公开(公告)号：CN109207938A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201811136994.4

申请日：2018-09-28

Applicant: 清华大学

Inventor： 何永勇 ,  李杨 ,  张敏怡

IPC: C23C14/32 ,  C23C14/16 ,  C23C14/06 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提出的一种Ti/TiN/TiAlSiN/TiAlCrSiN纳米多层梯度膜及其制备方法，属于氮化膜技术领域。本纳米多层梯度膜是通过多弧离子镀方法，在低合金钢或模具钢基体上，由依次沉积的Ti打底层、TiN过渡层、TiAlSiN过渡层和TiAlCrSiN膜层组成；该纳米多层梯度膜的总厚度为1.8-3.6μm；Ti、Al、Cr、Si元素的总含量范围分别为30at％-34at％、20at％-24at％、5at％-10at％、3at％-5at％；该纳米多层梯度膜的膜基结合力为36-48N，摩擦系数为0.02～0.03，纳米硬度为32-36Gpa。本方法通过改变基体负偏压，各中间层的沉积时间以及靶的转换，得到获得高韧、摩擦系数低以及耐磨性良好的梯度纳米多层膜。

公开(公告)号：CN109207938B

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201811136994.4

申请日：2018-09-28

Applicant: 清华大学

Inventor： 何永勇 ,  李杨 ,  张敏怡

IPC: C23C14/32 ,  C23C14/16 ,  C23C14/06 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提出的一种Ti/TiN/TiAlSiN/TiAlCrSiN纳米多层梯度膜及其制备方法，属于氮化膜技术领域。本纳米多层梯度膜是通过多弧离子镀方法，在低合金钢或模具钢基体上，由依次沉积的Ti打底层、TiN过渡层、TiAlSiN过渡层和TiAlCrSiN膜层组成；该纳米多层梯度膜的总厚度为1.8‑3.6μm；Ti、Al、Cr、Si元素的总含量范围分别为30at％‑34at％、20at％‑24at％、5at％‑10at％、3at％‑5at％；该纳米多层梯度膜的膜基结合力为36‑48N，摩擦系数为0.02～0.03，纳米硬度为32‑36Gpa。本方法通过改变基体负偏压，各中间层的沉积时间以及靶的转换，得到获得高韧、摩擦系数低以及耐磨性良好的梯度纳米多层膜。