-
公开(公告)号：CN114220878A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111533672.5
申请日：2021-12-15
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明为一种具有载流子传输层的Ga2O3/GaN日盲紫外探测器及其制备方法。该探测器的结构为以下两种：第一种，由下至上依次包括衬底、缓冲层、传输层，传输层的中部为吸收层，两侧分别分布有阴极电极、阳极电极；吸收层上覆盖有金属层；或者，第二种，由下至上依次包括衬底、缓冲层、传输层，传输层的中部为吸收层，两侧分别分布有阴极电极、阳极电极；吸收层的上表面和两侧均覆盖有绝缘层，绝缘层上覆盖有金属层。本发明利用金属和氧化镓的肖特基接触形成的电场，将光生电子从缺陷多的氧化镓吸收层中推入到缺陷少的氮化镓传输层中，从而达到提升探测器的响应度和响应速度的目的。
-
公开(公告)号：CN112945377A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110141110.X
申请日：2021-02-01
Applicant: 河北工业大学
IPC: G01J1/42
Abstract: 本发明为一种基于等离子激元的深紫外光电探测器。该探测器的结构自下至上包括：衬底、缓冲层、吸收层和叉指电极；其中，在叉指电极部分之外的吸收层上，嵌有金属纳米柱；所述的金属纳米柱的材料为Al。本发明易于在深紫外波段发生等离子激元共振，同时增加了金属与有源区材料的接触面积，增加了热载流子通过热发射进入有源区的面积，从而可以充分利用等离子激元的作用增加深紫外探测器的响应度。
-
公开(公告)号：CN111326632B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202010154518.6
申请日：2020-03-08
IPC: H01L33/20 , H01L33/14 , H01L27/15 , H01L29/872
Abstract: 本发明为一种具有梯形侧壁场板肖特基二极管的AC Micro‑LED阵列。该器件包括衬底、芯片单元电极，以及阵列排布的MicroLED器件和具有梯形侧壁场板的SBD；所述的具有梯形侧壁场板的SBD，本征GaN缓冲层具体分为两层，下层厚度为全部本征GaN缓冲层厚度的40～60％，而上层分为两部分，一部分为矩形，另外一部分从外侧边缘向内条状凸起，凸起的横截面为梯形；梯形凸起的本征GaN缓冲层的外侧的两个梯形斜面上生长侧壁绝缘层，梯形凸起的上表面上覆盖有肖特基接触电极；具有梯形侧壁场板的SBD的数量为四个，位于阵列的四角。本发明大大提高了芯片利用效率和可靠性，减少芯片制造成本。
-
公开(公告)号：CN111564511A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010424746.0
申请日：2020-05-19
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明为一种基于极化效应的AlGaN-MSM探测器结构及其制备方法。一种基于极化效应的AlGaN-MSM探测器结构，其沿着外延生长方向依次包括：衬底101、缓冲层102、吸收层103；吸收层以上的部分为以下两种形式之一：第一种为：吸收层的一侧覆盖有极化薄层，吸收层的另一侧覆盖有肖特基电极；极化薄层的表面还覆盖有欧姆电极；或者，第二种为：吸收层的两侧分别覆盖有左极化薄层和右极化薄层，左极化薄层和右极化薄层表面分别覆盖有欧姆电极。本发明中基于极化效应的AlGaN-MSM探测器结构，生产成本低，制作工艺简单可靠，易于生产，可应用于紫外探测等领域。
-
公开(公告)号：CN107093657B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201710315823.7
申请日：2017-05-08
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种薄膜腔体型图形衬底及其制备方法，其特征在于该图形衬底包括平面衬底，在平面衬底的表面分布由薄膜材料层组成的微纳米阵列的薄膜腔体结构，所述薄膜腔体结构的壁厚为1‑500nm，薄膜腔体结构具有空腔，且薄膜腔体结构上端开口；所述空腔的宽度为100～10000纳米，高度为50～10000纳米；相邻薄膜腔体结构的间距为5～10000纳米。该图形衬底具有高密度的空气腔，空气腔由薄膜材料层围成，薄膜材料层和空气腔构成薄膜腔体结构，该薄膜腔体结构易变形能够有利于释放生长过程中的热应力，有利于提高外延氮化物的晶体质量和的光提取效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105742425B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201610261242.5
申请日：2016-04-22
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明具有空穴能量调节层的发光二极管外延结构，涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，该结构在LED外延结构的P‑型半导体材料传输层中插入一层低势垒的P‑型半导体材料空穴能量调节层，其材质为Alx1Iny1Ga1‑x1‑y1N，式中，0≤x1≤1,0≤y1≤1,0≤1‑x1‑y1，厚度为1nm～300nm，其晶格常数大于P‑型半导体材料传输层Ⅰ和P‑型半导体材料传输层Ⅱ，其禁带宽度小于P‑型半导体材料传输层Ⅰ和P‑型半导体材料传输层Ⅱ。本发明利用极化电场增加空穴能量提高空穴注入效率，并且没有增加空穴势垒，克服了现有技术存在的空穴注入效率低，内量子效率不高的缺陷。
-
公开(公告)号：CN105895765A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610257519.7
申请日：2016-04-22
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L33/14
CPC classification number: H01L33/14
Abstract: 本发明具有电子能量调节层的发光二极管外延结构，涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，从上至下顺序包括衬底、缓冲层、第一N型半导体材料、电子能量调节层、第二N型半导体材料层、多量子阱层、P型电子阻挡层和P?型半导体材料传输层，其中电子能量调节层的相对介电常数为8.5～15.3，小于第一N型半导体材料层和第二N型半导体材料层的介电常数，其厚度为1～5000nm，材料为n?型掺杂，并且其掺杂元素浓度需大于第一N型半导体材料层和第二N型半导体材料层，n?型掺杂是通过掺杂Si、Ge、O或H元素实现，克服了现有技术存在减小漏电子电流的同时却影响空穴的注入效率的缺陷。
-
公开(公告)号：CN105742432A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610257520.X
申请日：2016-04-22
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明一种减小量子阱中俄歇复合率的LED外延结构，涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，该结构包括衬底、半导体材料缓冲层、N?型半导体材料、多量子阱层、P?型电子阻挡层和P?型半导体材料传输层；所述多量子阱层的材质为Alx1Iny1Ga1?x1?y1N/Alx2Iny2Ga1?x2?y2N，通过量子阱Alx1Iny1Ga1?x1?y1N中组份渐变的结构来实现量子阱的平带结构，以达降低量子阱区的载流子局域密度，减小俄歇复合率，提高器件的内量子效率和改善效率衰减效应，克服了现有技术存在的量子阱中极化电荷引起量子阱能带倾斜和俄偈复合严重的缺陷。
-
公开(公告)号：CN105742425A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610261242.5
申请日：2016-04-22
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明具有空穴能量调节层的发光二极管外延结构，涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，该结构在LED外延结构的P?型半导体材料传输层中插入一层低势垒的P?型半导体材料空穴能量调节层，其材质为Alx1Iny1Ga1?x1?y1N，式中，0≤x1≤1,0≤y1≤1,0≤1?x1?y1，厚度为1nm～300nm，其晶格常数大于P?型半导体材料传输层Ⅰ和P?型半导体材料传输层Ⅱ，其禁带宽度小于P?型半导体材料传输层Ⅰ和P?型半导体材料传输层Ⅱ。本发明利用极化电场增加空穴能量提高空穴注入效率，并且没有增加空穴势垒，克服了现有技术存在的空穴注入效率低，内量子效率不高的缺陷。
-
公开(公告)号：CN105702829A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610257517.8
申请日：2016-04-22
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明具有P-型欧姆接触层的发光二极管外延结构，涉及以电极为特征的至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，该结构从下至上顺序包括衬底、缓冲层、N-型半导体材料层、多量子阱层、P-型电子阻挡层、P-型半导体材料传输层和P-型欧姆接触层，其中，P-型欧姆接触层的组成为AlxInyGa1-x-yN,其中0≤x＜1，0≤y＜1，0≤１-ｘ-y，并且组分量是渐变的，沿着生长方向其晶格常数逐渐增加，并且禁带宽度逐渐减小。本发明克服了现有技术存在的宽禁氮化物半导体难于形成P型欧姆接触和空穴供应困难的缺陷，提高了LED的发光效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
92
records
(took 0.028 seconds)
