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公开(公告)号：CN105226144A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510786400.4
申请日：2015-11-16
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/005 , H01L33/22
Abstract: 本发明具有双层微纳米阵列结构的LED图形化衬底的制作方法，涉及半导体器件,步骤是：旋涂第一光刻胶层；制作具有微纳米点阵列的第一光刻胶层；第一次干法刻蚀；湿法去除具有微纳米点阵列的第一光刻胶层；旋涂第二光刻胶层；制作具有微纳米点阵列的第二光刻胶层；第二次干法刻蚀；湿法去除具有微纳米点阵列的第二光刻胶层，制得具有双层微纳米阵列结构的LED图形化衬底。本发明方法通过第一层微纳米结构的设计提高GaN的晶格质量，而第二层微纳米结构的设计提高LED的光提取效率，克服了现有技术存在的无法同时兼顾提高GaN晶格质量和最大化提高LED光提取效率的缺陷。
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公开(公告)号：CN118598749A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410635590.9
申请日：2024-05-22
Applicant: 河北工业大学
IPC: C07C69/54 , G03F7/00 , G03F7/004 , C07C67/29 , C09K11/66 , C09K11/88 , C09K11/70 , C09K11/02 , B82Y20/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及光敏功能化金属羧酸盐及制备的光敏纳米晶复合材料。所述光敏功能化金属羧酸盐包括金属端和光敏有机链段，所述金属端为主族金属或IIB副族金属，所述主族金属包括In、Al、Ga、Pb中的至少一种，所述IIB副族金属为Zn、Cd中的至少一种；所述光敏有机链段为包含光敏有机基团的羧酸和膦酸根；由金属前体和含光敏基团的有机羧酸及其衍生物在有机溶剂中反应获得。基于该光敏功能化金属羧酸盐修饰使得纳米晶具备良好的光、热、空气稳定性，同时在有机光敏材料及其溶剂中以高浓度均匀分散，可以与有机光敏材料交联或自发交联。基于所述材料经光刻制备的图案化光转换层具备高发光均一性、高效率和高稳定性。
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公开(公告)号：CN113105885B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202110403850.6
申请日：2021-04-15
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种钙钛矿/氧化锌异质结构发光材料及其制备方法，该发光材料包括钙钛矿纳米晶和包覆在钙钛矿纳米晶表面的氧化锌。通过有机锌与修饰有机羧酸根配体的钙钛矿相结合在钙钛矿表面形成氧化锌过渡层，再结合氧源反应逐步生长形成钙钛矿/氧化锌异质结构。钙钛矿/氧化锌II型异质结构纳米晶材料波长调控步长
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公开(公告)号：CN113698931B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202111001987.5
申请日：2021-08-30
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种纳米晶/氧化铝核壳结构发光材料及其制备方法，该发光材料包括纳米晶核和包覆在纳米晶表面的晶态氧化铝壳层。纳米晶/氧化铝核壳结构发光材料中纳米晶核和氧化铝壳的交互界面具备Type‑I型异质结构，该发光材料同时具有以下性质：良好的水氧和环境耐受性，良好的光化学稳定性，良好的发光器件稳定性，基于所制备材料封装的LED器件，在5mA电流驱动下运行1000小时后，没有出现荧光衰减现象。该制备方法通过在无水体系中由有机酸配体修饰的纳米晶诱导表面和金属有机铝反应，并引入弱氧化剂控制反应速度，实现传统方法难以实现的低温液相生长晶态氧化铝包覆层，制备出单分散的纳米晶/氧化铝核壳结构纳米粒子。
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公开(公告)号：CN113480996B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202110928672.9
申请日：2021-08-13
Applicant: 河北工业大学(CN)
Abstract: 本发明为晶态氢氧化物包覆钙钛矿纳米晶及其制备方法、应用，晶态氢氧化物包含非铅的金属氢氧化物，总氢氧化物在氢氧化物包覆钙钛矿纳米晶中含量为1‑99wt％。本发明在纳米晶表面包裹形成晶态非铅氢氧化物，相比非晶态氧化物包覆和含铅氢氧化物包覆具备更好的水氧阻隔特性、发光效率和耐热特性。制备方法中采用含水极性溶剂作为合成溶剂，通过缓慢调节酸碱平衡实现包裹过程与合成过程同步进行，避免了二次包裹过程对纳米晶表面造成化学损伤。而且极性溶液环境有利于调控前驱体离子的解离平衡，配体离子可以更加有效地钝化纳米晶表面，提升纳米晶发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111139072B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202010083277.0
申请日：2020-02-08
Applicant: 河北工业大学
IPC: C09K11/66
Abstract: 本发明为一种非质子化配体修饰的钙钛矿材料，该钙钛矿材料由有机二价金属羧酸盐和有机磷化物高温下参与反应制备得到，其中有机二价金属羧酸盐反应后提供羧酸根配体结合在钙钛矿表面、有机磷化物参与反应后转化为有机磷氧化物吸附在表面，二价金属富集在钙钛矿表面。通过在制备过程中规避采用传统方法中的胺和酸前体，构建无胺无酸反应环境，最终形成富二价阳离子、并被酸根配体修饰的钙钛矿材料表面。所得到的表面修饰结构可以显著提高钙钛矿材料的光、热和水氧稳定性，有效减缓水汽条件下钙钛矿材料的降解。
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公开(公告)号：CN105702829B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201610257517.8
申请日：2016-04-22
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明具有P‑型欧姆接触层的发光二极管外延结构，涉及以电极为特征的至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，该结构从下至上顺序包括衬底、缓冲层、N‑型半导体材料层、多量子阱层、P‑型电子阻挡层、P‑型半导体材料传输层和P‑型欧姆接触层，其中，P‑型欧姆接触层的组成为AlxInyGa1‑x‑yN,其中0≤x＜1，0≤y＜1，0≤１‑ｘ‑y，并且组分量是渐变的，沿着生长方向其晶格常数逐渐增加，并且禁带宽度逐渐减小。本发明克服了现有技术存在的宽禁氮化物半导体难于形成P型欧姆接触和空穴供应困难的缺陷，提高了LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN105895765B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201610257519.7
申请日：2016-04-22
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L33/14
Abstract: 本发明具有电子能量调节层的发光二极管外延结构，涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，从上至下顺序包括衬底、缓冲层、第一N型半导体材料、电子能量调节层、第二N型半导体材料层、多量子阱层、P型电子阻挡层和P‑型半导体材料传输层，其中电子能量调节层的相对介电常数为8.5～15.3，小于第一N型半导体材料层和第二N型半导体材料层的介电常数，其厚度为1～5000nm，材料为n‑型掺杂，并且其掺杂元素浓度需大于第一N型半导体材料层和第二N型半导体材料层，n‑型掺杂是通过掺杂Si、Ge、O或H元素实现，克服了现有技术存在在减小漏电子电流的同时却影响空穴的注入效率的缺陷。
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公开(公告)号：CN105870274A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610260332.2
申请日：2016-04-22
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/00 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/06 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/0075 , H01L33/32
Abstract: 本发明一种屏蔽量子阱中极化场效应的发光二极管外延结构，涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，该结构由下到上依次排列包括：衬底、缓冲层、非掺杂半导体材料层、掺杂N型半导体材料层、多量子阱层、P型电子阻挡层和P型半导体材料，其中在多量子阱层中通过量子垒中组份渐变的结构来实现量子垒中产生极化体电荷，从而会起到屏蔽量子阱区极化场的作用，克服了屏蔽量子阱区极化场效应的现有技术存在屏蔽量子阱区极化场的工艺复杂、效果不明显和影响空穴传输的缺陷。
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公开(公告)号：CN118459329A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410572901.1
申请日：2024-05-10
Applicant: 河北工业大学
IPC: C07C51/41 , C07C57/30 , C07C57/40 , C07C63/38 , C07C227/18 , C07C229/42 , C09K11/02 , C09K11/66 , C09K11/88 , C09K11/70 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C08K9/04 , C08K3/30 , C08K3/16 , C08K3/32 , C08L25/06 , C08L79/08 , C08L67/02 , C08J5/18
Abstract: 本发明涉及功能化金属羧酸盐及应用其制备的纳米晶高分子复合材料。所述功能化金属羧酸盐包括金属端和芳香环有机链段，所述金属端为主族金属或IIB副族金属，所述主族金属包括In、Al、Ga、Pb中的至少一种，所述IIB副族金属为Zn、Cd中的至少一种；所述芳香环有机链段为包含单环或多环芳烃的一元、多元羧酸根；由金属盐及有机金属化合物和含芳香环的有机羧酸及其衍生物在非极性有机溶剂中反应获得；所述高分子为含芳香环基团的有机高分子材料。使得纳米晶具备良好的光、热、空气稳定性，并在所述高分子及其单体和溶剂中以高浓度均匀分散。基于所述材料制备的光转换膜层具备高发光均一性，高效率和高稳定性。
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