公开(公告)号：CN118872063A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202280092349.5

申请日：2022-12-09

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 田仲史弥 ,  山田淳矩 ,  高木慎一郎 ,  米田康人

IPC: H01L27/148 ,  H04N25/00

Abstract: 固体摄像元件具备：半导体基板；第1元件部，其形成于半导体基板；及第2元件部，其形成于半导体基板。第1元件部具有：受光部，其根据光的入射产生电荷；及传送部，其传送电荷。传送部具有：第1传送电极及第2传送电极，其配置于半导体基板的电荷传送区域上，排列于电荷的传送方向；及排出栅极电极，其配置于沿电荷传送区域的半导体基板的电荷排出区域上。第1传送电极作为第1层形成，第2传送电极及排出栅极电极作为第2层形成。第1传送电极包含与第2传送电极的一部分重叠的部分、及与排出栅极电极的一部分重叠的部分。第2传送电极与排出栅极电极分开。

公开(公告)号：CN116601970A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202180082100.1

申请日：2021-10-14

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 高木慎一郎 ,  山田淳矩

IPC: H04N25/71 ,  H01L27/148

Abstract: 本发明的光电转换装置的传送部具有：第1传送区域，其沿着第1线传送电荷；第2传送区域，其沿着第2线传送电荷；第3传送区域，其沿着第3线传送电荷；第1传送电极；及第2传送电极。第3线自第1线及第2线的至少一方的线上偏移。第3传送区域包含：第1半导体区域，其具有第1杂质浓度；及第2半导体区域，其具有较第1杂质浓度高的第2杂质浓度。第2半导体区域以在第2传送区域侧扩宽的方式沿着第3线延伸。第1半导体区域配置于第2半导体区域的两侧。

公开(公告)号：CN118786529A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202280092358.4

申请日：2022-12-09

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 高木慎一郎 ,  田仲史弥 ,  山田淳矩 ,  米田康人

IPC: H01L27/148 ,  H04N25/00

Abstract: 固体摄像元件具备半导体基板、第1元件部及第2元件部。第1元件部具有受光部与传送部，第2元件部具有电容部。传送部具有第1传送电极及第2传送电极、绝缘层。电容部具有彼此重叠的第1电容电极及第2电容电极、绝缘层。第1传送电极的一部分与第2传送电极的一部分重叠。绝缘层包含位于第1传送电极的一部分与第2传送电极的一部分之间的第1部分。绝缘层包含位于第1电容电极与第2电容电极之间的第2部分。第1部分的厚度大于第2部分的厚度。