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公开(公告)号：CN101241210A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810059997.2
申请日：2008-03-07
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于绕线形微碟结构的可调谐光滤波器装置。包括部分绕线形微碟谐振腔，与微碟谐振腔缺口部分相连的光输入或输出直波导，在微碟谐振腔底部两侧分别设置光传输直波导，两光传输直波导的另一端与两个波导反射镜分别相连，两个波导反射镜之间用定向耦合结构连接或者MMI耦合结构连接，在光传输直波导上设置电极调制区域，或在微碟谐振腔上设置电极调制区域。绕线形微碟谐振腔和三角形波导镜面结构有机结合实现对波长快速选择。通过外加电光调制和结构扩展实现如滤波器、波长可选择光开关、激光器、功分器、调制器等器件。不同的调制区域便于灵活调制，实现不同功能需求。器件设计结构简单，尺寸小，易于集成和功能扩展。
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公开(公告)号：CN100343708C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200510061050.1
申请日：2005-10-11
Applicant: 浙江南方通信集团股份有限公司 , 浙江大学
IPC: G02B6/13 , G02B1/10 , C03C21/00 , C03C15/00 , C03C17/245
CPC classification number: C03C15/00
Abstract: 本发明公开了一种掩埋型玻璃光波导器件的制作方法。该方法是在玻璃表面采用真空蒸发或溅射方法淀积一层金属薄膜，利用光刻工艺刻出光波导图形，形成离子交换掩膜；将刻好的玻璃片放入交换源中，利用离子交换技术在玻璃衬底表面形成光波导；放入硝酸钠融盐中在电场下进行电场辅助离子交换；交换后的玻璃表面用射频溅射或者等离子增强化学气相淀积方法淀积一层二氧化硅层，形成掩埋型波导。本发明用玻璃作为衬底材料利用离子交换技术制作光波导器件不仅材料价格低，而且具有制作技术简单、制作工艺简单成熟、器件损耗低、与光的偏振无关、容易集成，并且由于玻璃的折射率与光纤折射率相近，易于与光纤耦合等优点。
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公开(公告)号：CN1847928A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610050750.5
申请日：2006-05-15
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种多模干涉耦合型LiNbO3集成电光调制器件。在X－切LiNbO3基片上或在Z－切LiNbO3基片上设有耦合器和调制区；所述的耦合器为多模干涉型1×2耦合器。本发明利用了多模干涉型耦合器结构紧湊和设计制作容差大的特点，减小了耦合长度，同时由于避免了Y型1×2耦合器结构中尖角的制作，器件的制作工艺更加稳定，提高了器件的制作工艺的重复性。
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公开(公告)号：CN1844963A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610050618.4
申请日：2006-05-08
Applicant: 浙江南方通信集团股份有限公司 , 浙江大学
IPC: G02B6/13
Abstract: 本发明公开了一种单侧熔盐电场辅助离子交换制备掩埋式玻璃光波导的方法。首先将带有掩膜的玻璃基片在含有高极化率离子的熔盐中进行离子交换，获得玻璃表面的离子交换区；而后在玻璃基片的表面远离光波导芯部的区域制作阻挡层，用于阻止后续的离子交换过程中大量离子通过玻璃基片，在阴极被还原而破坏金属膜电极；最后正极采用不含高极化率离子熔盐，负极采用金属膜，采用单侧熔盐电场辅助离子交换制作掩埋式光波导。采用本发明所述的方法可以有效抑制电场辅助离子交换过程中负极金属膜的损害，改善单侧熔盐电场辅助离子交换所制备玻璃光波导器件的性能。
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公开(公告)号：CN1746707A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510061049.9
申请日：2005-10-11
Applicant: 浙江南方通信集团股份有限公司 , 浙江大学
CPC classification number: C03C15/00
Abstract: 本发明公开了一种离子交换玻璃光波导器件的制作方法。该方法是将玻璃片浸没在熔融的交换源中进行离子交换形成平面波导层；在清洁的玻璃离子交换层表面上采用光刻工艺刻出光波导图形；用光刻胶膜作干法刻蚀的掩膜，干法刻蚀玻璃离子交换层；湿法腐蚀以光滑波导侧面；在波导刻蚀后的玻璃表面用射频溅射或等离子增强化学气相淀积技术工艺，淀积一层二氧化硅层，形成掩埋型波导。本发明与背景技术的离子交换波导相比，它需要进行多次离子交换，而且需要用电场辅助离子交换技术，在本技术中不需要进行多次离子交换，也没有电场辅助扩散过程，而且波导的截面完全由光刻来控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1200303C
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN03116219.3
申请日：2003-04-03
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种非对称电极Y分叉波导数字光开关。包括制作在衬底内的Y分叉波导，波导上覆有SiO2缓冲层，在一分支波导段SiO2缓冲层上装有信号电极和地电极，在另一分支波导段SiO2缓冲层上装有另一地电极和另一信号电极，两信号电极相连，两地电极相连。将其中的一信号电极和地电极延长至Y分叉波导的过渡区，其中信号电极一边与过渡区波导的中线重合，形成非对称电极。本发明在传统对称电极的基础上提出非对称电极设计，有效地提高了开关特性，通过计算机仿真模拟，得到TM模开关电压6.5V左右时串扰＜-26dB，比传统对称式电极结构串扰减小了近6dB，并且开关电压在6～10V之间串扰＜-20dB，器件选用Ti扩散LiNbO3材料可以获得较高的开关速度和较低的插入损耗。
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公开(公告)号：CN1448760A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN03116219.3
申请日：2003-04-03
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种非对称电极Y分叉波导数字光开关。包括制作在衬底内的Y分叉波导，波导上覆有SiO2缓冲层，在一分支波导段SiO2缓冲层上装有信号电极和地电极，在另一分支波导段SiO2缓冲层上装有另一地电极和另一信号电极，两信号电极相连，两地电极相连。将其中的一信号电极和地电极延长至Y分叉波导的过渡区，其中信号电极一边与过渡区波导的中线重合，形成非对称电极。本发明在传统对称电极的基础上提出非对称电极设计，有效地提高了开关特性，通过计算机仿真模拟，得到TM模开关电压6.5V左右时串扰＜－26dB，比传统对称式电极结构串扰减小了近6dB，并且开关电压在6～10V之间串扰＜－20dB，器件选用Ti扩散LiNbO3材料可以获得较高的开关速度和较低的插入损耗。
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公开(公告)号：CN1116622C
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN01138104.3
申请日：2001-12-31
Applicant: 浙江大学
Abstract: 一种铌酸锂基多模干涉波导型光功分器，包括1×N多模干涉光波导，是在铌酸锂衬底上设置渐变折射率分布的多模光干涉区、及多模光干涉区两端的单模输入波导和N个单模输出波导。本发明由于采用了渐变折射率分布波导，所以用简单的工艺制作过程在商用化程度很高且具有很好光学特性的铌酸锂基片上制作出性能优良的多模干涉波导型光功分器，可进一步商业化，低投入、高产出，形成规模化生产。并可进一步研制出M×N多模干涉波导型光耦合器。
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公开(公告)号：CN101666919B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200910152944.X
申请日：2009-09-21
Applicant: 浙江大学
IPC: G02F1/035
Abstract: 本发明公开了一种具有刻蚀容差的硅狭缝波导电极。在绝缘体上的硅材料的顶层硅中部设有硅狭缝波导，包括一侧硅波导、狭缝、另一侧硅波导、以及狭缝底部刻蚀残留的本征硅I或狭缝底部刻蚀残留的P型掺杂的硅或N型掺杂的硅。狭缝中填充同时作为上包层的电光材料。它的一侧硅波导以及与之相连的加上负电压的P型掺杂的硅平板，另一侧硅波导以及与之相连的加上正电压的N型掺杂的硅平板，共同构成了硅狭缝波导的电极。本发明利用硅材料的PN结和PIN结反偏耗尽的特性，通过在狭缝波导的两侧电极部分分别进行N型和P型掺杂，并施加反偏电压形成结区耗尽，在物理上阻断了左右电极之间的导电性，从而能够允许狭缝的刻蚀有残留，增大了刻蚀工艺的容差。
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公开(公告)号：CN101776465B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201010100251.9
申请日：2010-01-25
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种用于增强传感器灵敏度的复合光波导。包括下包层、条形限制区和传感层；在传感层从下至上依次设置平板形限制区和上包层；条形限制区折射率大于下包层的折射率；平板形限制区的折射率大于上包层的折射率；传感层折射率小于条形限制区和平板形限制区的折射率。本发明通过引入垂直于基片方向上的狭缝波导结构，与传统的基于倏逝波原理的集成光学光学传感器相比，增强了光导波与传感层的相互作用，提高了传感器的灵敏度。
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