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公开(公告)号：CN104508819A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380032343.X
申请日：2013-03-01
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L27/148
CPC classification number: H01L27/1462 , H01L27/1461 , H01L27/14629 , H01L27/14806 , H01L27/14843 , H01L31/02363 , H01L31/03529 , Y02E10/50
Abstract: 固体摄像装置(1)包括：半导体基板(20)，其具有相互相对的主面(20a)与主面(20b)，且在主面(20a)侧设置有多个光感应区域(3)；及绝缘膜(61)，其具有相互相对的主面(61a)与主面(61b)，且以主面(61a)与主面(20a)相对的方式配置于半导体基板(20)上。半导体基板(20)的主面(20a)中的与各光感应区域(3)对应的区域的、与半导体基板(20)的厚度方向平行的剖面为凹曲线与凸曲线交替地连续而成的波浪形状。绝缘膜(61)的主面(61a)中的与各光感应区域(3)对应的区域的、与绝缘膜(61)的厚度方向平行的剖面为凹曲线与凸曲线对应于主面(20a)而交替地连续而成的波浪形状。绝缘膜(61)的主面(61b)为平坦。
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公开(公告)号：CN101960599B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201080001169.9
申请日：2010-01-27
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/148 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14887 , H01L27/14609 , H01L27/1464 , H01L27/14812 , H01L27/1485 , H01L29/76816
Abstract: 本发明的内建电子倍增功能型的固体摄像元件中，在倍增寄存器(EM)的垂直于电子传送方向的剖面内，绝缘层(2)两侧部的厚度大于中央区域的厚度，在N型半导体区域(1C)的中央区域与两侧部的边界上，形成有一对溢出漏极(1N)，各溢出漏极(1N)沿着倍增寄存器(EM)的电子传送方向延伸。溢出式栅极电极(G)从绝缘层(2)的较薄部分至较厚部分延伸，另外，其介于各传送电极(8(8A、8B))的长边方向的两端部与绝缘层(2)之间，且作为对各电极(8(8A、8B))的屏蔽电极也发挥功能。
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公开(公告)号：CN101960597A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201080001167.X
申请日：2010-01-22
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/148 , H04N5/335
CPC classification number: H04N5/37213 , H01L27/14806 , H01L27/14887 , H01L29/76816 , H04N5/3725
Abstract: 本发明提供一种固体摄像装置，本发明的一实施方式的固体摄像装置具备：摄像区域、输出寄存器、转角寄存器、倍增寄存器、第1放大器、第2放大器及阀栅电极。输出寄存器为接收自摄像区域传送的电荷并将该电荷传送的传送寄存器。输出寄存器可将电荷向一个方向及与该一个方向相反的另一个方向选择性传送。转角寄存器传送从输出寄存器向一个方向传送的电荷。倍增寄存器接收来自转角寄存器的电荷而生成经倍增的电荷并同时予以传送。第1放大器生成基于来自倍增寄存器的经倍增的电荷的信号。第2放大器生成基于由输出寄存器向另一个方向传送的电荷的信号。阀栅电极为用于阻碍输出寄存器与转角寄存器之间的电荷传送的电极。
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公开(公告)号：CN118786529A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202280092358.4
申请日：2022-12-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/148 , H04N25/00
Abstract: 固体摄像元件具备半导体基板、第1元件部及第2元件部。第1元件部具有受光部与传送部，第2元件部具有电容部。传送部具有第1传送电极及第2传送电极、绝缘层。电容部具有彼此重叠的第1电容电极及第2电容电极、绝缘层。第1传送电极的一部分与第2传送电极的一部分重叠。绝缘层包含位于第1传送电极的一部分与第2传送电极的一部分之间的第1部分。绝缘层包含位于第1电容电极与第2电容电极之间的第2部分。第1部分的厚度大于第2部分的厚度。
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公开(公告)号：CN114402584B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202080063858.6
申请日：2020-07-03
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种背面入射型摄像元件，具备：半导体基板，其具有表面及上述表面的相反侧的背面，且被赋予接地电位；及半导体层，其形成于上述表面上；上述半导体层具有：第1元件部，其包含根据来自上述背面侧的入射光而产生信号电荷的受光部，且输出与上述信号电荷对应的信号电压；及第2元件部，其包含将自上述第1元件部输出的上述信号电压转换为数字信号的模拟‑数字转换器；与上述表面及上述背面交叉的第1方向上的上述半导体基板的厚度，与自上述第1方向观察与上述受光部对应的上述半导体基板的第1区域相比，在自上述第1方向观察与上述模拟‑数字转换器对应的上述半导体基板的第2区域中相对较厚。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114402584A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202080063858.6
申请日：2020-07-03
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H04N5/372 , H04N5/374 , H04N5/378 , H01L27/146
Abstract: 一种背面入射型摄像元件，具备：半导体基板，其具有表面及上述表面的相反侧的背面，且被赋予接地电位；及半导体层，其形成于上述表面上；上述半导体层具有：第1元件部，其包含根据来自上述背面侧的入射光而产生信号电荷的受光部，且输出与上述信号电荷对应的信号电压；及第2元件部，其包含将自上述第1元件部输出的上述信号电压转换为数字信号的模拟‑数字转换器；与上述表面及上述背面交叉的第1方向上的上述半导体基板的厚度，与自上述第1方向观察与上述受光部对应的上述半导体基板的第1区域相比，在自上述第1方向观察与上述模拟‑数字转换器对应的上述半导体基板的第2区域中相对较厚。
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公开(公告)号：CN111052731B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201880057243.5
申请日：2018-07-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H04N5/372 , H01L27/148 , H04N5/3728
Abstract: 第一区域包含排列于第一方向的多个第一传送列区域。第二区域包含排列于第一方向的多个第二传送列区域。第二区域在第二传送部中的电荷传送方向上位于第一区域的下游。多个第一传送列区域的第二方向上的长度相同。多个第二传送列区域的第二方向上的长度大于第一传送列区域的长度，且在电荷传送方向上越为位于下游侧的第二传送列区域则越大。第三区域对应于第一区域而配置，且沿第一方向延伸。第四区域对应于第二区域而配置，且以第二方向上的与像素区域的间隔对应于多个第二传送列区域的长度变化而在电荷传送方向上增大的方式延伸。
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公开(公告)号：CN111052731A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880057243.5
申请日：2018-07-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H04N5/372 , H01L27/148 , H04N5/3728
Abstract: 第一区域包含排列于第一方向的多个第一传送列区域。第二区域包含排列于第一方向的多个第二传送列区域。第二区域在第二传送部中的电荷传送方向上位于第一区域的下游。多个第一传送列区域的第二方向上的长度相同。多个第二传送列区域的第二方向上的长度大于第一传送列区域的长度，且在电荷传送方向上越为位于下游侧的第二传送列区域则越大。第三区域对应于第一区域而配置，且沿第一方向延伸。第四区域对应于第二区域而配置，且以第二方向上的与像素区域的间隔对应于多个第二传送列区域的长度变化而在电荷传送方向上增大的方式延伸。
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公开(公告)号：CN104508819B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201380032343.X
申请日：2013-03-01
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L27/148
CPC classification number: H01L27/1462 , H01L27/1461 , H01L27/14629 , H01L27/14806 , H01L27/14843 , H01L31/02363 , H01L31/03529 , Y02E10/50
Abstract: 固体摄像装置(1)包括：半导体基板(20)，其具有相互相对的主面(20a)与主面(20b)，且在主面(20a)侧设置有多个光感应区域(3)；及绝缘膜(61)，其具有相互相对的主面(61a)与主面(61b)，且以主面(61a)与主面(20a)相对的方式配置于半导体基板(20)上。半导体基板(20)的主面(20a)中的与各光感应区域(3)对应的区域的、与半导体基板(20)的厚度方向平行的剖面为凹曲线与凸曲线交替地连续而成的波浪形状。绝缘膜(61)的主面(61a)中的与各光感应区域(3)对应的区域的、与绝缘膜(61)的厚度方向平行的剖面为凹曲线与凸曲线对应于主面(20a)而交替地连续而成的波浪形状。绝缘膜(61)的主面(61b)为平坦。
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公开(公告)号：CN105659385A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201480058196.8
申请日：2014-10-31
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/148 , H04N5/372
CPC classification number: H04N5/378 , H01L27/14685 , H01L27/14812 , H01L27/14825 , H01L27/14837 , H04N5/2253
Abstract: 各个像素区域(PX)具备光电转换区域(S1)、电阻性栅极电极(R)、第一传送电极(T1)、第二传送电极(T2)、位于半导体基板(10)中第一传送电极(T1)的正下方的屏障区域(B)、及位于半导体基板(10)中第二传送电极(T2)的正下方的电荷储存区域(S2)。屏障区域(B)的杂质浓度低于电荷储存区域(S2)的杂质浓度，且第一传送电极(T1)与第二传送电极(T2)电连接。
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