一种高纯钛硅化碳/氧化铝复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN109180161A

    公开(公告)日:2019-01-11

    申请号:CN201810974282.3

    申请日:2018-08-24

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明涉及一种金属掺杂制备陶瓷复合材料,公开了一种高纯钛硅化碳/氧化铝复合材料及其制备方法,其以生成目标产物体积钛硅化碳:氧化铝=1:3~2:3为基础,以摩尔比为3:1:1~3:1.1:0.5称取钛粉,碳化硅粉和石墨粉;以氧化铝球为球磨介质,酒精为分散介质,在聚四氟乙烯罐球中以200r/min的速度球磨磨4h,目标生成钛硅化碳和氧化铝粉的体积比为1:3~2:3,硅粉与外掺铝粉的摩尔比为1:0~1:0.3;球磨后进行干燥、破碎得到混合粉料;然后在温度为1400~1650℃,压力为20~50MPa以及保温1-4h的烧结工艺下完成样品烧结,得到高纯钛硅化碳/氧化铝复合材料。本发明制得的钛硅化碳/氧化铝陶瓷复合材料,具有高纯度、高致密度、晶粒大小均匀,物相之间结合紧密且力学性能优异的特点。

    一种钛/氧化铝界面反应控制和优化的方法

    公开(公告)号:CN105296779A

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201510627800.0

    申请日:2015-09-28

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明公开了一种钛/氧化铝界面反应控制和优化的方法,氧化铝与氧化铈以10:(0.40~0.47)的质量比,或者氧化铝与氧化钇以10:(0.21~0.28)的质量比混合,以粉末包裹法制得钛/氧化铝试样生坯,采用真空热压烧结技术,1350℃的烧结温度下,以5℃/min(0-1200℃)和10℃/min(0-1200℃)的速率升温,并在最高温度时加压30MPa并保温1.5h,得样品。利用SEM,EDS和XRD分析方法,测试在1350℃下钛/氧化铝界面反应层的厚度,微观形貌和物相组成,可发现有氧化铈或氧化钇添加时,界面反应在一定程度上被控制,界面结构得到优化,方法简单,为控制钛/氧化铝界面反应提供了依据。

Patent Agency Ranking