公开(公告)号：CN108329036A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810148003.8

申请日：2018-02-13

Applicant: 济南大学

Inventor： 李庆刚 ,  王志 ,  史国普 ,  黄世峰 ,  程新

IPC: C04B35/581 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/645

CPC classification number: C04B35/581 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/62615 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/96

Abstract: 本发明涉及一种超细高纯AlON粉体及其制备方法，属于透明陶瓷粉体制备领域。该方法通过以下步骤实现：首先制备Al2O3和碳粉的混合粉体；然后将混合粉体至于BN坩埚中，采用气氛压力烧结制备得超细高纯AlON粉体。本发明采用传统氧化铝和碳粉为原材料，在相对低温的条件下制备出AlON粉体，制备工艺简单可控，可操作性强；本发明制备的AlON粉体纯度较高，粒度较小。

公开(公告)号：CN106119583B

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201610500096.7

申请日：2016-06-30

Applicant: 济南大学

Inventor： 徐菡卿 ,  王志 ,  吴俊彦 ,  李庆刚

IPC: C22C1/05 ,  B22F3/00 ,  B22F7/02

Abstract: 本发明涉及一种无压烧结钛/氧化铝梯度复合材料的制备方法。本发明通过改变钛和氧化铝粉料的配比，经球磨混合得到不同配比的钛/氧化铝粉料，粉料过筛后分别将不同配比的粉料以设定厚度逐层填充在石墨模具中进行初压，初压成型后的坯体经冷等静压处理使用真空烧结炉无压烧结。本发明通过控制不同钛和氧化铝的配比，以及单层粉料的填充厚度得到不同强度和断裂韧性的钛/氧化铝梯度复合材料；对最上层和最下层钛和氧化铝的配比的控制，实现制备出上下底面导电性有差异的材料，以满足实际使用要求。

公开(公告)号：CN105838920B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201610175079.0

申请日：2016-03-25

Applicant: 济南大学

Inventor： 李庆刚 ,  王志 ,  吴超 ,  黄世峰 ,  程新

IPC: C22C14/00 ,  C22C32/00 ,  C22C1/05

Abstract: 本发明涉及一种Ti/AlN金属陶瓷复合材料及其制备方法，属于金属陶瓷复合材料制备技术领域。本发明通过对原料中钛粉、氮化铝粉、铝粉和碳化硅粉含量配比进行限定，对生坯的制备方式进行限定，对烧结温度、压力和保温时间进行限定，从而制备出Ti/AlN金属陶瓷复合材料；Ti/AlN金属陶瓷复合材料的物相组成除了Ti和AlN还有Ti2AlN、Ti3Al2N2和Ti3AlN等Ti‑Al‑N固溶体，增加了其力学性能和电学性能。

公开(公告)号：CN106747563A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611122701.8

申请日：2016-12-08

Applicant: 济南大学

Inventor： 李庆刚 ,  王志 ,  黄世峰 ,  程新

IPC: C04B38/00 ,  C04B35/565 ,  C04B35/645

CPC classification number: C04B38/0054 ,  C04B35/565 ,  C04B35/645 ,  C04B38/0003 ,  C04B2235/6022 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/96 ,  C04B38/007 ,  C04B38/0074

Abstract: 本发明涉及一种放电等离子烧结法制备多孔碳化硅陶瓷的方法，属于多孔陶瓷材料制备技术领域。该方法是通过以下步骤实现的：将碳化硅粉和去离子水混合，进行磁力搅拌加超声分散得混合浆料；将混合浆料进行球磨；球磨后的浆料放入真空干燥箱干燥，得碳化硅粉体；得到的粉体经过研磨、过筛之后，在自然环境中陈腐；将陈腐后的粉料放入模具中，在真空条件下、温度为1600‑1800℃、20‑50MPa条件下烧结5~15min，得产品。本发明利用碳化硅粉体，在没有添加造孔剂和烧结助剂的条件下，制备得到的多孔碳化硅陶瓷形状尺寸可控、孔隙率高、孔隙分布均匀且三维连通。它具有定向、互连的孔隙结构，开口孔隙率为30~80%，孔径为0.1~10μm，碳化硅颗粒之间通过液固烧结方式连接。

公开(公告)号：CN104045349A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410308279.X

申请日：2014-07-01

Applicant: 济南大学

Inventor： 李庆刚 ,  王志 ,  吴超 ,  马妍 ,  栗媛媛 ,  刘美佳

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种纳米氧化铝增强氮氧化铝陶瓷及其制备方法，属于纳米掺加陶瓷制备技术领域。本发明通过对原料中各相组分含量配比进行限定，对烧结温度、压力和保温时间进行限定，从而制备出纳米氧化铝掺加的氮氧化铝陶瓷；纳米氧化铝的加入多集中于材料晶界处，形成晶界钉扎作用，对裂纹扩展的阻碍能力很高，材料的弯曲强度和断裂韧性高。

公开(公告)号：CN116474800A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310411735.2

申请日：2023-04-12

Applicant: 济南大学

Inventor： 史国普 ,  魏郁林 ,  冀珺 ,  王志 ,  李庆刚 ,  梁福鑫 ,  王红磊

IPC: B01J27/185 ,  B01J23/58 ,  C07C1/12 ,  C07C9/04 ,  C01B32/50

Abstract: 本发明属于催化剂技术领域，具体涉及一种具有花状团簇的介孔催化剂涂层及其制备的催化剂。涂层，包括改性组分和主催化组分；改性组分包括非金属元素改性的γ‑Al2O3和变价金属氧化物或其他具备丰富活性位点的碱土、稀土金属氧化物；主催化组分为具有某种高效催化作用的金属氧化物。采用多步浸渍、一次焙烧的方法，利用多元金属氧化物对应的硝酸盐和氨水等完成涂层成分转换，实现了涂料合成和涂层沉积过程的结合。且利用铵根与弱酸根调控纳米氧化铝形貌获得花状团簇，使涂层具有均匀介孔和大量气体通道。相对于直接用氧化物涂覆，原料成本降低，无需考虑喷涂固化，合成的涂层更薄，时间和经济成本较低，耗能减少。

公开(公告)号：CN113582673A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110986447.0

申请日：2021-08-26

Applicant: 济南大学

Inventor： 陈莹莹 ,  王志 ,  史国普 ,  李庆刚 ,  吴俊彦

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/515 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  B28B1/29 ,  B28B3/00 ,  B28B11/24

Abstract: 本发明属于陶瓷基复合材料制备领域，具体涉及一种氧化铝/钛硅碳层状复合材料及其原位制备方法。通过控制温度，并向原料粉中添加少量的铝粉来提高钛硅碳陶瓷的纯度；使用流延法和原位反应相结合的方法制备该层状材料，且制备出来的界面层钛硅碳陶瓷比较纯，没有其他杂质；此复合材料纯度高，并且抗弯强度和断裂韧性等力学性能均有很大提高。

公开(公告)号：CN109180161B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201810974282.3

申请日：2018-08-24

Applicant: 济南大学

Inventor： 吴俊彦 ,  齐方方 ,  王志 ,  李庆刚 ,  史国普

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种金属掺杂制备陶瓷复合材料，公开了一种高纯钛硅化碳/氧化铝复合材料及其制备方法，其以生成目标产物体积钛硅化碳：氧化铝＝1:3～2:3为基础，以摩尔比为3:1:1～3:1.1:0.5称取钛粉，碳化硅粉和石墨粉；以氧化铝球为球磨介质，酒精为分散介质，在聚四氟乙烯罐球中以200r/min的速度球磨磨4h，目标生成钛硅化碳和氧化铝粉的体积比为1:3～2:3,硅粉与外掺铝粉的摩尔比为1:0～1:0.3；球磨后进行干燥、破碎得到混合粉料；然后在温度为1400～1650℃，压力为20～50MPa以及保温1‑4h的烧结工艺下完成样品烧结，得到高纯钛硅化碳/氧化铝复合材料。本发明制得的钛硅化碳/氧化铝陶瓷复合材料，具有高纯度、高致密度、晶粒大小均匀，物相之间结合紧密且力学性能优异的特点。

公开(公告)号：CN108178636B

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN201810140991.1

申请日：2018-02-11

Applicant: 济南大学

Inventor： 李庆刚 ,  王志 ,  史国普 ,  黄世峰 ,  程新

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B35/634

Abstract: 本发明涉及一种Si3N4/SiC复合吸波陶瓷及其制备方法，属于吸波透波陶瓷复合材料制备技术领域，该复合吸波陶瓷物相组成为Si3N4、SiC和石墨烯；所述Si3N4、SiC和石墨烯的质量比为95：5：0‑0.3。本发明采用石墨烯对Si3N4/SiC复合吸波陶瓷进行改性，得到了性能优良的Si3N4/SiC复合吸波陶瓷材料；本发明相较于其他烧结工艺制备的Si3N4/SiC复合吸波陶瓷的过程中，原材料之间没有发生任何反应；通过严格控制原料配比及烧结制备条件，避免了石墨烯的石墨化。

公开(公告)号：CN108315629B

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201810148011.2

申请日：2018-02-13

Applicant: 济南大学

Inventor： 李庆刚 ,  王志 ,  史国普 ,  黄世峰 ,  程新

IPC: C22C29/06 ,  C22C1/05

Abstract: 本发明涉及一种Al/SiC金属陶瓷复合材料的制备方法，属于金属陶瓷复合材料制备技术领域。具体步骤为：分别称取铝粉和碳化硅粉，放置于研磨体中，采用行星式球磨机对混合物料进行球磨，球磨后物料在真空干燥箱内进行干燥，干燥后物料研磨后使粉料全部过100目筛备用；将粉磨好的物料置于放电等离子烧结所用的石墨模具中按进行烧结。本发明利用放电等离子烧结技术，在高温高压下制备Al/SiC金属陶瓷复合材料，打破了Al/SiC金属陶瓷复合材料传统制备方法；制备的Al/SiC金属陶瓷复合材料体系相对于铝基金属来说，它有更高的使用温度，而且铝/碳化硅有更好的耐磨性能、断裂韧性、耐腐蚀性能，拓宽了铝/碳化硅的应用范围。