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公开(公告)号:CN115308938A
公开(公告)日:2022-11-08
申请号:CN202210827103.X
申请日:2022-07-14
Applicant: 清华大学
Abstract: 本公开提供的电光调制器及其制作方法,包括依次叠设的衬底层、埋层、波导层、包覆层和电极层,电极层包括信号电极和分布于其两侧的接地电极,在信号电极各侧与相应侧接地电极之间分别设有加载电极组;信号电极与其一侧的接地电极分布于调制臂两侧,且信号电极与其两侧的接地电极均形成于包覆层之上;加载电极组包括设置于调制臂两侧的两个加载电极,各加载电极均分别包括沿周期性布设的双电容结构,双电容结构包括形成于包覆层内的下电容以及形成于包覆层上的上电容和连接电极,两个双电容结构中上电容的间距小于下电容的间距,通过连接电极将上、下电容与信号电极或接地电极连接。本公开能在不增加光波导损耗的情况下显著降低半波电压长度积。
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公开(公告)号:CN112795863B
公开(公告)日:2021-11-09
申请号:CN202011619364.X
申请日:2020-12-30
Abstract: 本发明属于钛及钛合金表面处理技术领域,具体涉及一种钛合金表面离子碳氮共渗处理装置。装置中采用了双电源体系、一套直流电源控制辅助阴极,通过向辅助阴极施加电压,可以加速辅助阴极附近氩气的电离,激发离子碰撞加速升温,同时能够对工件及炉内腔体起到清洁的作用;另一套高频脉冲偏压电源负极与工件相连,正极接地,使得工件处于负电位,负偏压对工件表面等离子体的扩渗过程起到了加速的作用,可以提高离子对工件表面的轰击作用,增强扩渗层的附着力和致密度。氨气、二氧化碳作为扩渗介质,在电子的碰撞下形成具有较高内能的电子激发态离子,制得厚度适中、组织均匀的扩渗层,显著提升钛的力学性能及摩擦学性能。
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公开(公告)号:CN107620031B
公开(公告)日:2020-01-31
申请号:CN201711051778.5
申请日:2017-10-30
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及基于空心阴极离子源的奥氏体不锈钢氮化处理系统及方法,属于奥氏体不锈钢氮化处理技术领域。该系统包括电源系统、真空渗氮炉、放置在炉内的空心阴极装置、抽气系统、供气系统、测控系统,及连接管道和阀门;所述真空渗氮炉中空心阴极装置结构为多块平行排列在炉内的金属板,每块金属板带有多个间隔排列的长条凹槽且每个凹槽中均开有间隔排列的通孔。本方法为将多个零件清洗后放入真空渗氮炉内安装空心阴极装置的两金属板之间后进行氮化处理后,升温到500℃‑550℃温度,保温时间为0.5h‑1.5h,再冷却,拿出零件。本发明提高了气体离化率,增大了等离子体浓度,可改善奥氏体不锈钢表面硬度和耐磨性,不影响其耐蚀性能,提高氮化效率。
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公开(公告)号:CN110109198A
公开(公告)日:2019-08-09
申请号:CN201910426979.1
申请日:2019-05-22
Applicant: 清华大学
Inventor: 李杨
Abstract: 本发明提出的一种折射率渐变的超构材料及其纠缠光子对产生系统,属于量子信息领域。超构材料包括多个周期性排布的介质柱阵列,当满足以下条件:每行内,各介质柱的直径或宽度沿所在行呈规律性变化、各介质柱的周期沿所在行呈规律性变化或保持不变;每列内,介质柱直径、周期均保持不变时,超构材料的等效折射率的实部逐渐由非零变到零再变到非零。纠缠光子对产生系统包括折射率渐变的超构材料、两个窄带连续可调谐激光器、两个偏振控制器、分束器、光放大器、陷波滤波器、带通滤波器、阵列波导光栅、单光子探测器和时间间隔分析仪。本发明从物理上实现了超构材料的折射率渐变,且与集成光学结合,具有低损耗、CMOS兼容的特性。
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公开(公告)号:CN116797446B
公开(公告)日:2024-09-24
申请号:CN202210265514.4
申请日:2022-03-17
Applicant: 中国移动通信有限公司研究院 , 清华大学 , 中国移动通信集团有限公司
Abstract: 本发明提供了一种数据处理方法、装置及设备,其中,数据处理方法包括:利用目标颜色转换模型,对至少一个参考图像进行颜色转换,得到各所述参考图像对应的输出信息;根据所述参考图像对应的输出信息,设置图像采集参数;在设置后的图像采集参数下,采集第一待处理图像;其中,所述目标颜色转换模型的输出信息为N维向量,每一维向量代表一种图像颜色转换方式及对应的更改量;所述N为大于或等于1的整数。本方案很好的解决了现有技术中针对颜色转换的数据处理方案不具有可解释性,无法对后续方案进行有效指导的问题。
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公开(公告)号:CN116935090A
公开(公告)日:2023-10-24
申请号:CN202211465838.9
申请日:2022-11-22
Applicant: 中国移动通信有限公司研究院 , 清华大学 , 中国移动通信集团有限公司
IPC: G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/77 , G06V10/80
Abstract: 本发明提供基于存算一体阵列的目标检测方法、装置及电子设备,涉及人工智能技术领域,其中,方法,包括:获取待检测图像,并将待检测图像输入至存算一体阵列中,存算一体阵列包括第一阵列单元、第二阵列单元和第三阵列单元;基于第一阵列单元,对待检测图像进行特征提取,得到待检测图像对应的N个初始特征信息,N为大于1的整数;基于第二阵列单元,对N个初始特征信息分别进行特征融合,得到N个融合后的特征信息;基于第三阵列单元,对N个融合后的特征信息对应的目标检测结果进行去重,得到待检测图像的目标检测结果。这样可以在存算一体阵列中来完成目标检测过程,由于不存在数据搬运带来的时延,使得目标检测的效率有所提高。
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公开(公告)号:CN115074677B
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202210531419.4
申请日:2022-05-16
Abstract: 本发明公开了一种CrWZrN多层梯度结构涂层及其制备方法。所述CrWZrN多层梯度结构涂层包括:基底;以及依次沉积在所述基底表面的Cr打底层、CrN过渡层、CrWN过渡层和CrWZrN涂层。本发明在CrWZrN多层梯度结构涂层中引入了W、Zr、Cr和N元素,进一步提高了材料的表面硬度、耐磨性和耐腐蚀性,并使得基体和涂层间保持合理的多层硬度梯度,在合理控制内应力的同时还提升了基体和涂层的结合强度。
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公开(公告)号:CN114481008A
公开(公告)日:2022-05-13
申请号:CN202210066178.0
申请日:2022-01-20
Abstract: 本公开提供的离子氮碳硫多元共渗辅助设备、处理系统及方法,辅助设备包括:放置在离子扩渗炉的炉体顶部的空心阴极离子源,放置于炉体侧壁上的绝缘壳体,和多个同轴且由内至外依次间隔排布于绝缘壳体内的电磁铁,相邻两个电磁铁的绕线方式相反,多个电磁铁用于在离子扩渗炉内形成可控的磁场,以改变金属工件表面电子的运动轨迹和金属工件的磁畴。处理系统包括:离子扩渗炉、离子氮碳硫多元共渗辅助设备、变压器、真空泵、供气瓶和电气控制柜。处理方法包括向炉体内通入含有氮元素、碳元素、氢元素和硫元素的气体,并向金属工件提供可控的磁场。本公开可减少工件表面硫化物的间隙,使硬度呈现缓慢下降的趋势,提高工件表面硬度和使用寿命。
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公开(公告)号:CN114164395A
公开(公告)日:2022-03-11
申请号:CN202111443771.4
申请日:2021-11-30
Abstract: 本公开提供的离子氮碳硫多元共渗设备、处理系统及方法,设备包括:炉体;位于炉体内的工件盘;位于炉体内的工件盘上方的阳极板;位于炉体内的工件盘下方的辅助阴极;位于炉体内的工件盘、阳极板和辅助阴极外围的空心阴极筒;第一电源,用于为空心阴极筒和辅助阴极提供脉冲电压的第一电源;和用于为工件盘提供脉冲偏置电压的第二电源。系统包括:离子氮碳硫多元共渗设备、变压器、真空泵、供气瓶和电气控制柜。方法包括向炉体内通入含有氮、氢、碳和硫元素的气体,并控制第一电源和第二电源的关断。本公开可提高离子扩渗炉内的离子体密度,有效增加扩渗层厚度和表面硬度,以此提高扩渗质量,同时方便阳极清洗。
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公开(公告)号:CN109207938B
公开(公告)日:2020-07-10
申请号:CN201811136994.4
申请日:2018-09-28
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出的一种Ti/TiN/TiAlSiN/TiAlCrSiN纳米多层梯度膜及其制备方法,属于氮化膜技术领域。本纳米多层梯度膜是通过多弧离子镀方法,在低合金钢或模具钢基体上,由依次沉积的Ti打底层、TiN过渡层、TiAlSiN过渡层和TiAlCrSiN膜层组成;该纳米多层梯度膜的总厚度为1.8‑3.6μm;Ti、Al、Cr、Si元素的总含量范围分别为30at%‑34at%、20at%‑24at%、5at%‑10at%、3at%‑5at%;该纳米多层梯度膜的膜基结合力为36‑48N,摩擦系数为0.02~0.03,纳米硬度为32‑36Gpa。本方法通过改变基体负偏压,各中间层的沉积时间以及靶的转换,得到获得高韧、摩擦系数低以及耐磨性良好的梯度纳米多层膜。
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