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公开(公告)号：CN115308938A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210827103.X
申请日：2022-07-14
Applicant: 清华大学
Abstract: 本公开提供的电光调制器及其制作方法，包括依次叠设的衬底层、埋层、波导层、包覆层和电极层，电极层包括信号电极和分布于其两侧的接地电极，在信号电极各侧与相应侧接地电极之间分别设有加载电极组；信号电极与其一侧的接地电极分布于调制臂两侧，且信号电极与其两侧的接地电极均形成于包覆层之上；加载电极组包括设置于调制臂两侧的两个加载电极，各加载电极均分别包括沿周期性布设的双电容结构，双电容结构包括形成于包覆层内的下电容以及形成于包覆层上的上电容和连接电极，两个双电容结构中上电容的间距小于下电容的间距，通过连接电极将上、下电容与信号电极或接地电极连接。本公开能在不增加光波导损耗的情况下显著降低半波电压长度积。
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公开(公告)号：CN115308938B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202210827103.X
申请日：2022-07-14
Applicant: 清华大学
Abstract: 本公开提供的电光调制器及其制作方法，包括依次叠设的衬底层、埋层、波导层、包覆层和电极层，电极层包括信号电极和分布于其两侧的接地电极，在信号电极各侧与相应侧接地电极之间分别设有加载电极组；信号电极与其一侧的接地电极分布于调制臂两侧，且信号电极与其两侧的接地电极均形成于包覆层之上；加载电极组包括设置于调制臂两侧的两个加载电极，各加载电极均分别包括沿周期性布设的双电容结构，双电容结构包括形成于包覆层内的下电容以及形成于包覆层上的上电容和连接电极，两个双电容结构中上电容的间距小于下电容的间距，通过连接电极将上、下电容与信号电极或接地电极连接。本公开能在不增加光波导损耗的情况下显著降低半波电压长度积。
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