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公开(公告)号：CN114859465B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210429303.X
申请日：2022-04-22
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明属于MEMS光电器件技术领域，公开了一种可调谐的压电式光环谐振腔，包括压电悬臂梁组件、光学波导组件，光学波导组件位于压电悬臂梁组件的上方，光学波导组件包括微环谐振腔和耦合器，压电悬臂梁组件在电信号的作用下产生振动，微环谐振腔基于振动产生应变并改变其谐振频率。本发明解决了现有技术中微环谐振腔难以实现多频率工作且无法调谐的问题。本发明利用压电效应，通过电信号作用使压电悬臂梁组件产生振动，进而使微环谐振腔产生应变并改变其谐振频率，本发明具有较大的频响范围与可调谐性，本发明结构集成度较高，灵敏度优良，成本较低。
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公开(公告)号：CN115513365A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211131706.2
申请日：2022-09-16
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本申请公开了一种基于FBAR的压力传感器及其制备方法。本技术方案中，包括具有二氧化硅的衬底，衬底底部开有背腔，衬底顶部刻有凹槽，凹槽内有硅柱，衬底顶部覆盖有种子层，种子层和衬底顶部凹槽一起围成了空气隙；在种子层上方是一个压电振荡堆结构，包括上下的顶电极和底电极，和中间夹着的压电层；压电层中开有通孔，将底电极暴露出来；顶电极部分和底电极暴露区域上沉积有电势连接线，顶部其余区域覆盖有钝化层。压电层中还开有释放孔，连接外部环境和空气隙。本申请压力传感器，可通过压力作用于空气隙上方的压电层，使压电层产生应变，改变压电层的刚度系数，导致谐振器的谐振频率发生改变，进而实现了压力的测量。
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公开(公告)号：CN114466282B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210081612.2
申请日：2022-01-24
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种声学换能器及声学装置，涉及声学换能器技术领域，所述声学换能器包括：换能器压电层、换能器介质层和换能器质量块，所述换能器介质层设于所述换能器压电层的中部一侧，所述换能器质量块设于所述换能器介质层背离所述换能器压电层的一侧，所述换能器压电层在其两端位置和所述换能器质量块的两个肩部位置依次设有电连接的四个电极组：第一电极组、第二电极组、第三电极组和第四电极组。本发明基于固支梁的结构特性，在换能器压电层的中部设置换能器质量块，换能器质量块能够增加换能器压电层振动时的应力较大的区域面积，在压电效应下生成的电信号质量更高，即本发明的声学换能器灵敏度更高。
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公开(公告)号：CN111010127B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201911333656.4
申请日：2019-12-23
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，包括基底、空腔和压电堆叠结构；压电堆叠结构从下而上依次为底电极、压电材料层和顶电极；压电材料层由压电材料有效区域、压电材料外部区域、锚组成；压电材料有效区域小于空腔面积。压电材料有效区域边缘与空气接触，通过锚与压电材料外部区域连接。压电材料有效区域通过锚的支撑悬浮在空腔上方，谐振时在压电材料有效区域内部横向传播的声波在边缘被空气反射，另外谐振时只有锚束缚压电堆叠结构工作区域的振动，压电堆叠结构能够更加自由的振动，减小杂波影响的同时产生更强的电信号，从而提高薄膜体声波谐振器性能。
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公开(公告)号：CN108917991B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201810685353.8
申请日：2018-06-28
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了高灵敏度压电MEMS传感器及其制备方法，所述压电MEMS传感器包括基底和压电堆叠结构；所述基底从下至上依次为基底底层、基底中间层和基底顶层；所述基底底层设有背腔，所述基底顶层设有规律分布的镂空槽；所述压电堆叠结构设有贯通压电堆叠结构、且与镂空槽相通的若干释放孔。本发明压电MEMS传感器，当压电堆叠结构、基底顶层和基底中间层发生形变时，由于镂空槽的存在，使得压电薄膜的挠曲变形增大，压电薄膜的应变程度得到加强，输出更强的电信号，从而提升压电传感器的灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109541259A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811478990.4
申请日：2018-12-05
Applicant: 武汉大学
IPC: G01P15/093
CPC classification number: G01P15/093
Abstract: 本发明公开了一种高灵敏度的光学式加速度传感器及其制备方法，光学式加速度传感器从下往上依次包括衬底、振动顶层、振动块和光学敏感元件，本发明首先在衬底上刻蚀出空腔，然后在空腔内填充牺牲层，之后在衬底上沉积振动顶层，在振动顶层上沉积振动块，然后在振动顶层上刻蚀释放孔，通过释放孔将牺牲层腐蚀掉形成振动空腔。本发明灵敏度高，光在光导中的能量损耗较低，该传感器具有较高的品质因子。本发明的加速度传感器还具有能与CMOS工艺兼容、体积小等优点。
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公开(公告)号：CN108964629A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810725684.X
申请日：2018-07-04
Applicant: 武汉大学
CPC classification number: H03H9/02015 , H03H9/171 , H03H2009/02196
Abstract: 本发明属于微电子技术，具体涉及一种可调谐的薄膜体声波谐振器，包括衬底、空腔、底电极层、调谐层和压电震荡堆；压电震荡堆包括中间电极层、压电层和上电极层；直流偏压施加于中间电极层和底电极层上。该薄膜体声波谐振器直流偏压加在所述底电极和中间电极上，调谐层具有压电特性，且和底电极层均采用环状。这样在较小的直流偏压下，FBAR可以产生较大的偏置位移，从而产生较大的特征频率的改变。因此，可以在低压下实现FBAR谐振频率的较大调节，能极大的扩展FBAR的应用范围。
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公开(公告)号：CN108917991A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810685353.8
申请日：2018-06-28
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了高灵敏度压电MEMS传感器及其制备方法，所述压电MEMS传感器包括基底和压电堆叠结构；所述基底从下至上依次为基底底层、基底中间层和基底顶层；所述基底底层设有背腔，所述基底顶层设有规律分布的镂空槽；所述压电堆叠结构设有贯通压电堆叠结构、且与镂空槽相通的若干释放孔。本发明压电MEMS传感器，当压电堆叠结构、基底顶层和基底中间层发生形变时，由于镂空槽的存在，使得压电薄膜的挠曲变形增大，压电薄膜的应变程度得到加强，输出更强的电信号，从而提升压电传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN108566174A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810343079.6
申请日：2018-04-17
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开一种预设空腔防护墙型薄膜体声波谐振器及制备方法，所述薄膜体声波谐振器包括带预设空腔的SOI基片衬底和换能器堆叠结构；所述预设空腔由侧壁的防护墙和底部的防护底围成，所述防护墙和所述防护底用来保证SOI基片衬底不被过度腐蚀；所述换能器堆叠结构位于所述SOI基片衬底上、且与所述预设空腔相对；所述换能器堆叠结构上设有贯穿换能器堆叠结构、且与所述预设空腔相通的至少一释放通道。本发明可避免预设空腔腐蚀过程中的腐蚀不够和腐蚀过度，能够精准控制预设空腔的大小和形状，实现薄膜体声波谐振器的有效制备。
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公开(公告)号：CN108300967A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810270718.0
申请日：2018-03-29
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了耐高温低摩擦DLC/AlTiSiN多层复合涂层及其制备方法，所述的DLC/AlTiSiN多层复合涂层，包括基底、基底上的过渡层、以及过渡层上的功能层；所述的功能层由DLC层和AlTiSiN层交替构成，其中，功能层的最底层和最顶层均为AlTiSiN层。本发明通过交替沉积AlTiSiN涂层和DLC涂层来制备多层复合涂层，所得多层复合涂层在有氧环境和无氧环境下均具有优异的耐高温性和抗摩擦磨损性，且可生长厚膜，有望作为保护涂层广泛应用于高温耐摩擦的场合。
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