公开(公告)号：CN104299960B

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201410334884.4

申请日：2014-07-15

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 西川睦雄 ,  藤本悠子 ,  松并和宏

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/528 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种位置识别精度高且能够实现微细化的半导体装置和半导体装置的制造方法。通过在层间绝缘膜(4)形成多个第一开口部(5a)，用金属膜(6)覆盖其表面，从而使金属膜(6)的表面为凹凸状，使反射光散射。第一开口部(5a)的大小是与元件的接触孔相同程度的大小，是无法用图像识别装置识别的程度。金属膜(6)的大小是能够用图像识别装置识别的程度。另外，通过在金属膜(6)的端部上形成作为防反射膜发挥功能的TiN膜(7)，从而在对准标记部，容易散射光的位置(金属膜(6)的凹凸)与光不易反射的位置(TiN膜(7))邻接地存在。在层间绝缘膜(4)和TiN膜(7)上形成钝化膜(8)。设置于金属膜(6)的所有凹部(5)在形成于钝化膜(8)和TiN膜(7)的第二开口部(9)露出。

公开(公告)号：CN107526387A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710361536.X

申请日：2017-05-22

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 松并和宏 ,  西川睦雄

IPC: G05F1/618

Abstract: 本发明提供一种半导体物理量传感器装置，其能够维持正常工作时的电流能力，且能够抑制端子间短路时流动的电流。将以互补的方式连接第一、二输出元件(1、2)而成的输出电路(5)的连接点(6)与输出端子(103)连接。在第一输出元件(1)与输出电路(5)的连接点(6)之间连接有第一开关元件(3)。在第二输出元件(2)与输出电路(5)的连接点(6)之间连接有第二开关元件(4)。在输出端子(103)的电压Vout为比下限的钳位电压(电压Vref1)低的电压Vref0时，第一开关元件(3)截止。在输出端子(103)的电压Vout为比上限的钳位电压(电压Vref2)高的电压Vref3时，第二开关元件(4)截止。

公开(公告)号：CN103328932A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201280005489.0

申请日：2012-02-28

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 松并和宏 ,  西川睦雄

IPC: G01D3/02 ,  G01L19/04 ,  G11C16/02 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C16/102 ,  G01R1/20 ,  G11C16/10 ,  G11C16/12 ,  G11C16/30 ,  G11C2216/30

Abstract: 辅助存储器电路(12)由串联连接有多个触发器的移位寄存器、以及反转各D触发器的输出(Q0)～(Qn)而输出的多个反转电路构成。主存储器电路(13)由通过来自于辅助存储器电路(12)的信号制动的开关(SWa)，以及与开关(SWa)串联连接且通过写入电压(1)驱动的EPROM构成。可变电阻电压(19)由通过来自于辅助存储器电路(12)的信号制动的开关(SWb)，以及与开关(SWb)串联连接的电阻(Ra)构成。如此，能够使写入电压(1)和写入电压(2)的端子通用化。并且，能够提供一种使写入EOROM时的电压为恒定而能够进行电修整的低成本的半导体集成电路及半导体物理量传感装置。