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公开(公告)号：CN113594662A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110825514.0
申请日：2021-07-21
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于人工磁材料定向辐射的纽扣天线，所述顶部圆形介质和所述底部圆形介质相对设置，所述底部圆形介质、所述金属柱、所述介质柱和所述顶部圆形介质依次连接，呈工字纽扣形状设置，所述AMC结构设置在所述顶部圆形介质和所述底部圆形介质之间，相对于现有技术，该天线实现了整体高度为10mm的纽扣型结构，且在不额外增加纽扣天线横向尺寸的条件下，通过添加所述AMC结构使纽扣天线由原来的全向辐射变为了定向辐射，并提高了可穿戴纽扣天线的增益。
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公开(公告)号：CN111682313A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010637237.6
申请日：2020-07-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于短平面反射器实现减少后向辐射的薄层缝隙天线，包括介质基板、缝隙天线、平面发射器和微带线，所述缝隙天线位于所述介质基板的一侧，所述平面发射器的数量为两个，所述微带线和两个所述平面发射器均位于所述介质基板远离所述缝隙天线的一侧，且均与所述缝隙天线垂直，两个所述平面发射器对称设置于所述微带线的两侧，且一端沿所述微带线方向平行延伸跨越所述缝隙天线。相对于现有技术，该天线在不额外增加缝隙天线尺寸的前提下，在介质厚度仅为0.015(自由空间波长)实现减少天线朝向馈电微带线端的辐射，提高了缝隙天线的增益。
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公开(公告)号：CN111682311A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010635180.6
申请日：2020-07-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q1/38 , H01Q1/50 , H01Q19/185 , H01Q15/14
Abstract: 本发明公开了一种基于超薄单介质层单向辐射的缝隙天线，包括介质基板、位于介质基板上表面中心的缝隙天线以及位于介质基板下表面的微带馈电线及其左右对称的两个反射板。与常规的周期性超材料技术实现缝隙天线的单向辐射不同，该天线无需在天线下方添加额外的超材料结构，仅与微带馈电线的同一层添加新型反射器即可实现单向辐射，并且天线的增益较常规缝隙天线提高1.5dB左右，可以实现匹配。
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公开(公告)号：CN111366081A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010280419.2
申请日：2020-04-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于螺旋光子晶体光纤选择性填充的双参数传感器，包括芯层、包层和甲苯液体，所述芯层位于光纤的中心轴线上，所述包层内均匀设置六层圆形的空气孔，所述空气孔呈环形阵列分布，所述甲苯液体填充在所述包层自内向外第二层的一个空气孔中，本发明能实现对扭曲和温度的同时传感监测，且两种传感机理相互不受影响，该双参量光纤传感器不仅结构简单，也具有较高的扭曲、温度灵敏度，在机械受力应变、扭曲及温度预警等领域具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN109613635A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201910035610.8
申请日：2019-01-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明涉及一种金属纳米环柱阵列结构的新型超窄带吸波器，解决的是品质因数差的技术问题，通过采用所述基于表面晶格共振的超窄带吸收体是由纳米环柱阵列组成的；所述的纳米阵列单元从下往上依次设置为介质层基底、金属薄膜反射层及谐振器；所述的纳米阵列单元反射层薄膜金的厚度大于入射电磁波在贵金属金的趋肤深度的技术方案；所述的纳米阵列单元采用双环柱结构压缩了吸波体的吸收频谱的半峰全宽，较好地解决了传统吸波体吸收效率低，吸收半峰全宽大，品质因数低等问题，可用于窄带热辐射器，等离子体生物传感器的应用中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN212303907U
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202021284004.4
申请日：2020-07-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于短平面反射器实现减少后向辐射的薄层缝隙天线，包括介质基板、缝隙天线、平面发射器和微带线，所述缝隙天线位于所述介质基板的一侧，所述平面发射器的数量为两个，所述微带线和两个所述平面发射器均位于所述介质基板远离所述缝隙天线的一侧，且均与所述缝隙天线垂直，两个所述平面发射器对称设置于所述微带线的两侧，且一端沿所述微带线方向平行延伸跨越所述缝隙天线。相对于现有技术，该天线在不额外增加缝隙天线尺寸的前提下，在介质厚度仅为0.015(自由空间波长)实现减少天线朝向馈电微带线端的辐射，提高了缝隙天线的增益。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN216051375U
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202121319160.4
申请日：2021-06-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/41 , G01K11/125
Abstract: 本实用新型公开了一种基于SPP和腔谐振的超窄带等离子体传感器，通过银作为衬底材料，在银的上部设置呈周期性阵列布置的矩形纳米腔，并填充乙醇作为温敏材料，从衬底上部入射的偏振光激发SPP和腔共振，使反射谱呈现出两个损耗峰。SPP波长对环境折射率变化非常灵敏，基于SPP波长与环境折射率变化的关系，可实现对环境折射率的测量。又因为所述矩形纳米腔填充了温敏材料，使得腔体的谐振波长随环境温度的变化而变化，基于腔谐振波长与环境温度的关系，可实现对环境温度的测量，解决了现有技术中的基于SPP的传感器无法同时测量折射率参数和温度参数的技术问题。
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公开(公告)号：CN212571347U
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202021285150.9
申请日：2020-07-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q1/38 , H01Q1/50 , H01Q19/185 , H01Q15/14
Abstract: 本实用新型公开了一种基于超薄单介质层单向辐射的缝隙天线，包括介质基板、位于介质基板上表面中心的缝隙天线以及位于介质基板下表面的微带馈电线及其左右对称的两个反射板。与常规的周期性超材料技术实现缝隙天线的单向辐射不同，该天线无需在天线下方添加额外的超材料结构，仅与微带馈电线的同一层添加新型反射器即可实现单向辐射，并且天线的增益较常规缝隙天线提高1.5dB左右，可以实现匹配。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN214954178U
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202121283885.2
申请日：2021-06-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型涉及光学相位调制技术领域，具体涉及一种等离子体超表面标准具结构的相位调制器；该结构是在SiO2材质的平板上设置了铝构成的五边柱形纳米周期阵列天线，该结构能在600～1000nm波长范围激发Fabry–Perot共振，通过分别调节LSP和Fabry‑Perot参数实现了对LSPR和Fabry–Perot这对耦合共振的调谐，通过改变五边柱的高度和边长实现在在全2π范围的相位控制并对局部表面等离子体激元共振进行调谐用于实现对反射率的控制；该控制器在600～1000nm波长范围内可实现0～2π范围的调相，并完成了在43μm焦距的聚焦效果，本实用新型结构简单，器件结构紧凑，易于集成到现有系统，加工方便，成本低。
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公开(公告)号：CN213584169U
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202022569668.1
申请日：2020-11-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种侧馈式的窄地面宽频带贴片天线，通过调整所述金属地面的宽度可以调整天线带宽，所述金属地面宽度越窄带宽越宽，在所述金属地面的一定范围内均可实现天线的超宽带特征，在带宽范围内，H面图的波束宽度得到充分展宽，在某些频点呈现近全向特征，同时通过调整所述金属地面和所述介质层的长度可以使E面图实现多波束；另外，相较于常规同类贴片天线，可以通过减小所述介质板尺寸实现天线小型化设计。本实用新型可经过相应调整，解决了现有技术中的贴片天线应用领域窄的技术问题。
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