。本发明实施例提供的量子密钥分发光子发射端，集成的光源芯片使得线偏振光源之间的间距很小，可以达到几十微米量级，从而相应的光阑，准直凸透镜和光学滤波片的尺寸都可以设计的非常小，进而使得光子发射端整体结构可实现微型化。
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公开(公告)号：CN103605216B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310603561.6
申请日：2013-11-25
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于光子晶体波导的阵列化光开关，该光开关包括：硅衬底1，用于承载整个器件结构；二氧化硅衬底2，覆盖于硅衬底1上，用于隔离硅衬底与硅平板；硅平板3，位于二氧化硅衬底上2，用于形成二维硅光子晶体波导、多模干涉波导、续接波导；二氧化硅隔离层4，位于硅平板3上方，并填充于二维硅光子晶体波导的孔内，用于隔离二维光子晶体波导与钛金属电极5，提供光隔离与电绝缘；钛金属平板电极5位于二氧化硅隔离层上，用于加热二维光子晶体波导；铝金属平板电极6位于钛金属平板上，作为接触电极。通过设计光子晶体波导结构实现光通信波段（波长1微米至2微米）特定波长光信号的阵列开关功能，能够增强大调控功率调控下电极的稳定性。
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公开(公告)号：CN103728692B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310743586.6
申请日：2013-12-30
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供了一种基于纳米梁结构的光机晶体微腔，包括：硅衬底，用于承载整个光机晶体微腔；二氧化硅隔离层，用于隔离硅衬底和硅平板；硅平板，位于二氧化硅隔离层之上，硅平板包括依次设置的输入波导区、光机晶体微腔区、输出波导区；输入波导区用于接收光信号并将光信号传输至光机晶体微腔区；光机晶体微腔区，包括硅波导和空气孔阵列，用于局域光子和声子缺陷模式，实现光子和声子的耦合；输出波导区用于输出光信号；顶层二氧化硅层，位于硅平板之上，其与二氧化硅隔离层配合以保护硅平板；空气隔离区，位于光机晶体微腔区的上方和下方，且位于二氧化硅隔离层和顶层二氧化硅层之间。
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