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公开(公告)号：CN85100131A
公开(公告)日：1986-07-23
申请号：CN85100131
申请日：1985-04-01
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/324
Abstract: 本发明为离子注入半导体瞬时退火设备，属于集成电路和半导体器件制造技术的工艺设备。本发明的特征是采用高频加热石墨板和石英退火腔以及充保护气。本发明升温快、设备简单、操作方便和生产效率高(每小时六十片以上)。退火后电激活率高，注入离子再扩散小。本发明既合适于制作1μm短沟超大规模集成电路和浅pn结(结深为0.2μm)器件，又适合于离子注入化合物半导体退火。本发明还能用于绝缘层上多晶硅再结晶、磷硅玻璃回流、难熔金属硅化物形成和浅pn结的欧姆结制作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN2106421U
公开(公告)日：1992-06-03
申请号：CN91219291.7
申请日：1991-08-02
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/324
Abstract: 红外快速热处理设备，属于超大规模集成电路和半导体器件制造技术的工艺设备。本实用新型特征是由微机系统、红外热处理石英腔、悬臂传送片机构、双门过渡腔、自动取放片机构、高频感应加热源、测温与控温装置、气路及其控制等构成，微机自动控制半导体片的取放与传送、过渡腔双门的开闭、半导体片热处理温度和时间以及多路气体的流量从而实现自动快速热处理半导体片的目的，适用于集成电路和半导体器件的研制和工业化大生产。
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公开(公告)号：CN201057517Y
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200720103715.5
申请日：2007-03-02
Applicant: 清华大学
Abstract: 单片集成的硅胎压温度传感器属于压力、温度传感技术领域，其特征在于，含有：结构芯片，中间有一个硅杯，该硅杯中央有一个硅膜，其周围支撑的是厚体硅；四个压力敏感电阻，分别位于硅膜边界内的应力敏感区，形成一个压力传感器；一个温度敏感电阻，位于厚体硅的非应力敏感区，形成一个温度传感器；密封盖板，连接在所述结构芯片的下表面。该集成传感器的压力敏感元件的输出和压力值直接相关，而该集成传感器的温度敏感元件的输出和温度值密切相关。该集成传感器具有单片集成、制作简单、运行可靠的优点。
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公开(公告)号：CN201034757Y
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200720103716.X
申请日：2007-03-02
Applicant: 清华大学
IPC: G01L1/20
Abstract: 本实用新型属于半导体压力传感器技术领域，其特征在于：所述传感器包括应力区展宽了的感压膜和其周围的支撑部分，压敏电阻制作在跨越感压膜边界的大应力区内，组成惠斯通电桥，把压力变化转换成电信号输出；所述压敏电阻其垂直于感压膜边界的折数要大于平行于边界的压敏电阻的折数，以符合高应力区的形状；在电阻转折处的电阻条宽大于正常的电阻条宽，同时进行高浓度离子注入，以减小转折处的电阻值；所述感压膜的厚宽比尽可能大，以满足对边界外高应力区宽度的要求。本实用新型在芯片面积缩小、不缩小线条的条件下，利用膜外高应力区，增大应力区面积，以达到提高传感器的灵敏度和降低废品率的目的。
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