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公开(公告)号：CN110329984B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201910490542.4
申请日：2019-06-06
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于干法刻蚀制备固态纳米孔的方法及装置，其步骤如下：在示踪气体环境中，将下半部经刻蚀形成锥型微腔的硅基衬底与上半部经刻蚀形成刻蚀槽的键合基底键合，组成示踪气体存储腔；在干法刻蚀设备中，使用等离子体对键合硅基衬底的上半部进行干法刻蚀，形成刻蚀窗口；气体检漏传感器与四极杆质谱仪检测系统相连，并通过控制终端实现纳米孔制备过程中的实时监控及刻蚀终止控制，刻蚀终止后，在刻蚀窗口与锥型微腔锥尖的连接处制得固态纳米孔及其阵列。该方法具备在等离子体环境下高灵敏度、低延时的刻蚀终止控制能力，一定程度上能缓解纳米孔制备过程中的过刻蚀问题，实现小孔径固态纳米孔及其阵列的可控性制备。
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公开(公告)号：CN113745326A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111181294.9
申请日：2021-10-11
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/335 , G01L1/16
Abstract: 本发明公开了氮化镓压力传感器及其制备方法，所述氮化镓压力传感器包括：第一衬底、第二衬底、外延结构、源极、漏极、栅极和凹槽，所述源极、所述漏极和所述栅极位于所述外延结构远离所述第二衬底的一侧，所述源极和所述漏极分别位于所述栅极相对的两侧，所述栅极的数量为大于等于2的正整数，所述源极和所述漏极之间具有沟道区域。由此，本发明的氮化镓压力传感器具有两个以上的栅极，通过在栅极上施加电压调控沟道宽度，实现了沟道宽度的调控，可以对氮化镓压力传感器的检测范围、精度以及灵敏度等进行二次调整优化，扩大了工艺制备窗口，扩展了压力传感器的应用范围。
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公开(公告)号：CN109462031A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811178724.X
申请日：2018-10-10
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出了一种基于可变电感和可变电容的双级可调谐天线，包括：天线组件(100)；第一级可调谐电路(200)包括至少一个可变电容(201)，至少一个可变电容(201)并联在天线组件(100)上；第二级可调谐电路(300)包括至少一个可变电容和至少一个可变电感，其中，第二级可调谐电路(300)设置在馈电点和天线组件(100)之间，射频信号从馈电点经第二级可调谐电路(300)传递给天线组件(100)。该双级可调谐天线可以在改变天线谐振频率的同时调节天线与馈线的阻抗匹配，使得天线能在满足良好的回波损耗性能下，获得更宽的可用带宽，从而满足目前以及未来的无线通信需求，简单易实现。
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公开(公告)号：CN109273842A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811081682.8
申请日：2018-09-17
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出了一种背靠背多层堆叠结构的MEMS移相器的相控阵天线单元，依次包括背靠背堆叠设置的天线辐射单元、上介质基板、公共地层、下介质基板、MEMS移相器和控制电路，其中，公共地层一侧为上介质基板，公共地层另一侧为下介质基板，上介质基板表面设置天线辐射单元，下介质基板表面设置MEMS移相器和控制电路，并且上介质基板表面的天线辐射单元和下介质基板表面的MEMS移相器之间采用同轴线馈电方式馈电。该相控阵天线单元通过采用背靠背多层堆叠结构，从整体减少相控阵天线单元的体积，使得相控阵天线具有小型化等优点，天线辐射单元和MEMS移相器不在同一侧，进而减小MEMS移相器对天线辐射单元接收和发射信号的影响，提高了相控阵天线单元的辐射性能。
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公开(公告)号：CN103811138B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310692290.6
申请日：2013-12-17
Applicant: 清华大学
IPC: H01C1/16
Abstract: 一种变方阻薄膜电阻网络，涉及器件和信号测量领域，使用多晶硅薄膜电阻技术和表面微加工技术制作，包括中心薄膜电阻、旁路薄膜电阻、信号传输线以及地线共同形成的完整信号通路，如T型/π型网络，为了获得较大的衰减量，中心电阻和旁路电阻的差值非常大，采用相同方阻会带来尺寸跃变问题，本发明通过控制离子注入工艺条件，使中心薄膜电阻和旁路薄膜电阻具有不同的杂质元素浓度，从而获得不同的方块电阻，有效调节了大幅度调整信号时电阻网络的长宽尺寸，同时，可以采用上述原理使相同尺寸的电阻网络具有不同的调整功能，与现有电阻网络相比，本发明能够节约结构面积，减小引入的寄生效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102928132B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201210404406.7
申请日：2012-10-22
IPC: G01L1/12
Abstract: 一种隧道磁阻压力传感器，包括键合基板、设置在键合基板上方的铁磁性薄膜承载体、设置在铁磁性薄膜承载体的弹性薄膜的整个下表面的铁磁性薄膜、设置在键合基板上表面中心位置的隧道磁敏电阻以及固定在铁磁性薄膜承载体上方的保护罩，保护罩上表面的中间设置连通保护罩的内腔和外界的通孔，本发明利用铁磁性薄膜形变引起磁场变化测得压力，被测压力通过通孔作用在沉孔区域的铁磁性薄膜上，使其发生离面形变，导致磁场发生变化，根据隧道磁阻效应，隧道磁敏电阻的阻值会在微弱磁场变化下发生剧烈变化，电阻值的变化将影响到外电路的输出电流或电压变化，由测得的电流或电压值实现对被测压力的测量，本发明结构合理，检测电路简单，灵敏度高，适合微型化。
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公开(公告)号：CN102509816B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201110335347.8
申请日：2011-10-28
Applicant: 清华大学
IPC: H01P1/18
Abstract: 本发明为一种基于MEMS电容电感移相单元的开关线型移相器，包括MEMS开关、T型结、参考移相位共面波导传输线、MEMS电容电感移相传输线、传输线直角转角、MEMS开关电极、引线、隔离电阻及介质衬底；参考移相位共面波导传输线及嵌入MEMS电容电感的移相传输线构成开关线型移相器的两条传输路径；MEMS开关设于T型结上，用于选通两条传输路径；传输线直角转角用于连接两段相互垂直的传输线；本发明的优点是：通过MEMS电容电感构成的相位延迟单元，有效地减小了移相器的整体尺寸；将几个基于MEMS电容电感移相单元的开关线型移相器级联，可以得到小型化的基于MEMS电容电感移相单元的多位开关线型移相器。
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公开(公告)号：CN103177904A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310066388.0
申请日：2013-03-01
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出一种射频MEMS开关及其形成方法，该开关包括：衬底；形成在衬底上的隔离层；形成在隔离层之上的驱动电极和微波信号共面波导传输线，其中，微波信号共面波导传输线具有开关接触点和锚区，开关接触点的位置与金属悬梁臂的自由端相对应，锚区与金属悬梁臂的固定端相连；以及形成在微波信号共面波导传输线之上的金属悬梁臂，其中，开关接触点由铜薄膜和形成在铜薄膜上的石墨烯薄膜组成，当驱动电极未施加驱动电压时，金属悬梁臂与开关接触点断开，使开关为关闭状态，当驱动电极施加驱动电压时，金属悬梁臂与驱动电极之间产生静电力，使金属悬梁臂弯曲后与开关接触点接触，使开关为开启状态。本发明具有热失效降低，开关功率容量高的优点。
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公开(公告)号：CN102509816A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110335347.8
申请日：2011-10-28
Applicant: 清华大学
IPC: H01P1/18
Abstract: 本发明为一种基于MEMS电容电感移相单元的开关线型移相器，包括MEMS开关、T型结、参考移相位共面波导传输线、MEMS电容电感移相传输线、传输线直角转角、MEMS开关电极、引线、隔离电阻及介质衬底；参考移相位共面波导传输线及嵌入MEMS电容电感的移相传输线构成开关线型移相器的两条传输路径；MEMS开关设于T型结上，用于选通两条传输路径；传输线直角转角用于连接两段相互垂直的传输线；本发明的优点是：通过MEMS电容电感构成的相位延迟单元，有效地减小了移相器的整体尺寸；将几个基于MEMS电容电感移相单元的开关线型移相器级联，可以得到小型化的基于MEMS电容电感移相单元的多位开关线型移相器。
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公开(公告)号：CN101683967B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200910023540.0
申请日：2009-08-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种用于射频微机电系统的圆片级封装机构及方法，利用表面微加工技术和三维光刻技术，将带封装的射频微机电系统器件RF MEMS通过侧面引线连接到焊球9处，从而实现了封装，避免了传统的RFMEMS封装需要打通孔的工艺，有效地保证了器件可动部分结构受到保护并且形成密封环境，从而保证RFMEMS器件的批量制作和器件的正常工作。
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